[發明專利]電子束誤著屏量減小的陰極射線管

無效

• 申請號: 01117334.3
• 申請日: 2001-03-16
• 公開（公告）號: CN1314695A
• 公開（公告）日: 2001-09-26
• 發明（設計）人: 村井隆一;八田真一郎;巖本洋;小澤哲郎;中寺茂夫
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01J29/06
• 分類號: H01J29/06;H04N9/29
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 葉愷東

本發明涉及陰極射線管，特別涉及旨在改善以地磁等為代表的外部磁特性的內磁屏蔽的形狀。

圖11表示以往的電視和個人計算機監視器等的陰極射線管(以下，記載為“CRT”)。在這里示出的CRT中，用偏轉線圈112使從電子槍射出的電子束111在垂直和水平方向偏轉，掃描整個畫面而再現圖像。此時，如果地磁等外部磁場在與電子束行進方向垂直的方向上作用于CRT，那么電子束111就如圖中虛線所示那樣彎曲(有些夸張地圖示)，產生不能到達相對于屏盤113上的熒光體114的預定位置的所謂誤著屏。作為防止它的對策，一般設置內磁屏蔽115，使其包圍CRT內部(這里是錐體部分內部)的電子束通過路徑。再有，在CRT中，一般采用光柵掃描方式，即通過用偏轉線圈控制偏轉量，使電子束在熒光屏的水平方向上水平掃描(從圖面正前方側至里側或從圖面里側至正前方側)，和在垂直方向上(圖面中箭頭Y的方向)垂直掃描，由此構成光柵。

可是，由于完全屏蔽外部磁場是不可能的，因而內磁屏蔽115實質上的作用在于，必須屏蔽某一程度的磁場，盡量使磁力線方向不變化的電子束不受力，或校正在某些部分中受到的力。

除特別的情況外，外部磁場的主要原因是地磁。該地磁場分為水平成分(畫面上水平方向的矢量成分)和垂直成分(與畫面垂直的方向的矢量成分)。象已很好地了解其中的垂直成分那樣，其在幾乎整個畫面上同樣地使著屏變化，因而不會成為在形成熒光面時用校正透鏡等校正熒光面的形成位置的問題。

另一方面，如圖12所示的水平磁場120的方向根據CRT與磁場方向的相對位置而改變，因而一般把其分解為CRT的管軸方向121和橫方向122。其中，電子束通過的空間區域成為朝向電子束行進方向漸漸擴大的大致圓錐形狀，把構成該圓錐形狀的電子束通過區域的中心軸稱為管軸。

因此，在考慮最終的地磁屏蔽的情況下，必須考慮作為地磁水平成分的分力的橫向磁場，和管軸方向磁場的磁特性。

通過從外部施加與地磁相當以上的磁場，測定此時的熒光面中的束著屏變化量，可評價CRT中的該特性。測定點可以是，例如，如圖13所示的四個地方的畫面角部，和畫面長邊部分的上下中央部(以下記為NS部)，其中特別重要的特性是：

(1)施加橫方向磁場時的角部特性(以下記為“橫角部”)。

(2)施加管軸方向磁場時的NS部特性(以下記為“管軸NS”)。再有，如圖14所示，內磁屏蔽115的形狀一般為用相對的長邊側壁141和相對的短邊側壁142形成的多角錐形筒狀，在錘的頂部有開口部143。

另一方面，近年來，大畫面化和面板為平面的CRT正成為主流。因此，特別是在面板為平面的CRT中，一般采用上述那樣的對蔭罩施加張力的方式。通過把線狀材料伸開在框架上來施加張力。

在這種方式的CRT中，用以往技術的內磁屏蔽，存在因地磁引起的誤著屏顯著惡化的傾向。這被認為是，通過對蔭罩施加張力，蔭罩的磁阻變大，在蔭罩附近產生不期望的磁場(村井他，SID2000DIGEST?P582-585)。例如，在以往的25″CRT中，橫角部、管軸NS都為10μm左右，一旦對蔭罩施加張力，橫角部就變劣為30μm，管軸NS就變劣為25μm。

應改善圖14所示結構的內磁屏蔽的特性，嘗試改變在所述短邊側壁上設置V字形切口部144的切口深度和寬度等，使其最適當。

特別是，在使V字狀切口部的深度改變方面，通過改變寬度等，大大地改變特性。圖15中示出其狀態。如圖15所示，如果使切口深度變大，那么橫角部的特性可大大改善。但是，管軸NS的特性幾乎不變化。在V字形狀的深度從0mm到150mm變化的情況下，橫角部變化約10μm，但管軸NS幾乎不變。

在最終V字形狀的最佳化中，相對于與地磁相當的外部磁場，束著屏的變化量改善到：

(橫角部、管軸NS)=(20μm、23μm)，

并且不可能同時改善這兩方面的特性。

因此，橫角部和管軸NS的特性在于變化率大致相同但符號相反的折衷關系，并且不可能同時改善這兩方面的特性。

為了解決上述問題，本發明的目的在于提供一種可減少因地磁等外部磁場引起的電子束彎曲所致的誤著屏量，和減小整個畫面上色差或色不勻的陰極射線管。

其中，本發明，為了達到該目的，對內磁屏蔽的偏轉線圈側端部附近的磁場分布和蔭罩附近的磁場分布進行了研究。

與CRT畫面周邊部顯示時相當的電子束經過的軌道上的磁場分布是重要的。如果這在內磁屏蔽的入口平面中，那么在沿邊緣的部分中，與平面的大約20％的面積相當。