[發(fā)明專利]電子元件能量沖擊測試系統(tǒng)及方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01116199.X | 申請日: | 2001-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN1388381A | 公開(公告)日: | 2003-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳志溢;許家禎;黃鐙漢 | 申請(專利權(quán))人: | 大岡科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/00 | 分類號: | G01R31/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 穆魁良 |
| 地址: | 臺灣省*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子元件 能量 沖擊 測試 系統(tǒng) 方法 | ||
1、一種電子元件能量沖擊測試系統(tǒng),其特征是:該測試系統(tǒng)包含:一對待測元件進行模擬連續(xù)瞬間能量沖擊測試直至其結(jié)構(gòu)崩潰為止、以便測試該待測元件結(jié)構(gòu)品質(zhì)的破壞性電子元件測試模式;一對待測元件進行模擬一次瞬間能量沖擊測試、以便測試該待測元件能量耐沖能力的非破壞性電子元件測試模式;一用以控制該破壞性電子元件測試模式及非破壞性電子元件測試模式的程序控制結(jié)構(gòu)。
2、如權(quán)利要求1所述的電子元件能量沖擊測試系統(tǒng),其特征是:其中該程序控制結(jié)構(gòu)包含可控制該破壞性電子元件測試模式及非破壞性電子元件測試模式的一主控電腦及一可程序控制卡。
3、如權(quán)利要求1所述的電子元件能量沖擊測試系統(tǒng),其特征是:其中另包含一崩潰感測電路供感測待測試元件的結(jié)構(gòu)崩潰。
4、如權(quán)利要求3所述的電子元件能量沖擊測試系統(tǒng),其特征是:其中該崩潰感測電路至少包含一水銀震動開關(guān)、一光感測器及一信號轉(zhuǎn)換電路。
5、如權(quán)利要求1所述的電子元件能量沖擊測試系統(tǒng),其特征是:其中該破壞性電子元件測試模式屬破壞性單點測試結(jié)構(gòu)。
6、如權(quán)利要求5所述的電子元件能量沖擊測試系統(tǒng),其特征是:其中該破壞性單點測試結(jié)構(gòu)包含一主控電腦、一可程序控制卡、一測試基座、一控制電路、一可調(diào)式直流電源供應(yīng)器、一崩潰感測電路。
7、如權(quán)利要求6所述的電子元件能量沖擊測試系統(tǒng),其特征是:其中該控制電路包含一開關(guān)模組、二開關(guān)驅(qū)動電路及二電源電路。
8、如權(quán)利要求7所述的電子元件能量沖擊測試系統(tǒng),其特征是:其中該開關(guān)模組由二半導(dǎo)體開關(guān)元件組成。
9、如權(quán)利要求1所述的電子元件能量沖擊測試系統(tǒng),其特征是:其中該非破壞性電子元件測試模式屬非破壞性多點測試結(jié)構(gòu)。
10、如權(quán)利要求9所述的電子元件能量沖擊測試系統(tǒng),其特征是:其中該非破壞性多點測試結(jié)構(gòu)包含數(shù)個檢測電路組,該檢測電路組包含一橋式整流器、一測試基座、二開關(guān)、一測試電容、一放電電阻、一相位檢測電路及一定位感測電路。
11、如權(quán)利要求10所述的電子元件能量沖擊測試系統(tǒng),其特征是:其中該檢測電路組另包含光感測器及信號轉(zhuǎn)換電路。
12、一種電子元件能量沖擊測試方法,其特征是:其中該測試方法包含判別是否執(zhí)行破壞性單點能量沖擊的測試步驟。
13、如權(quán)利要求12所述的電子元件能量沖擊測試方法,其特征是:其中若選擇執(zhí)行破壞性能量沖擊測試時,則執(zhí)行測試參數(shù)設(shè)定步驟,載入測試程序步驟,測試電容器開始充電步驟,對待測元件進行瞬間能量沖擊,耐沖擊次數(shù)計數(shù)步驟;在進行計數(shù)步驟后,執(zhí)行判別是否接收崩潰信號;若未收到崩潰信號時,一直重復(fù)執(zhí)行載入測試程序步驟;若收到收崩潰信號時,執(zhí)行結(jié)束能量沖擊步驟,回到能量沖擊測試系統(tǒng)。
14、如權(quán)利要求13所述的電子元件能量沖擊測試方法,其特征是:其中該測試參數(shù)設(shè)定步驟包含可程序控制卡初始設(shè)定、破壞性單點能量沖擊測試參數(shù)設(shè)定、設(shè)定沖擊時間及設(shè)定冷卻時間。
15、如權(quán)利要求12所述的電子元件能量沖擊測試方法,其特征是:其中在選擇執(zhí)行非破壞性多點能量沖擊測試時,則執(zhí)行測試參數(shù)設(shè)定步驟、載入非破壞性多點能量沖擊測試程序步驟,判別是否執(zhí)行負溫度系數(shù)熱敏電阻進料,若未進料時,回到能量沖擊測試系統(tǒng),若進料時,待測試元件進入測試區(qū)執(zhí)行定位鎖定;判別相位偵測是否在90度,若相位不在90度時,一直重復(fù)執(zhí)行判別直至相位在90度為止,若相位在90度時,執(zhí)行啟動第一組開關(guān)陣列進行循序多點能量沖擊測試;執(zhí)行啟動第二組開關(guān)陣列進行測試電容器放電,使測試電容器的電壓為零,并一直重復(fù)執(zhí)行判別是否執(zhí)行負溫度系數(shù)熱敏電阻進料,直至未進料時,回到能量沖擊測試系統(tǒng)。
16、如權(quán)利要求15所述的電子元件能量沖擊測試方法,其特征是:其中該測試參數(shù)設(shè)定步驟包含可程序控制卡初始設(shè)定、非破壞性多點能量沖擊測試參數(shù)設(shè)定、及定位校正。
17、如權(quán)利要求12所述的電子元件能量沖擊測試方法,其特征是:其中該破壞性電子元件測試模式及非破壞性電子元件測試模式適用于負溫度系數(shù)熱敏電阻。
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