[發明專利]光電子裝置及其制造方法無效
| 申請號: | 01102322.8 | 申請日: | 2001-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN1316780A | 公開(公告)日: | 2001-10-10 |
| 發明(設計)人: | 中西秀行;鶴田徹;平野龍馬 | 申請(專利權)人: | 松下電子工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/00;H01L23/02;H01L23/50;H01S5/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 黃永奎 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電子 裝置 及其 制造 方法 | ||
本發明涉及一種光電子裝置及其制造方法,特別是涉及一種在樹脂封裝外殼上裝載的光電子元件由光學部件封裝的光電子裝置及其制造方法。
作為光電子元件,可例舉出發光半導體元件的半導體激光元件和感光半導體元件。在美國專利第5,748,658中,公開了作為裝載有半導體激光元件和感光半導體元件的光電子裝置,半導體激光裝置、集光裝置以及光盤裝置等。其結構如圖7的(a)和(b)所示。圖7的(a)和(b)為表示上述的結構以及剖面的圖解。但在圖7(a)中省略了圖7(b)中所示的光學部件92。
圖中所示裝置,是在樹脂封裝外殼90內裝載的半導體激光元件70具有用光學部件92封裝的結構。樹脂封裝外殼90由以絕緣材料組成的框架91,和包括芯片裝載部74的引線框架73和保護板79組成。半導體激光元件70,通過散熱用硅基板71裝載在芯片裝載部74上。封裝裝載半導體激光芯片70的樹脂封裝外殼90的光學部件92是光學平板或全息光學部件。而且,在圖中還出示了放熱板77和信號處理電路75。
而且,在特開平8-288594號公報和特開平7-183414號公報中記述了通過在由具有臺階的框架組成的樹脂封裝外殼上用紫外線固化型的膠粘劑把全息圖光學部件裝載固定,封裝半導體激光芯片的半導體激光裝置。
在上述以往的光電子裝置以及其的制造方法中,出示了以下的課題。
伴隨著光盤裝置等大容量化和小型化等,對于用于包含在這些裝置內集光裝置心臟部的半導體激光裝置的光學部件,迫切地要求它的復合化和小型化。這種光學部件是衍射光柵、棱鏡和全息圖元件等,由膠粘劑固定在裝載有半導體激光裝置的封裝外殼上。而且,該封裝外殼為與半導體激光裝置和光盤裝置等的光學位置對合,具有與圓筒內壁接觸,為旋轉調整而設置的導向壁(圖7中的符號89)。近幾年來,隨著光電子裝置的小型化,光學部件(圖7中的符號92)的外圍部與導向壁(89)內壁間隙的距離越來越小。這個間隙,是提供給膠粘劑的粘接部,由于間隙變窄,使得把光學部件裝載在封裝外殼上之后向粘接部(間隙)提供膠粘劑變得困難。
特別是,使用批量生產用制造裝置的噴嘴提供膠粘劑的方法,很難把噴嘴放入狹窄間隙的粘接部,所以,不能向粘接部充分導入和設置噴嘴。因此,不能在光學部件必要的部分涂覆膠粘劑,其結果,會產生不能在封裝外殼上對光學部件進行氣密性良好的固定。
而且,還會在光學部件的上部和封裝外殼的周圍邊緣部等不是連接部的地方涂上不需要的膠粘劑,產生光學特性和封裝外殼的機械尺寸不好的問題。例如,如果在封裝外殼導向壁的外周部涂上膠粘劑,當以該外周部的尺寸為基準進行對位時,與其他制造裝置等配合時就會產生位置對合不良,用處理機抓不住的情況。
而且,還會發生為了向狹窄的粘接部全體廣范圍地提供膠粘劑,在膠粘劑到達粘接部之前在光學部件外圍部與導向壁間堆積而產生氣泡,不能充分進行粘接的問題。
本發明鑒于這些問題而提出,其目的在于,提供一種能夠容易地供給膠粘劑的光電子裝置以及它的制造方法。
本發明的光電子裝置,具有光電子元件、裝載所述光電子元件的裝載部、圍繞在所述裝載部周圍的框架、光學部件;所述光學部件裝載在靠近所述框架上面中的所述裝載部并位于框架內周的光學部件放置部上;所述框架具有在與所述框架上面中的所述內周部相比處于外周一側的外周部的一部分中,對面設置有一對第1側壁,和在所述外周部中設置的所述一對第1側壁部分以外部分上,對面設置有一對第2側壁;所述一對第2側壁分別具有在所述第2側壁的內側壁上形成的切口部和在形成所述切口部部分以外的所述內壁一側形成的凸部;所述光學部件分別設置在所述一對第2側壁的所述凸部之間,并且由填充在所述第2側壁的所述切口部的膠粘劑固定。
所述裝載部,是引線框架的芯片襯墊,所述第1側壁、所述第2側壁、所述光學部件放置部以及所述框架,用樹脂一體成形是理想的。
所述第2側壁的所述凸部向外壁一側傾斜,并且所述光學部件側面的外壁向內側傾斜是理想的。
所述第2側壁的高度比所述第1側壁的高度高,所述第2側壁的的外壁為圓弧狀,并且向內側傾斜是理想的。
在所述第2側壁和所述第1側壁合流的合流部附近的所述第1側壁上,設置有切口部是理想的。
所述第2側壁的所述切口部和所述第1側壁的所述側壁切口部設置為幾乎沿1個方向是理想的。
所述第1側壁比所述光學部件的長邊一側的長度長,并延長至所述第2側壁的所述切口部是理想的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





