[發明專利]適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管

無效

• 申請號: 01110109.1
• 申請日: 2001-03-23
• 公開（公告）號: CN1377094A
• 公開（公告）日: 2002-10-30
• 發明（設計）人: 俞大立
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L23/60
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 程偉

1.一種適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：包括：

一第一型半導體層；

一第二型擴散區，設置于該半導體層內；以及

一第二型摻雜區，設置于該半導體層內環繞該第二型擴散區邊緣，該第二型摻雜區具有較該第二型擴散區低的摻雜濃度，以提供一鎮流阻值。

2.如權利要求1所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：尚包括一閘極環，環繞著該擴散區、設置于該半導體層上。

3.如權利要求2所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：尚包括一間隔物，設置于該閘極環內側壁、覆于該摻雜區上。

4.如權利要求3所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：其中，該摻雜區具有較該擴散區淺的接面深度。

5.如權利要求1所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：其中，該摻雜區是一井區。

6.如權利要求5所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：其中，該摻雜區具有較該擴散區深的接面深度。

7.如權利要求1所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：其中，該第一型是P型，該第二型是N型。

8.如權利要求1所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：其中，該第一型是N型，該第二型是P型。

9.如權利要求1所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：尚包括設置于該第二型擴散區上的一金屬硅化層。

10.一種適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：包括：

一第一型半導體層；

一第二型擴散區，設置于該半導體層內；

一閘極環，環繞該第二型擴散區設置于該半導體層上；以及

一第二型摻雜區，設置于該半導體層內環繞該第二型擴散區邊緣，該第二型摻雜區具有較該第二型擴散區低的摻雜濃度，以提供一鎮流阻值。

11.如權利要求10所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：尚包括一間隔物，設置于該閘極環內側壁。

12.如權利要求11所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：其中，該摻雜區具有較該擴散區淺的接面深度。

13.如權利要求10所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：其中，該第一型是P型，該第二型是N型。

14.如權利要求10所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：其中，該第一型是N型，該第二型是P型。

15.如權利要求10所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：尚包括設置于該第二型擴散區上的一金屬硅化層。

16.一種適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：二極管結構，包括：

一第一型半導體層；

一第二型擴散區，設置于該半導體層內；以及

一第二型井區，設置于該半導體層內環繞該第二型擴散區邊緣，該第二型井區具有較該第二型擴散區低的摻雜濃度，以提供一鎮流阻值。????

17.如權利要求16所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：其中，該井區具有較該擴散區深的接面深度。

18.如權利要求16所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：其中，該第一型是P型，該第二型是N型。

19.如權利要求16所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：其中，該第一型是N型，該第二型是P型。

20.如權利要求16所述的適用于自動對準金屬硅化物工藝的二極管，其特征是：尚包括設置于該第二型擴散區上的一金屬硅化層。