[發明專利]金屬基座半導體

無效

• 申請號: 01109339.0
• 申請日: 2001-02-28
• 公開（公告）號: CN1373509A
• 公開（公告）日: 2002-10-09
• 發明（設計）人: 陳坤忠
• 申請（專利權）人: 訊利電業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽寧,顧紅霞

1.一種金屬基座半導體，其特征在于其包括有：

一基座，其具有耐高溫、熱傳導體的板體，其在設定位置設有一槽座及一定位座；

一絕緣層，其具有耐高溫的電絕源材質、附著于該基座的表面，并形成適當厚度穩固結合；

一導電接線，其具有良好導體，該導電接線連接該定位座的周邊；

一晶片元件，其是套置于該基座的定位座、接觸該絕緣層，該晶片元件的導線對應該導電接線相連通；

藉由上述結構，該基座、絕緣層一體結合成耐高溫構造，該晶片元件固定于該定位座、并接觸該絕緣層，其可供特殊高溫烘烤處理穩固結合，且使用時可快速散熱。

2.根據權利要求1所述的金屬基座半導體，其特征在于所述基座為鋁材質，其表面以陽極處理形成硬氧皮層的絕緣層。

3.根據權利要求1所述的金屬基座半導體，其特征在于所述導電接線以銅材質濺鍍于該絕緣層。