[發明專利]電子槍及使用該電子槍的彩色陰極射線管

無效

• 申請號: 01104729.1
• 申請日: 2001-02-19
• 公開（公告）號: CN1313627A
• 公開（公告）日: 2001-09-19
• 發明（設計）人: 權容杰;尹榮晙;金德鎬;李良濟;尹光珍
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01J29/48
• 分類號: H01J29/48;H01J29/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 鄭建暉,黃力行

1．一種彩色陰極射線管的電子槍，所述電子槍包括：排成直線的陰極；多個電極，其從陰極開始順序布置且具有使三個電子束通過的電子束通道；屏蔽杯，其與多個電極中的最后一個電極耦合，并設有排成直線的電子束通道；以及彗差校正部分，其布置在屏蔽杯上或多個電極中的一個或多個電極上，布置的方式是使彗差校正部分定位在中央電子束通道中心和側面電子束通道中心之間的空間的上方和下方。

2．根據權利要求1的電子槍，其特征在于，彗差校正部分包含多個附著到屏蔽杯底面上的磁片。

3．根據權利要求2的電子槍，其特征在于，磁片為圓盤形狀或多邊形形狀，磁片的直徑大于等于1mm且小于等于4mm，磁片的厚度大于等于0.1mm且小于等于2.0mm。

4．根據權利要求2的電子槍，其特征在于，在朝著中央電子束通道的方向上，每個磁片的中心與排成直線的三個電子束通道中任一個側面電子束通道的中心隔開大于等于0.5mm且小于等于3.0mm，在與三個電子束通道排列方向垂直的方向上，每個磁片的中心與任一個側面電子束通道的中心隔開大于等于2.5mm且小于等于4.5mm。

5．根據權利要求1的電子槍，其特征在于，構成彗差校正部分的磁片由具有30-75％鎳成分的材料制成。

6．根據權利要求1的電子槍，其特征在于，構成彗差校正部分的磁片由具有42或72％鎳成分的材料制成。

7．根據權利要求1的電子槍，其特征在于，通過彗差校正部分形成的磁場分布是相對于于屏蔽杯或電極上電子束通道的直線排列方向對稱的。

8．一種彩色陰極射線管的電子槍，所述電子槍包括：排成直線的三個陰極，一個控制電極，一個屏幕電極，多個從屏幕電極開始順序布置并形成輔助透鏡和主透鏡的聚焦電極，末級加速電極，與末級加速電極耦合且設有三個排成直線的電子束通道的屏蔽杯，以及包含至少一對布置在屏蔽杯上或多個聚焦電極中一個電極上的磁片的彗差校正部分，布置的方式是使磁片的中心定位于形成在控制電極和屏幕電極上的三個電子束通道中的中央電子束通道中心和側面電子束通道中心之間的空間上方和下方。

9．根據權利要求8的電子槍，其特征在于，彗差校正部分包含多個附著到屏蔽杯底面上的磁片。

10．根據權利要求9的電子槍，其特征在于，磁片為圓盤形狀或多邊形形狀，磁片的直徑大于等于1mm且小于等于4mm，磁片的厚度大于等于0.1mm且小于等于2.0mm。

11．根據權利要求9的電子槍，其特征在于，在朝著中央電子束通道的方向上，每個磁片的中心與排成直線的三個電子束通道中任一個側面電子束通道的中心隔開大于等于0.5mm且小于等于3.0mm，在與三個電子束通道排列方向垂直的方向上，每個磁片的中心與任一個側面電子束通道的中心隔開大于等于2.5mm且小于等于4.5mm。

12．根據權利要求8的電子槍，其特征在于，構成彗差校正部分的磁片由具有30-75％鎳成分的材料制成。

13．根據權利要求8的電子槍，其特征在于，通過彗差校正部分形成的磁場分布是相對于屏蔽杯或電極上電子束通道的直線排列方向對稱的。

14．一種彩色陰極射線管的電子槍，所述電子槍包括：排成直線的三個陰極；從陰極開始順序布置的控制電極和屏幕電極；從屏幕電極開始順序布置的多個聚焦電極，與偏轉信號同步向其施加動態聚焦電壓，由此形成四級透鏡；與聚焦電極相鄰布置并形成主透鏡的末級加速電極；與末級加速電極耦合并設有排成直線的三個電子束通道的屏蔽杯；以及至少一對布置在屏蔽杯或多個聚焦電極中的一個電極上的磁片，布置方式是使磁片定位于形成在控制電極、屏幕電極和屏蔽杯上的三個電子束通道中的中央電子束通道中心和側面電子束通道中心之間的空間上方和下方。

15．根據權利要求14的電子槍，其特征在于，彗差校正部分包含多個附著到屏蔽杯底面上的磁片。

16．根據權利要求15的電子槍，其特征在于，磁片為圓盤形狀或多邊形形狀，磁片的直徑大于等于1mm且小于等于4mm，磁片的厚度大于等于0.1mm且小于等于2.0mm。