[發明專利]具有接觸電容器電極的插塞的半導體存儲器及其制造方法

無效

• 申請號: 01117562.1
• 申請日: 2001-06-29
• 公開（公告）號: CN1330407A
• 公開（公告）日: 2002-01-09
• 發明（設計）人: 洪權;崔亨福
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L27/108;H01L21/8239;H01L21/28
• 代理公司: 柳沈知識產權律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種半導體存儲裝置，包括：

半導體基片，其中，柵電極形成在半導體基片上，且源/漏結也形成在半導體基片上；

形成于半導體基片上的層間絕緣層；

形成于層間絕緣層中的插塞，其中，插塞包括擴散阻擋層和用于電鍍的種子層；

與種子層接觸的電容器底電極；

形成于底電極上的介電層；以及

形成于介電層上的上電極。

2.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，種子層從包括Ru層、Ir層、Pt層、SrO層、W層、Mo層、Co層、Ni層、Au層和Ag層的組中選出。

3.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，擴散阻擋層從包括TiN層、TiSiN層、TiAlN層、TaSiN層、TaAlN層、IrO₂層和RuO₂層的組中選出。

4.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，還包括擴散阻擋層和半導體基片間的多晶硅層。

5.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，還包括擴散阻擋層和半導體基片間的歐姆接觸層。

6.如權利要求5所述的半導體存儲裝置，還包括歐姆接觸層和半導體基片間的多晶硅層。

7.一種制造半導體存儲裝置的方法，包括以下步驟：

提供半導體基片，其中柵電極形成在半導體基片上，且源/漏結形成在該半導體基片中；

在半導體基片上形成層間絕緣層；

刻蝕層間絕緣層以形成接觸孔；

在接觸孔中形成插塞，其中，插塞包括擴散阻擋層和用于電鍍的種子層；

采用電鍍技術形成與種子層接觸的電容器底電極；

在底電極上形成電容器的介電層；以及

在介電層上形成電容器的上電極。

8.如權利要求7所述的方法，其中，種子層用Ru、Ir、Pt、SrO、W、Mo、Co、Ni、Au或Ag形成。

9.如權利要求8所述的方法，提供半導體基片的步驟包括：

在半導體基片上形成導電層，其中，導電層在形成電容器的底電極的步驟中充當一電極。

10.如權利要求8所述的方法，其中，擴散阻擋層用TiN、TiSiN、TiAlN、TaSiN、TaAlN、IrO₂或RuO₂形成。

11.如權利要求8所述的方法，其中，介電層由BaSrTiO₃層形成，上電極由Pt層，Ru層或Ir層成。

12.一種制造半導體存儲裝置的方法，包括以下步驟：

提供半導體基片，其中柵電極形成在該半導體基片上，且源/漏結形成在該半導體基片中；

在半導體基片上形成層間絕緣層；

刻蝕層間絕緣層以形成接觸孔；

在接觸孔中形成插塞，其中，插塞包括擴散阻擋層和用于電鍍的種子層；

在種子層和層間絕緣層上形成粘接層；

在粘接層上形成犧牲層；

刻蝕犧牲層和粘接層以形成確定電容器的底電極區域的開口；

采用電鍍技術在開口中的種子層上形成底電極；

除去犧牲層和粘接層；

在底電極上形成電容器的介電層；以及

在介電層上形成電容器的上電極。

13.如權利要求12所述的方法，形成插塞的步驟包括：

在接觸孔中形成擴散阻擋層；

刻蝕擴散阻擋層以除去接觸孔中擴散阻擋層的一部分；

在擴散阻擋層上形成種子層。

14.如權利要求13所述的方法，提供半導體基片的步驟包括：

在半導體基片上形成導電層，其中，導電層在形成底電極的步驟中充當一電極。

15.如權利要求13所述的方法，其中，該種子層用Ru、Ir、Pt、SrO、W、Mo、Co、Ni、Au或Ag形成，而擴散阻擋層由TiN、TiSiN、TiAlN、TaSiN、TaAlN、IrO₂或RuO₂形成。

16.如權利要求15所述的方法，其中，氧化硅層和氮化物層堆疊起來以形成層間絕緣層。