[發明專利]適用于靜電放電防護的電壓控制元件及其保護電路

有效

• 申請號: 01109356.0
• 申請日: 2001-02-28
• 公開（公告）號: CN1373513A
• 公開（公告）日: 2002-10-09
• 發明（設計）人: 林耿立;柯明道
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 程偉

1.一種適用于靜電放電防護的電壓控制元件，其特征是：適用于一集成電路，耦合于一第一接合墊與一第二接合墊之間，當一工作電源供給該集成電路電源時，該防護元件呈現關閉狀態，當該工作電源不供給該集成電路電源時，該防護元件呈現保持導通狀態，可以釋放發生于該第一接合墊與該第二接合墊之間的一靜電放電事件所產生的電流。

2.如權利要求1所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件，其特征是：其中，該防護元件是受控于一偏壓產生器，于該工作電源供給該集成電路電源時，該偏壓產生器提供一預設電壓，以關閉該防護元件。

3.如權利要求1所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件，其特征是：其中，該防護元件是為一空乏式金氧半晶體管。

4.如權利要求3所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件，其特征是：其中，該空乏型金氧半晶體管是為—潛藏式通道元件。

5.如權利要求3所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件，其特征是：其中，該空乏型金氧半晶體管是為一表面式通道元件。

6.如權利要求3所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件，其特征是：其中，該空乏型金氧半晶體管是為一N型空乏式金氧半晶體管。

7.如權利要求3所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件，其特征是：其中，該空乏型金氧半晶體管是為一P型空乏式金氧半晶體管。

8.一種適用于靜電放電防護的電壓控制元件的保護電路，其特征是：連接于一第一接合墊以及一第二接合墊之間，包含有：

一靜電放電防護元件，連接于該第一接合墊以及該第二接合墊之間；以及

一偏壓產生器，當一工作電源提供該集成電路電源時，用以控制該靜電防護元件呈現關閉狀態；

其中，當該工作電源沒提供該集成電路時，該靜電防護元件為開啟狀態，可以釋放發生于該第一接合墊與該第二接合墊之間的—靜電放電事件所產生的電流。

9.如權利要求8項所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件的保護電路，其特征是：其中，該靜電放電防護電路是為一初級靜電放電防護電路，直接連接于該第一接合墊與該第二接合墊之間。

10.如權利要求8項所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件的保護電路，其特征是：其中，該靜電放電防護電路是為一次級DSD防護電路：通過一電阻，連接至該第一接合墊。

11.如權利要求8項所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件的保護電路，其特征是：其中，該靜電放電防護元件是為一空乏式金氧半晶體管。

12.如權利要求11項所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件的保護電路，其特征是：其中，該空乏型金氧半晶體管是為一潛藏式通道元件。

13.如權利要求項11所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件的保護電路，其特征是：其中，該空乏型金氧半晶體管是為一表面式通道元件。

14.如權利要求11項所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件的保護電路，其特征是：其中，該空乏型金氧半晶體管是為一N型空乏式金氧半晶體管。

15.如權利要求14項所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件的保護電路，其特征是：其中，于該工作電源供給該集成電路電源時，該偏壓產生器提供一預設負電壓予該N型空乏式金氧半晶體管的一柵極，以關閉該N型空乏式金氧半晶體管。

16.如權利要求11項所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件的保護電路，其特征是：其中，該空乏型金氧半晶體管是為一P型空乏式MOS。

17.如權利要求16項所述的適用于靜電放電防護的電壓控制元件的保護電路，其特征是：其中，于該工作電源供給該集成電路電源時，該偏壓產生器提供一預設正電壓予該P型空乏式金氧半晶體管的一柵極，以關閉該P型空乏式金氧半晶體管。