[發明專利]具抗靜電效應的光罩

無效

• 申請號: 01104345.8
• 申請日: 2001-02-27
• 公開（公告）號: CN1372321A
• 公開（公告）日: 2002-10-02
• 發明（設計）人: 徐震球;鐘振輝;林義雄
• 申請（專利權）人: 矽統科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60;H05F3/04
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 過曉東

本發明涉及一種具抗靜電效應的光罩，特別是涉及一種通過由涂布一層具微導電性與透光性的高分子聚合物于光罩上以避免電路圖案被靜電放電效應破壞的光罩。

圖1是熟知光罩的剖面圖，其基座是由一平坦且透明的二氧化硅玻璃10所構成。半導體電路圖案是在該玻璃10的表面覆上一層厚度約數百埃()的鉻膜11而成。有時，加工工程師亦會在該鉻膜11的表面再加上一層氧化鉻膜12，以防止該鉻膜11在曝光時的反射現象。

在光罩使用的過程中，靜電荷會隨著使用時間的增加而累積在光罩的圖案表面上。當累積的靜電荷達到一定程度時，就必須找尋一個釋放的管道。在此情況之下，靜電荷通常會由光罩上相鄰兩圖案的尖角之間，尤其是較大型的圖案尖角間，以點對點尖端放電的方式來達到釋放靜電的效果，例如圖1的相鄰兩圖案的鉻膜11會產生一靜電放電效應(ESD)。且不幸的是，在電放電瞬間將產生一足夠大的熱能而破壞電路圖案，而使加工合格率下降。嚴重的話，甚至將造成光罩的損毀。

上述的尖端放電現象在光罩加工演進至更窄的線寬(line?width)時，其情形將更加嚴重。

熟知的解決方式，是在光罩20上任兩圖案最接近的尖端處以一細小的導線21相連通，如圖2所示，并再連接至一接地端(圖未示出)，以避免靜電的累積而導致一尖端放電現象。但該作法的缺點為該導線21在曝光時可能會連同鉻膜11的圖案一起在光阻上形成一潛影，而在顯影時出現。其結果將造成半導體圖案的改變，而導致加工的失敗。

本發明的目的是提供一具抗靜電效應的光罩，以避免因靜電累積而導致一尖端放電現象且因此而損毀光罩。

為克服熟知技藝的缺點并達成上述目的，本發明提供一種具抗靜電效應的光罩，包含一基座、一鉻膜及一高分子聚合物層。該鉻膜位于該基座表面，用于表示電路圖案。該高分子聚合物層涂布于該基座及鉻膜的表面，具有透光性及微導電性。

通過涂布該高分子聚合物于該光罩的表面，可使該光罩不致因靜電放電效應而損毀。

本發明將參照后附圖形來說明，其中：

圖1是熟知光罩的剖面圖；?

圖2是熟知光罩的正視圖；

圖3是本發明的具抗靜電效應的光罩的剖面圖；及

圖4是本發明的具抗靜電效應的光罩的正視圖。

元件符號說明

10二氧化硅玻璃??11鉻膜

12氧化鉻膜?20光罩

21導線??30基座

31鉻膜??32氧化鉻膜

33導電高分子聚合物??40光罩

圖3是本發明的具抗靜電效應的光罩的剖面圖，由下至上依序包含一個基座(例如為二氧化硅玻璃)30、一鉻膜31、一個氧化鉻層32與一導電高分子聚合物層33。

該鉻膜31是于該基座30的表面覆上一層厚度約數百個埃()的鉻金屬而成，且是作為半導體電路的圖案。該氧化鉻膜32可選擇性地加入，以防止該鉻膜31在曝光時的反射現象。該高分子聚合物層32是本發明的技術特征之一，其目的是作以防止光罩上的相鄰圖案間產生一靜電放電效應而損毀電路圖案。該高分子聚合物層32是本發明的技術特征之一，其目的是用以防止光罩上的相鄰圖案間產生一靜電放電效應而損毀電路圖案。該高分子聚合物層32的材料必須是透光性的，以使光源能夠順利通過該光罩40而完成曝光。且該高分子聚合物必須具有輕微的導電性，使靜電荷在該光罩40表面累積之前就被分散開來，而不致聚積在某些特定區域而造成以后的放電現象。只要使用的高分子聚合物的導電度過高，則整個光罩40會變成一導體，仍然不適用于微影加工中。故本發明所使用的高分子聚合物的導電度約介于每厘米50至2000S(西門子每厘米)即可，故例如聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯硫醚以及聚呋喃等材料都可被利用。另一些可以使用的材料可于C&EN.1990年12月3日第36-54頁，作者為Mercourl?G.Kanatzidls，標題為“導電聚合物”的著作內找到，本發明對此并未有任何限制。

圖4為本發明的具抗靜電效應的光罩正視圖。如圖所示，光罩40上具有所需的電路和圖案，且電路圖案的上涂布一透光的導電高分子聚合物層33以達到分散靜電荷的效果，且該導電高分子聚合層33的存在并不會對曝光或后續的顯影加工造成任何的影響。

本發明的技術內容及技術特點已公開如上，然而熟悉本項技術的人士仍可能基于本發明的教示及公開而作種種不背離本發明精神的替換及改進。因此，本發明的保護范圍應不限于實施例所公開者，而應包括各種不背離本發明的替換及改進，并為以下的 所涵蓋。