[發明專利]一種小晶粒Y型沸石及其制備方法有效
| 申請號： | 01115622.8 | 申請日： | 2001-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN1382632A | 公開（公告）日： | 2002-12-04 |
| 發明（設計）人： | 王鵬;杜軍;達志堅 | 申請（專利權）人： | 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油化工科學研究院 |
| 主分類號： | C01B39/24 | 分類號： | C01B39/24 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 徐舒,龐立志 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶粒 型沸石 及其 制備 方法 | ||
1.一種小晶粒Y型沸石，其特征在于，該沸石的晶胞常數為24.25-24.5埃，結晶保留度至少為75％。
2.根據權利要求1所述的沸石，其特征在于，所述沸石的平均顆粒直徑為0.1-0.8微米。
3.根據權利要求2所述的沸石，其特征在于，所述沸石的平均顆粒直徑為0.1-0.5微米。
4.根據權利要求1所述的沸石，其特征在于，所述沸石的晶胞常數為24.3-24.5埃，所述沸石的結晶保留度為80-95％。
5.權利要求1所述小晶粒Y型沸石的制備方法，該方法包括將含四氯化硅的干燥氣體與一種原料Y型沸石接觸，洗滌得到的產物，其特征在于，所述原料Y型沸石是一種晶胞常數大于24.5埃至24.7埃水含量不大于10重％的小晶粒Y型沸石，所述含四氯化硅的干燥氣體中的水含量不高于1000微克水/克氣體，接觸溫度為160-300℃，接觸時間為20分鐘至10小時，四氯化硅與沸石的重量比為0.1-0.8，所述晶胞常數大于24.5埃至24.7埃水含量不大于10重％的小晶粒Y型沸石的制備方法包括將水含量高于10重％的晶胞常數大于24.5埃至24.7埃的小晶粒Y型沸石在150-350℃的溫度下干燥至少0.5小時。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述原料Y型沸石的水含量不大于8重％。
7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶胞常數大于24.5埃至24.7埃水含量不大于10重％的小晶粒Y型沸石的制備方法包括將水含量高于10重％的晶胞常數大于24.5埃至24.7埃的小晶粒Y型沸石在200-300℃的溫度下干燥0.5-10小時。
8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述含四氯化硅的干燥氣體中水含量不高于600微克水/克氣體。
9.根據權利要求5或8所述的方法，其特征在于，所述干燥氣體指干燥空氣或氮氣。
10.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述含四氯化硅的干燥氣體與沸石的接觸溫度為170-250℃，接觸時間為30分鐘至5小時。
11.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述四氯化硅與沸石的重量比為0.2-0.6。
12.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，該方法還包括一個銨離子交換過程，所述銨離子交換過程包括將與四氯化硅接觸后的固體產物與一種含銨離子的水溶液接觸，接觸的溫度為60-90℃，接觸時間為0.2-2小時，液固重量比為10-20，含銨離子的水溶液中銨離子的濃度為0.3-2摩爾/升。
13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述接觸溫度為75-90℃，接觸時間為0.5-1.5小時，液固重量比為10-15，含銨離子水溶液中銨離子的濃度為0.5-2摩爾/升。
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