[發明專利]一種等離子體增強非平衡磁控濺射方法

無效

• 申請號: 01116734.3
• 申請日: 2001-04-20
• 公開（公告）號: CN1338530A
• 公開（公告）日: 2002-03-06
• 發明（設計）人: 徐軍;馬騰才;鄧新綠;張家良;陸文祺;董闖
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 大連理工大學專利事務所
• 代理人: 侯明遠

1、一種會切場微波-電子回旋共振等離子體增強非平衡磁控濺射方法，其主要特征是：

a)兩個相對放置的微波-ECR放電腔線圈所產生的磁場和平衡磁控靶磁場相互疊加，在沉積室形成會切場磁場位型，等離子體被這個磁場約束，在薄膜生長表面附近得到高密度的離子和激活基團；

b)微波-ECR放電使工作氣體電離，產生激活反應氣體原子、離子；磁控靶交叉場自持放電產生激活濺射原子、離子；調節濺射偏壓和沉積偏壓，控制薄膜生長表面的激活原子、離子到達比及能量；具有一定能量和密度分布的各種激活原子、離子在薄膜生長表面反應，形成符合化學配比的化合物薄膜。

2、根據1所述一種會切場微波-電子回旋共振等離子體增強非平衡磁控濺射方法，其特征還在于：

a)兩個微波-ECR放電腔分別位于沉積室的兩側；平衡磁控濺射靶位于沉積室內的上側，和沉積室上壁之間采用絕緣聯接，濺射偏壓Vs為直流0-1000V連續可調；載物臺與濺射靶相對放置，位于沉積室內的下側，和沉積室下壁之間采用絕緣聯接，沉積偏壓Vd為直流0-300V連續可調；

b)兩個微波-ECR放電腔周圍的ECR磁場線圈的勵磁電流大小相等、方向相反，通過調節電流的大小(0-100A連續可調)，可以調整兩個ECR磁場共振面的相對位置和沉積室中會切場磁場位形；

c)載物臺中配有加熱器，基片的加熱溫度在0-1200℃范圍內連續可調，載物臺相對于沉積室底面的高度可調，調節范圍為100--400cm，通過調節載物臺的高度，可以改變濺射靶與載物臺之間的距離。