[發明專利]電子槍及使用該電子槍的彩色陰極射線管

無效

• 申請號: 01104729.1
• 申請日: 2001-02-19
• 公開（公告）號: CN1313627A
• 公開（公告）日: 2001-09-19
• 發明（設計）人: 權容杰;尹榮晙;金德鎬;李良濟;尹光珍
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01J29/48
• 分類號: H01J29/48;H01J29/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 鄭建暉,黃力行

本發明涉及彩色陰極射線管，尤其涉及具有能改善偏轉(散焦或像差)或彗差的改進的屏蔽杯的電子槍，以及使用該電子槍的彩色陰極射線管。

圖1示出了采用自會聚偏轉軛的陰極射線管，該陰極射線管用于電視機和監視器。如圖1所示，彩色陰極射線管10包括：具有熒光屏11的面板12，在熒光屏內側上設有點或帶狀圖案的紅、綠和藍熒光材料；錐體13，其包括頸部13a和錐部13b并緊固到面板12上；電子槍20，其容納在錐體13的頸部13a內；以及偏轉軛15，其貫穿錐體13的錐部13b，用于偏轉從電子槍20發射出來的電子束。

如圖2所示，電子槍20包括三個排成直線的陰極21，與陰極21隔開預定距離且具有三個排成直線的電子束通道的多個電極22，末級加速電極23，以及安裝到末級加速電極23上的屏蔽杯24。

在具有這種結構的彩色陰極射線管10中，電子槍20發射的三個電子束經偏轉軛15被選擇性地偏轉并落在熒光屏11上，激發熒光材料，從而顯示圖象。

在這個過程中，使電子槍20發射的電子束偏轉的偏轉磁場由枕形水平偏轉磁場HB和桶形垂直偏轉磁場VB組成，如圖3所示，使得它能將三束排成直線的光束會聚到熒光屏11上而沒有動態會聚。但是，如圖4所示，由偏轉軛形成的磁場的磁通密度在水平方向上從中心向邊緣增大，這樣，三個電子束(R,G和B電子束)中兩端的紅(R)和藍(B)電子束的橫截面被扭曲。換言之，如圖5所示，R和B電子束受到偏轉軛枕形磁場HB帶來的箭頭方向的力的作用，在R和B電子束周圍出現暈圈現象。在R和B電子束中出現的暈圈現象朝熒光屏的邊緣變差，如圖6所示。因此，落在熒光屏邊緣上的電子束量級改變。電子束的暈圈現象和電子束橫截面的不均勻性降低了通過激發熒光屏而形成的圖象清晰度。

日本專利公報No.4-52586、日本專利特開昭No.51-61766、日本專利特開昭No.51-64368和日本專利公報No.10-116569公開了減少彗差問題的電子槍的例子。

根據所公開的工藝結構，使三個電子束的路徑變窄的上下扁平電極布置在直線型電子槍的屏蔽杯的底面上，從而與電子束的直線方向平行且朝主透鏡或熒光屏延伸。或者，將電子槍設計成使得靜電四級透鏡形成在一些電極之間，靜電四級透鏡的強度隨對應于電子束之偏轉的偏轉信號而變化，從而實現整個屏幕上圖象的均勻性。在另一個例子中，在形成預聚焦透鏡的各電極之間的區域內設置像散透鏡，從而在整個熒光屏上實現電子束橫截面的均勻性。在另一個例子中，使電子槍的第一和第二電極的電子束通道具有不同的寬高比，從而防止落在熒光屏中心和邊緣上的電子束扭曲。

日本專利公報No.10-116570公開了一種校正電子束偏轉的結構，其中磁片部分地布置在形成電子槍的電極中，電子槍安裝在陰極射線管的頸部中，磁場產生裝置布置在頸部的外表面上，從而產生與偏轉信號同步的磁場并激勵磁片。

美國專利No.5,912,530公開了一種利用偏轉磁場校正偏轉的結構，其中左右磁片布置在發射三束成直線的電子束的電子槍的其中一個電極中，磁片布置在中央電子束和邊緣電子束之間。

美國專利No.5,818,156公開了一種校正偏轉的結構，其中將磁性材料附著到偏轉磁場內屏蔽電極中每個側面電子束通道的上、下部分上。

如上所述，當與提供給偏轉軛的信號同步地變換電子束通道的形狀或改變電子透鏡的放大率以利用偏轉磁場校正電子束的偏轉時，制造電子槍和控制電子束是很難的。此外，當將磁片成直線附著到布置在屏蔽杯底面上的每個電子束通道兩側并附著在電子束通道之間時，磁片形狀的復雜性由于部件形狀造成過度分散并導致難以組裝，從而阻礙生產率的提高。

為了解決上述問題，本發明的目的是提供一種直線型電子槍和使用電子槍的彩色陰極射線管，用于減少由于偏轉軛磁場不均勻造成的偏轉(散焦或像差)或彗差并減小由于排成直線的側面電子束偏轉造成的壓差，從而改善整個熒光屏上圖象的清晰度。

因此，為了實現本發明的以上目的，在第一方面，提供一種用于彩色陰極射線管的電子槍。電子槍包括排成直線的陰極；多個電極，從陰極開始順序布置且具有使三個電子束通過的電子束通道；屏蔽杯，它與多個電極中的最后一個電極耦合，并設有排成直線的電子束通道；以及至少一個彗差校正部分(coma?correction?portion)，其布置在屏蔽杯上或多個電極中的一個或多個電極上，其布置的方式是使彗差校正部分定位在中央電子束通道中心和側面電子束通道中心之間的空間的上方和下方。