[發明專利]介電層的蝕刻制程

無效

• 申請號: 01118337.3
• 申請日: 2001-05-24
• 公開（公告）號: CN1388571A
• 公開（公告）日: 2003-01-01
• 發明（設計）人: 陳永修;張欣怡;黃于玲
• 申請（專利權）人: 矽統科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3065
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉朝華

1、一種介電層的蝕刻制程，其特征在于：它包括如下步驟：

(1)提供一硅基底，其表面上覆蓋有一介電層；

(2)對該介電層進行一富高分子的電漿蝕刻制程，以去除掉部分的該介電層，并于該介電層與硅基底的曝露表面上形成一高分子薄膜；

(3)對該高分子薄膜進行一氧電漿處理；

(4)進行一濕蝕刻制程，以將該高分子薄膜完全去除。

2、如權利要求1所述的介電層的蝕刻制程，其特征在于：該富高分子的電漿蝕刻制程是以一氟甲烷與氧氣為主要的反應氣體的處理。

3、如權利要求1所述的介電層的蝕刻制程，其特征在于：該氧電漿處理是以氧氣與氬氣為主要的反應氣體的處理。

4、如權利要求1所述的介電層的蝕刻制程，其特征在于：該氧電漿處理的溫度范圍為200℃-300℃。

5、如權利要求1所述的介電層的蝕刻制程，其特征在于：該氧電漿處理使該高分子薄膜的厚度變薄。

6、如權利要求1所述的介電層的蝕刻制程，其特征在于：該濕蝕刻制程是將該硅基底浸泡于緩沖氧化蝕刻溶劑中。

7、如權利要求1所述的介電層的蝕刻制程，其特征在于：該介電層是由下列的任一種介電材質所構成：氧化硅、氮化硅或氧化硅/氮化硅/氧化硅結構。

8、如權利要求1所述的介電層的蝕刻制程，其特征在于：該硅基底表面上包含有一閘極絕緣層，一閘極層是定義形成于該閘極絕緣層表面上，該介電層覆蓋于該閘極層與硅基底的曝露表面上。

9、如權利要求1所述的介電層的蝕刻制程，其特征在于：該富高分子電漿蝕刻制程，是將該閘極層頂部的介電層去除，且將該硅基底上的部分介電層去除，以使該介電層殘留于該閘極層的側壁上。

10、如權利要求1所述的介電層的蝕刻制程，其特征在于：該富高分子電漿蝕刻制程，是使該高分子薄膜形成于該閘極層頂部、該閘極層側壁的介電層表面上以及該硅基底表面所殘留的介電層表面上。

11、如權利要求1所述的介電層的蝕刻制程，其特征在于：該濕蝕刻制程是將殘留于該硅基底的介電層完全去除。