[發(fā)明專利]芯片封裝焊接用錫球的制造方法

無效

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• 申請日: 2001-05-11
• 公開（公告）號: CN1320959A
• 公開（公告）日: 2001-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃清池
• 申請（專利權(quán)）人: 黃清池
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/48;H01L21/50
• 代理公司: 山東省專利事務(wù)所
• 代理人: 馬耀文

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片封裝焊接用錫球的生產(chǎn)方法。

目前，社會上大都采用噴霧式生產(chǎn)制造錫球的方法，即將事先確定的錫原料置于熔器中熔化成錫液再經(jīng)噴射裝置噴射成粒狀后再將其粒狀錫料加工成錫球而成。這種方法雖可制成所需錫球，但由于該方法本身所至，存在有制作方法復(fù)雜、原料消耗大、產(chǎn)成品率低的不可克服的缺陷。

本發(fā)明的任務(wù)在于提供一種產(chǎn)成品率高，產(chǎn)品質(zhì)量好，原料消耗少、制造方法簡單的非噴霧式錫球制造方法。

本發(fā)明的任務(wù)是以如下技術(shù)方案實現(xiàn)的：本發(fā)明芯片封裝焊接用錫球的制造方法，主要按以下步驟依次完成：裁切、球體成形、球體定形、清洗和防氧化處理、烘干、篩選、防氧化包裝，其特征在于：

1)裁切：將帶狀或絲狀錫料裁切成與成品錫球重量相同的長度；

2)球體成形：將裁切好的焊料均勻分散后送入充滿有溫度為250℃-270℃的植物甘油的容器中，使其在植物甘油中受熱至臨界液滴狀態(tài)下成形為球形體錫料；

3)球體定形：將液滴狀態(tài)下的球形體錫料送入充滿有溫度為160℃-180℃的植物甘油的容器中，使其在植物甘油中以其物理慣性自由下落，在該下落過程中不規(guī)則的球形體錫料表面張力不斷得均衡而形成真圓球體狀錫球，將成形后的錫球送入充滿有溫度為20℃-30℃的植物甘油的容器中，冷卻至室溫狀態(tài)，使其定形為真圓錫球；

4)清洗和防氧處理：將定形后的錫球送入加有0.5-1％防氧化劑的工業(yè)乙醇清洗劑的呈45度角的清洗罐中，在每分鐘30-50轉(zhuǎn)、每間隔5分鐘返向運轉(zhuǎn)一次的條件下清洗30分鐘；

5)烘干：將清洗防氧化處理后的錫球送入烘干設(shè)備中在90℃-150℃條件下烘干5-10分鐘；

6)篩選：將烘干后的錫球送入篩選機(jī)中將符合質(zhì)量要求的錫球篩選出來，

7)防氧化包裝：將篩選后合格的錫球置入抽真空并充有1-3kg/米²氮氣的包裝瓶內(nèi)封裝。

本發(fā)明由于采用了上述技術(shù)方案，具有以下明顯特點：一是本發(fā)明上述方法中所述裁切、球體成形、球體定形步驟可通過專門設(shè)計的設(shè)備連續(xù)完成，所以與現(xiàn)有技術(shù)相比具有制造方法簡單的特點，二是由于采用了根據(jù)實際需要的錫球的重量裁切并加溫成形的技術(shù)方案，所以具有原料消耗少、產(chǎn)成品率高的特點，三是由于采用了在加溫后的植物甘油中以其物理慣性下落的方式實現(xiàn)成形和定形的技術(shù)方案，所以具有產(chǎn)成品質(zhì)量好的特點。綜上所述可有效的實現(xiàn)本發(fā)明的任務(wù)。

以下將根據(jù)實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。

實施例1

1)裁切：將卷狀錫絲裁切成與成品錫球重量相同長度的錫料；

2)成形：將錫料從容器上口送入充滿有溫度為260℃的植物甘油的容器中，該容器內(nèi)腔深度為900-1200mm，(其深度根據(jù)實際錫料的重量確定)，錫料自上而下在其植物甘油中以其慣性運動，錫料運動過程中受熱至臨界液滴狀態(tài)并逐步形成球形體錫料，

3)球體定形：將成形的球形體錫料，從容器上口送入充滿有溫度為170℃的植物甘油容器中，該容器內(nèi)腔深度為900-1200mm(其深度根據(jù)實際錫料的重量確定)，球形體錫料在其植物甘油中以其物理慣性自由下落，在下落過程中逐步形成真圓球體狀錫球，將成形后的錫球送入充滿有溫度為25℃的植物甘油的容器中，冷卻至室溫狀態(tài)，使其定形為真圓錫球，

4)本實施例一中的清洗和防氧化處理、烘干、篩選、包裝步驟與本發(fā)明技術(shù)方案中所述的方法相同，本發(fā)明還可列出更多的實施例，所有實施例的方法均和本發(fā)明所述的技術(shù)方案相同，所不同的一是裁切長度應(yīng)根據(jù)所制造的錫球的重量確定，二是成形步驟中植物甘油的溫度和深度應(yīng)滿足錫料受熱處于臨界液滴狀態(tài)并形成球形狀；三是定形步驟中植物甘油的溫度和深度應(yīng)滿足成形后的錫球在植物甘油中自由下落時能形成真圓球狀體錫球。