[發明專利]電子束誤著屏量減小的陰極射線管

無效

• 申請號: 01117334.3
• 申請日: 2001-03-16
• 公開（公告）號: CN1314695A
• 公開（公告）日: 2001-09-26
• 發明（設計）人: 村井隆一;八田真一郎;巖本洋;小澤哲郎;中寺茂夫
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01J29/06
• 分類號: H01J29/06;H04N9/29
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 葉愷東

1．陰極射線管，包括下列部分：

內磁屏蔽；

罩；

框架，

其中，所述陰極射線管配有在與起因于陰極射線管內部產生的磁場的在罩附近的電子束偏移方向相反的一側，在內磁屏蔽的電子束入射側，預先使電子束的軌道位移的部件。

2．陰極射線管，包括下列部分：

內磁屏蔽；

罩；

框架，

其中，對通過電子束通過區域的沿垂直掃描方向的方向的上下端的20％區域的電子束起作用的磁通中，以電子束通過區域的中心軸為管軸時，從電子束入射側直到入射方向中央附近的磁通的方向是從管軸向該區域的方向，從中央附近至罩側的磁通的方向是從該區域朝向管軸的方向，兩者的磁通的方向相互相反。

3．陰極射線管，包括下列部分：

內磁屏蔽；

罩；

框架，

其中，對通過電子束通過區域的沿垂直掃描方向的方向的上下端的20％區域的電子束起作用的磁通中，以電子束通過區域的中心軸為管軸時，在內磁屏蔽的電子束入射側入口部分中從管軸產生至該區域方向的磁通的磁通密度，比從管軸沿水平掃描方向的方向的兩端部分產生的磁通的磁通密度大。

4．陰極射線管，包括下列部分：

內磁屏蔽；

罩；

框架，

其中，對于通過電子束通過區域的沿垂直掃描方向的方向的上下端的20％區域的電子束，當以電子束通過區域的中心軸為管軸時，對于來自管軸的磁通，在位于內磁屏蔽的電子束入射側的沿垂直掃描方向的方向兩端部分的部分中吸收的磁通的曲率，比位于沿水平掃描方向的方向的兩端部分的部分中吸收的磁通的曲率大。

5．陰極射線管，包括下列部分：

內磁屏蔽；

罩；

框架，

其中，對通過電子束通過區域的沿垂直掃描方向的方向的上下端的20％區域的電子束起作用的磁通中，當以電子束通過區域的中心軸為管軸時，在內磁屏蔽的電子束入射側入口部分的從管軸產生至該區域方向的磁通的磁通密度，比沿水平掃描方向的方向的兩端部分中產生的磁通的磁通密度大，并且，比起從管軸沿垂直掃描方向的方向的端部來說，更涉及電子束的入射側入口部分中產生的磁通的磁通密度，該入口部分的邊緣部的中央部分中的比其周邊部分中的要大。

6．陰極射線管，包括下列部分：

內磁屏蔽；

罩；

框架，

其中，對于通過電子束通過區域的沿垂直掃描方向的方向的上下端的20％區域的電子束，當以電子束通過區域的中心軸為管軸時，對于來自管軸的磁通，在位于內磁屏蔽的電子束入射側的沿垂直掃描方向的方向兩端部分的部分中吸收的磁通的曲率，比位于沿水平掃描方向的方向的兩端部分的部分中吸收的磁通的曲率大，并且對于來自管軸的磁通，與位于內磁屏蔽的電子束入射側的沿垂直掃描方向的方向兩端部分的部分中吸收的磁通的曲率有關，電子束入射入口部分的沿邊緣方向的部分中的比中央部分中的要大。

7．陰極射線管，包括下列部分：

內磁屏蔽；

罩；

框架，

其中，所述內磁屏蔽中位于沿垂直掃描方向的方向的兩端部分的電子束入射側端部邊緣的高度，比位于沿水平掃描方向的方向的兩端部分的電子束入射側端部邊緣的高度高。

8．如權利要求7所述的陰極射線管，包括下列部分：

所述內磁屏蔽中，在電子束入射側端部邊緣的沿相對高的所述端部邊緣部的端部邊緣的方向的兩端，配置切口部。

9．如權利要求8所述的陰極射線管，所述切口部長度，在位于沿垂直掃描方向的方向的兩端部分的電子束入射側各端部邊緣的沿端部邊緣的方向的寬度的1/2以下。

10．陰極射線管，包括下列部分：

內磁屏蔽，為錐的頂部有開口部的角錘筒狀，由相對的長邊側壁和相對的短邊側壁構成；

罩；

框架，

其中，所述內磁屏蔽在所述長邊側壁的電子束入射側端部邊緣中沿該端部邊緣的方向的中央部分上配有延長部，該延長部的高度比與該長邊側壁鄰接的短邊側壁的電子束入射側端部邊緣的高度高。

11．如權利要求10所述的陰極射線管，所述延長部是多個突起。