[發(fā)明專利]能夠顯著抑制流經(jīng)電子元件的高頻電流的散熱器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01116565.0
• 申請(qǐng)日: 2001-04-04
• 公開（公告）號(hào): CN1316775A
• 公開（公告）日: 2001-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉田榮吉;栗倉(cāng)由夫;小野裕司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東金
• 主分類號(hào): H01L23/34
• 分類號(hào): H01L23/34;H05K7/20
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 吳增勇,張志醒

1．一種用于散發(fā)電子元件所產(chǎn)生熱量的散熱器，所述散熱器具有朝向所述電子元件的主表面；它還包括粘附在所述主表面的高頻電流抑制器、用于衰減流經(jīng)所述散熱器且頻率在幾十MHz和幾GHz之間頻帶內(nèi)的高頻電流。

2．權(quán)利要求1的散熱器，其特征在于還包括：

具有所述主表面以及與所述主表面相對(duì)的相對(duì)面的基板；以及

多個(gè)從所述相對(duì)面豎立且以預(yù)定間隔分布的翼片，所述翼片與所述基板構(gòu)成一個(gè)整體。

3．權(quán)利要求1或2的散熱器，其特征在于：通過(guò)濺射在所述主表面上淀積所述高頻電流抑制器。

4．權(quán)利要求1或2的散熱器，其特征在于：通過(guò)汽相淀積在所述主表面上淀積所述高頻電流抑制器。

5．權(quán)利要求1-4中任何一項(xiàng)的散熱器，其特征在于：所述電子元件是一種在高頻下使用且可高速運(yùn)行的半導(dǎo)體有源器件，所述電子元件包括半導(dǎo)體集成電路器件，半導(dǎo)體大規(guī)模集成電路器件和邏輯電路器件。

6．權(quán)利要求1-5中任何一項(xiàng)的散熱器，其特征在于還包括導(dǎo)熱性能良好的導(dǎo)熱片，并且所述導(dǎo)熱片形成在所述高頻電流抑制器上。

7．權(quán)利要求1-5中任何一項(xiàng)的散熱器，其特征在于還包括絕緣性能良好的絕緣片，并且所述絕緣片形成在所述高頻電流抑制器上。

8．權(quán)利要求1-7中任何一項(xiàng)的散熱器，其特征在于還包括準(zhǔn)備用于粘結(jié)的雙面粘合帶。

9．權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)的散熱器，其特征在于：所述高頻電流抑制器的厚度在0.3μm和20μm之間。

10．權(quán)利要求1-9中任何一項(xiàng)的散熱器，其特征在于：所述高頻電流抑制器是一種薄膜磁性物質(zhì)。

11．權(quán)利要求1-10中任何一項(xiàng)的散熱器，其特征在于：所述高頻電流抑制器由包含M,X和Y的磁性合成物的磁物質(zhì)制成，其中M是包括Fe,Co和/或Ni的金屬磁性材料，X是不同于M和Y的一種或多種元素，而Y是F,N和/或O；所述M-X-Y磁性合成物的成分中M具有這樣的密集度，使得M-X-Y磁性合成物具有單純M磁性材料的金屬塊35-80％的飽和磁化強(qiáng)度；所述磁性合成物的相對(duì)磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分μ”在0.1-10千兆赫(GHz)的頻率范圍內(nèi)具有最大值μ”_max。

12．權(quán)利要求11的散熱器，其特征在于：所述磁性物質(zhì)的飽和磁化強(qiáng)度是單純包含成分M的金屬磁性材料的飽和磁化強(qiáng)度的80％到60％之間。

13．權(quán)利要求11或12的散熱器，其特征在于：所述磁性物質(zhì)的直流電阻在100μΩ·cm到700μΩ·cm之間。

14．權(quán)利要求11的散熱器，其特征在于：它具有相對(duì)地寬的頻帶的磁導(dǎo)率頻率響應(yīng)特性，其中所述相對(duì)帶寬bwr在150％以上；所述相對(duì)帶寬bwr被確定為兩個(gè)頻率點(diǎn)之間的帶寬與所述帶寬的中心頻率的百分比，所述帶寬表示相對(duì)磁導(dǎo)率的虛數(shù)部分為最大值μ”_max的半值μ”50。

15．權(quán)利要求14的散熱器，其特征在于：所述磁性物質(zhì)的飽和磁化強(qiáng)度是單純包含成分M的金屬磁性材料的磁飽和強(qiáng)度的60％到35％之間。

16．權(quán)利要求14或15的散熱器，其特征在于：所述磁性物質(zhì)的直流電阻大于500μΩ·cm。

17．權(quán)利要求11-16中任何一項(xiàng)的散熱器，其特征在于：所述磁性物質(zhì)的成分X是從C,B,Si,Al,Mg,Ti,Zn,Hf,Sr,Nb,Ta，以及稀土元素中選擇的至少一種元素。

18．權(quán)利要求11-17中任何一項(xiàng)的散熱器，其特征在于：所述磁性物質(zhì)的成分M以粒狀結(jié)構(gòu)存在，其中成分M的顆粒或晶粒分散在成分X和Y的混合物基質(zhì)中。

19．權(quán)利要求18的散熱器，其特征在于：所述磁性物質(zhì)這樣構(gòu)成，使得所述粒狀結(jié)構(gòu)中顆粒的平均粒度在1nm到40nm之間。

20．權(quán)利要求11-19中任何一項(xiàng)的散熱器，其特征在于：所述磁性物質(zhì)具有47400A/m以下的各向異性磁場(chǎng)。

21．權(quán)利要求11-20中任何一項(xiàng)的散熱器，其特征在于：所述M-X-Y合成物是Fe-AI-O的合成物。

22．權(quán)利要求11-20中任何一項(xiàng)的散熱器，其特征在于：所述M-X-Y合成物是Fe-Si-O的合成物。