[發明專利]能夠顯著抑制流經電子元件的高頻電流的散熱器無效
| 申請號: | 01116565.0 | 申請日: | 2001-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN1316775A | 公開(公告)日: | 2001-10-10 |
| 發明(設計)人: | 吉田榮吉;栗倉由夫;小野裕司 | 申請(專利權)人: | 株式會社東金 |
| 主分類號: | H01L23/34 | 分類號: | H01L23/34;H05K7/20 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吳增勇,張志醒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 能夠 顯著 抑制 流經 電子元件 高頻 電流 散熱器 | ||
本發明涉及一種散熱器,它用于散發處于激發狀態的電子元件所產生的熱量,以防止該電子元件的溫度升高,它粘附在該電子元件本身上或者粘附在其上安裝有電子元件的電路板或外殼上。
在電子通信領域使用其上安裝有各種電子元件的電子裝置和數據處理裝置。這些電子元件一般安裝在配備有導電圖案的電路板上。
這些電子元件可以是各種半導體有源器件,包括隨機存取存儲器(RAM),只讀存儲器(ROM),微處理器(MPU),中央處理單元(CPU)和圖像處理器算法邏輯單元(IPALU)。一般,這些半導體有源器件都在高頻下使用并以高速方式運行。為此,這些半導體有源器件根據一定電路布局高度集成,且備有多個接線端(一般稱為引線框),以用于信號處理,以便形成半導體集成電路器件的芯片(IC)或半導體大規模集成電路器件的芯片(LSI)。
所述類型的半導體有源器件具有很高的運行速度和信號處理速度。為了執行基于進一步集成結構的高速運行,所述器件經設計成在幾十MHz和幾GHz之間的頻帶的高頻下使用。相應地,就需要進一步提高安裝在該半導體有源器件上的散熱器的散熱效率。
同時,如果半導體有源器件使用這樣的高頻(在幾十MHz和幾GHz之間的頻帶內),高頻(諧波)電流會流過半導體有源器件的接線端和散熱器本身。高頻電流可能會被傳到其他電子元件、具有接線端的信號通道或其上安裝有電氣/電子元件的儀器和裝置。該高頻電流就成為產生電磁干擾的一個因素,電磁干擾會對電子元件的運行有負面影響,導致運行錯誤或使電子元件的基本功能劣化。因此,必須消除或抑制這種高頻電流。
但是,在現有的電子元件或散熱器中,沒有充分考慮阻止高頻電流的防范措施。因此,防止高頻電流所導致的電磁干擾是比較困難的。
因此,本發明的目的在于提供一種高頻電流抑制型的散熱器,它能夠充分而顯著地抑制高頻電流,防止甚至在幾十MHz和幾GHz之間的頻帶內的高頻下使用電子元件的情況下出現電磁干擾。
通過進一步的闡述將明白本發明的其他目的。
根據本發明的一方面,提供一種用于散發電子元件所產生熱量的散熱器,該散熱器具有朝向電子元件的主表面;它還包括安裝在主表面上的高頻電流抑制器,用于衰減流經散熱器且頻率在幾十MHz和幾GHz之間的頻帶內的高頻電流。
根據本發明的另一方面,提供一種用于散發電子元件所產生熱量的散熱器,該散熱器具有朝向電子元件的主表面;它還包括安裝在主表面上的高頻電流抑制器,用于衰減流經散熱器且頻率在幾十MHz和幾GHz之間頻帶內的高頻電流,以及導熱性能良好并且在該高頻電流抑制器上形成的導熱片。
根據本發明的再一個方面,提供一種用于散發電子元件所產生熱量的散熱器,該散熱器具有朝向電子元件的主表面;它還包括安裝在主表面上的高頻電流抑制器,用于衰減流經散熱器且頻率在幾十MHz和幾GHz之間頻帶內的高頻電流,以及電絕緣性能良好并且在該高頻電流抑制器上形成的絕緣片。
根據本發明的再一個方面,提供一種用于散發電子元件所產生熱量的散熱器,該散熱器具有朝向電子元件的主表面;它還包括安裝在主表面上的高頻電流抑制器,用于衰減流經散熱器且頻率在幾十MHz和幾GHz之間頻帶內的高頻電流;該高頻電流抑制器由包括M,X和Y的磁性合成物的磁物質制成,其中M是包括Fe,Co和/或Ni的金屬磁性材料,X是不同于M和Y的一種或多種元素,Y則是F,N和/或O;M-X-Y磁性合成物的成分中具有這樣的M濃度,使得M-X-Y磁性合成物的飽和磁化強度是僅僅包含M的磁性材料的金屬塊的飽和磁化強度的35-80%;該磁性合成物的相對磁導率的虛數部分μ”在0.1-10千兆赫(GHz)的頻率范圍內具有最大值μ”max。
圖1A是根據本發明第一個實施例的高頻電流抑制型散熱器的側視圖;
圖1B是說明圖1A中散熱器安裝在電路板上的狀態的側視圖;
圖2是根據本發明第二個實施例的高頻電流抑制型散熱器安裝在電路板上時的側視圖;
圖3是根據本發明第三個實施例的高頻電流抑制型散熱器的側視圖;
圖4是根據本發明第四個實施例的高頻電流抑制型散熱器的側視圖;
圖5是說明M-X-Y磁性合成物的粒狀結構的示意圖;
圖6A是說明實例中所應用的濺射裝置結構的示意圖;
圖6B是說明實例中所應用的汽相淀積裝置結構的示意圖;
圖7是說明實例1中薄膜樣品1的磁導率頻率響應特性的圖表;
圖8是說明實例2中薄膜樣品2的磁導率頻率響應特性的圖表;
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