[發明專利]使用源極偏壓執行非揮發性內存單元寫入動作的方法有效
| 申請號： | 01110482.1 | 申請日： | 2001-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN1380658A | 公開（公告）日： | 2002-11-20 |
| 發明（設計）人： | 陳益民;陳炳動 | 申請（專利權）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C7/00 | 分類號： | G11C7/00;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人： | 程偉 |
| 地址： | 中國*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 偏壓 執行 揮發性 內存 單元 寫入 動作 方法 | ||
1.一種使用源極偏壓執行非揮發性內存單元寫入動作的方法，其中該非揮發性內存單元在進行讀取及寫入時分別使用一基體讀取電壓值及一基體寫入電壓值，其特征是：該方法包括以下步驟：
改變該基體寫入電壓值，使改變后的該基體寫入電壓值與該基體讀取電壓值間的差值減小；
使用改變后的該基體寫入電壓值進行寫入。
2.如權利要求1所述的使用源極偏壓執行非揮發性內存單元寫入動作的方法，其特征是：該非揮發性記憶單元在進行讀取及寫入時還分別使用一柵極讀取電壓值、漏極讀取電壓值、源極讀取電壓值與門極寫入電壓值、漏極寫入電壓值、源極寫入電壓值。
3.如權利要求2所述的使用源極偏壓執行非揮發性內存單元寫入動作的方法，其特征是：還包括隨基體寫入電壓值的改變而改變該柵極寫入電壓值、漏極寫入電壓值及源極寫入電壓值。
4.如權利要求3所述的使用源極偏壓執行非揮發性內存單元寫入動作的方法，其特征是：以改變后的基體寫入電壓值為零，則改變后的該柵極寫入電壓值、漏極寫入電壓值、源極寫入電壓值分別為5~9V、3.8~6.3V、0.5~3V。
5.一種使用源極偏壓執行非揮發性內存單元寫入動作的方法，其中該非揮發性內存單元在進行讀取及寫入時分別使用一基體讀取電壓值及一基體寫入電壓值，其特征是：該方法包括以下步驟：
改變該基體寫入電壓值，使改變后的該基體寫入電壓值與該基體讀取電壓值相等；
使用改變后的該基體寫入電壓值進行寫入。
6.如權利要求5所述的使用源極偏壓執行非揮發性內存單元寫入動作的方法，其特征是：該非揮發性記憶單元在進行讀取及寫入時還分別使用一柵極讀取電壓值、漏極讀取電壓值、源極讀取電壓值與門極寫入電壓值、漏極寫入電壓值、源極寫入電壓值。
7.如權利要求6所述的使用源極偏壓執行非揮發性內存單元寫入動作的方法，其特征是：還包括隨基體寫入電壓值的改變而改變該柵極寫入電壓值、漏極寫入電壓值及源極寫入電壓值。
8.如權利要求3所述的使用源極偏壓執行非揮發性內存單元寫入動作的方法，其特征是：以改變后的基體寫入電壓值為零，則改變后的該柵極寫入電壓值、漏極寫入電壓值、源極寫入電壓值分別為5~9V、3.8~6.3V、0.5~3V。
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