[發(fā)明專利]噴墨頭芯片

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01112133.5
• 申請(qǐng)日: 2001-03-26
• 公開（公告）號(hào): CN1376580A
• 公開（公告）日: 2002-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林富山;周沁怡;張英倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 研能科技股份有限公司
• 主分類號(hào): B41J2/14
• 分類號(hào): B41J2/14
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 任永武

1.一種噴墨頭芯片，其特征在于：在基板上形成一熱障層，于所述熱障層上為一電阻材質(zhì)的多晶硅層，所述多晶硅層分為二區(qū)域，第一區(qū)域?yàn)轭A(yù)計(jì)形成加熱板的電阻區(qū)(層)，而第二區(qū)域?yàn)槎嗑Ч鑼油ㄟ^(guò)摻雜(Doping)后所形成的第一導(dǎo)電區(qū)(層)，第一導(dǎo)電區(qū)(層)與電阻區(qū)(層)均由同一多晶硅層所形成，兩者呈平整共存相接態(tài)；于芯片的第一導(dǎo)電區(qū)(層)與電阻區(qū)(層)的共存層上形成有保護(hù)層。

2.如權(quán)利要求1所述的噴墨頭芯片，其特征在于，所述機(jī)基板為一硅基板。

3.如權(quán)利要求1所述的噴墨頭芯片，其特征在于，所述熱障層為一二氧化硅(SiO₂)層。

4.如權(quán)利要求1所述的噴墨頭芯片，其特征在于，形成多晶硅層是以CVD或其他同效性加工方式形成。

5.如權(quán)利要求1所述的噴墨頭芯片，其特征在于，多晶硅層用同性質(zhì)的電阻材質(zhì)取代形成。

6.如權(quán)利要求1所述的噴墨頭芯片，其特征在于，所述保護(hù)層為一氮化硅(Si₃N₄)層。

7.如權(quán)利要求1所述的噴墨頭芯片，其特征在于，所述保護(hù)層為一碳化硅(SiC)層。

8.如權(quán)利要求1所述的噴墨頭芯片，其特征在于，所述保護(hù)層為一鉭(Ta)層。

9.如權(quán)利要求1所述的噴墨頭芯片，其特征在于，所述保護(hù)層為氮化硅(Si₃N₄)、碳化硅(SiC)、鉭(Ta)的混合層。

10.如權(quán)利要求1所述的噴墨頭芯片，其特征在于，VIA是采用VIA?Hole技術(shù)在保護(hù)層上以黃光、蝕刻的方式限定出來(lái)，于保護(hù)層的VIA上形成接著層與第二導(dǎo)電層，并以黃光、蝕刻的方式限定所需尺寸。

11.如權(quán)利要求9所述的噴墨頭芯片，其特征在于，接著層與第二導(dǎo)電層是以濺鍍或其他同效性方式形成。

12.如權(quán)利要求9所述的噴墨頭芯片，其特征在于，所述接著層為一鉭(Ta)層。

13.如權(quán)利要求9所述的噴墨頭芯片，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層為一鉭(Au)層。