[發(fā)明專利]芯片封裝焊接用錫球的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 01114941.8 | 申請日: | 2001-05-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1320959A | 公開(公告)日: | 2001-11-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃清池 | 申請(專利權(quán))人: | 黃清池 |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60;H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司: | 山東省專利事務(wù)所 | 代理人: | 馬耀文 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 封裝 焊接 用錫球 制造 方法 | ||
1、一種芯片封裝焊接用錫球的制造方法,其特征在于它按以下步驟依次完成:裁切、球體成形、球體定形、清洗和防氧化處理、烘干、篩選、防氧化包裝。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于:所述的裁切步驟是將帶狀或絲狀錫料裁切成與成品錫球重量相同的長度。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于:所述的球體成形步驟是將裁切好的焊料均勻分散后送入充滿有溫度為250℃-270℃的植物甘油的容器中,使其在植物甘油中受熱至臨界液滴狀態(tài)下成形為球形體錫料;
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于:所述的球體定形步驟是將液滴狀態(tài)下的球形體錫料送入充滿有溫度為160℃-180℃的植物甘油的容器中,使其在植物甘油中以其物理慣性自由下落,在該下落過程中不規(guī)則的球形體錫料表面張力不斷得均衡而形成真圓球體狀錫球,將成形后的錫球送入充滿有溫度為20℃-30℃的植物甘油的容器中,冷卻至室溫狀態(tài),使其定形為真圓錫球;
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于:所述的清洗和防氧化處理步驟是將定形后的錫球送入加有0.5-1%防氧化劑的工業(yè)乙醇清洗劑的呈45度角的清洗罐中,在每分鐘30-50轉(zhuǎn)、每間隔5分鐘返向運(yùn)轉(zhuǎn)一次的條件下清洗30分鐘;
6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于:所述的烘干步驟是將清洗防氧化處理后的錫球送入烘干設(shè)備中在90℃-150℃條件下烘干5-10分鐘;
7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于:所述的篩選步驟是將烘干后的錫球送入篩選機(jī)中將符合質(zhì)量要求的錫球篩選出來,對(duì)于不符合質(zhì)量要求的錫球可按上述方法重新加工而成;
8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于:所述的防氧化包裝步驟是將篩選后合格的錫球置入抽真空并充有1-3kg/米2氮?dú)獾陌b瓶內(nèi)封裝。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于黃清池,未經(jīng)黃清池許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/01114941.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:層析分離方法
- 下一篇:一種商品編碼防偽認(rèn)證方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





