[發明專利]光電子裝置及其制造方法無效
| 申請號: | 01102322.8 | 申請日: | 2001-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN1316780A | 公開(公告)日: | 2001-10-10 |
| 發明(設計)人: | 中西秀行;鶴田徹;平野龍馬 | 申請(專利權)人: | 松下電子工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/00;H01L23/02;H01L23/50;H01S5/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 黃永奎 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電子 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種光電子裝置,其特征在于,具有光電子元件、裝載所述光電子元件的裝載部、圍繞在所述裝載部周圍的框架和光學部件;所述光學部件,裝載在靠近所述框架上面中的所述裝載部并位于框架內周的光學部件放置部上;所述框架具有一對第1側壁和第2側壁,所述第1側壁在與所述框架上面中的所述內周部相比處于外周一側的外周部的一部分中對面設置,而所述第2側壁則在所述外周部中設置的與所述一對第1側壁部分以外部分對面設置;所述一對第2側壁,具有分別在第2側壁內壁一側形成的切口部,和在形成所述切口部部分以外的所述內壁一側形成的凸部;所述光學部件設置在所述一對第2側壁的分別的所述凸部之間,并且,由填充在所述第2側壁的所述切口部的膠粘劑固定。
2.按照權利要求1所述的光電子裝置,其特征在于,所述裝載部,為引線框架的芯片襯墊,所述第1側壁、所述第2側壁、所述光學部件放置部以及所述框架,由樹脂一體成形。
3.按照權利要求1所述的光電子裝置,其特征在于,所述第2側壁的所述凸部,向外壁一側傾斜,并且,所述光學部件側面的外壁向內側傾斜。
4.按照權利要求1所述的光電子裝置,其特征在于,所述第2側壁的高度,比所述第1側壁的高度高,所述第2側壁的外壁為圓弧狀,并且向內壁一側傾斜。
5.按照權利要求1所述的光電子裝置,其特征在于,在所述第2側壁與所述第1側壁合流的合流部附近的所述第1側壁上,設置有側壁切口部。
6.按照權利要求5所述的光電子裝置,其特征在于,所述第2側壁的所述切口部與所述第1側壁的所述側壁切口部設置為大致沿一個方向。
7.按照權利要求5所述的光電子裝置,其特征在于,所述第1側壁,比所述光學部件長邊一側的長度長,并延長到所述第2側壁的所述切口部。
8.按照權利要求1所述的光電子裝置,其特征在于,所述光學部件,比所述第2側壁高,并且,所述光學部件的寬度,比所述第2側壁的寬度窄。
9.按照權利要求1所述的光電子裝置,其特征在于,所述膠粘劑是紫外線固化膠粘劑。
10.一種光電子裝置的制造方法,其特征在于,包括:(a)對具有裝載光電子元件的裝載部的部件進行準備工序;(b)對于圍繞在所述裝載部的周圍的框架形成具有在與所述框架上面中的所述內周部相比處于外周一側的外周部的一部分中,對面設置的一對第1側壁,和在所述外周部之中設置的所述一對第1側壁部分以外的部分上對面設置的一對第2側壁,和在所述第2側壁的內側壁上形成的切口部,和在形成所述切口部分以外的所述內壁一側形成的凸部的框架的工序;(c)在所述裝載部裝載光電子元件工序;(d)在所述框架的所述光學部件放置部上放置所述光學部件工序;(e)使用為供給膠粘劑的噴嘴,向所述切口供給所述膠粘劑,使所述光學部件固定在所述光學部件放置部上的工序。
11.按照權利要求10所述的光電子裝置的制造方法,其特征在于,在所述工序(a)中,對作為包括裝載所述光電子元件的裝載部的部件,即包括多數芯片襯墊的引線框架的準備,所述工序(b)包括:把所述引線框架放入帶有頂出桿的模具內的工序;在所述模具中用樹脂成形所述框架的工序;用所述頂出桿把所述框架的所述凸部頂出,從所述模具中取出所述框架的工序。
12.按照權利要求10所述的光電子裝置的制造方法,其特征在于,在所述工序(e)中,所述噴嘴沿所述切口部對所述切口部的上方進行掃描。
13.按照權利要求10所述的光電子裝置的制造方法,其特征在于,所述工序(d),包括由紫外線固化膠粘劑將所述光學部件半固定后,對所述光學部件與所述光電子元件的光學位置進行對合的工序。
14.按照權利要求13所述的光電子裝置的制造方法,其特征在于,所述工序(e)包括在把作為所述膠粘劑的紫外線固化膠粘劑供給所述切口之后,使所述紫外線固化膠粘劑固化進行固定的工序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





