[發(fā)明專利]適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路

無效

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• 申請日: 2001-04-09
• 公開（公告）號: CN1379474A
• 公開（公告）日: 2002-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林錫聰
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 程偉

1.一種適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，與一CMOS電路同設(shè)置于一半導(dǎo)體基底內(nèi)，該CMOS電路是分別經(jīng)由該第一電源供應(yīng)線與該第二電源供應(yīng)線提供第一電壓與第二電壓；其特征是：該閂鎖保護(hù)電路包括：

一第一型井區(qū)，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底內(nèi)，成一結(jié)介于其間；

一第一型擴(kuò)散區(qū)，用以連接該第一電源供應(yīng)線，設(shè)置于該第一型井區(qū)內(nèi)；

一第一第二型擴(kuò)散區(qū)，用以連接該第二電源供應(yīng)線，設(shè)置于該第一型井區(qū)內(nèi)，與該結(jié)間成一第一間距；以及

一第二第二型擴(kuò)散區(qū)，設(shè)置于該第一型井區(qū)內(nèi)連接至一第三電源供應(yīng)線，與該第一第二型擴(kuò)散區(qū)相隔小于該第一間距的一第二間距；

當(dāng)于電路操作時，該第一電壓與該第二電壓分別經(jīng)由該第一電源供應(yīng)線與該第二電源供應(yīng)線，使該第一型擴(kuò)散區(qū)與該第一第二型擴(kuò)散區(qū)間成逆向偏壓；當(dāng)于電源供應(yīng)過程中，若該第一電源供應(yīng)線的電位介于該第二電源供應(yīng)線電位與該第三電源供應(yīng)線電位間的范圍時，則于該第一第二型擴(kuò)散區(qū)與該第二第二型擴(kuò)散區(qū)之間導(dǎo)通一電流，減少該第一電源供應(yīng)線與該第二電源供應(yīng)線間的電位差。

2.如權(quán)利要求1所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：該第三電源供應(yīng)線為一接地電源供應(yīng)線。

3.如權(quán)利要求1所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：該第一第二型擴(kuò)散區(qū)是介于該第一型擴(kuò)散區(qū)和該第二第二型擴(kuò)散區(qū)之間。

4.如權(quán)利要求3所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：該第一第二型擴(kuò)散區(qū)是呈多個帶狀。

5.如權(quán)利要求4所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：這些帶狀擴(kuò)散區(qū)是對稱于該第一型擴(kuò)散區(qū)。

6.如權(quán)利要求3所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：該第一第二型擴(kuò)散區(qū)是呈環(huán)狀。

7.如權(quán)利要求6所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：該第一第二型擴(kuò)散區(qū)是對稱地環(huán)繞該第一型擴(kuò)散區(qū)。

8.如權(quán)利要求1所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：尚包括一第二型護(hù)環(huán)，形成于該半導(dǎo)體基底內(nèi)，介于該第一型井區(qū)與該CMOS電路之間。

9.如權(quán)利要求1所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：該第一型是n型，該第二型是p型。

10.如權(quán)利要求9所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：該第二電壓提供正電位。

11.如權(quán)利要求1所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：該第一型是p型，該第二型是n型。

12.如權(quán)利要求11所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：該第二電壓提供負(fù)電位。

13.如權(quán)利要求1所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：

?????????????????????X＜0.6Y；

其中，X為該第二間距，Y為該第一間距。

14.如權(quán)利要求1所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：該第二間距約略等于設(shè)計規(guī)范的最小特征尺寸。

15.如權(quán)利要求14所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：

??????????????????????X≤2L

其中，X為該第二間距，L為設(shè)計規(guī)范的最小特征尺寸。

16.如權(quán)利要求1所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：尚包括另一第一型擴(kuò)散區(qū)，設(shè)置于該第一型井區(qū)內(nèi)，耦接至該CMOS電路的一接觸區(qū)。

17.如權(quán)利要求16所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：尚包括一限流組件，連接于該另一第一型擴(kuò)散區(qū)和該接觸區(qū)之間。

18.如權(quán)利要求17所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：該限流組件是一電阻器。

19.如權(quán)利要求17所述的適用于多電源供應(yīng)集成電路的閂鎖保護(hù)電路，其特征是：該限流組件是一MOSFET組件。