[發(fā)明專利]薄膜磁頭用滑動器的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01101358.3
• 申請日: 2001-01-02
• 公開（公告）號: CN1310441A
• 公開（公告）日: 2001-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 佐佐木芳高
• 申請（專利權(quán)）人: TDK株式會社
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39;G11B5/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,王忠忠

本發(fā)明涉及具有與記錄媒體相對的媒體對置面和配置在媒體對置面附近的薄膜磁頭元件的薄膜磁頭用滑動器的制造方法。

近年來，伴隨硬盤裝置的面記錄密度的提高，要求提高薄膜磁頭的性能。作為薄膜磁頭，廣泛使用復(fù)合型薄膜磁頭，該復(fù)合型薄膜磁頭將具有寫入用的感應(yīng)式電磁變換元件的記錄頭和具有讀出用的磁阻(以下又稱作MR(Magnetoresistive))元件的重放頭層疊后構(gòu)成。作為MR元件，有利用各向異性磁阻(以下又稱作AMR(AnisotrpicMagnetoresistive))效應(yīng)的AMR元件和使用巨大磁阻(以下又稱作GMR(Giant?Magnetoresistive))效應(yīng)的GMR元件，使用了AMR元件的重放頭稱作AMR頭或單稱作MR頭。AMR頭用來作為記錄面密度超過1G比特/(英寸)2的重放頭，GMR頭用來作為記錄面密度超過3G比特/(英寸)²的重放頭。近年來，幾乎都使用GMR頭。

作為提高重放頭性能的方法，有將MR膜變成AMR膜至GMR膜等的磁阻靈敏度高的材料的方法和優(yōu)化MR膜的圖形寬度、即重放磁道寬度和MR高度等方法。MR高度是只從MR空氣軸承面一側(cè)的端部到相反一側(cè)的端部的長度(高度)。此外，空氣軸承面是指薄膜磁頭的與磁記錄媒體相對的面。

另一方面，伴隨重放頭性能的提高，也要求提高記錄頭的性能。為了提高記錄頭的性能中的面記錄密度，有必要提高記錄磁道密度。為此，有必要實現(xiàn)窄磁道結(jié)構(gòu)的記錄頭，使將記錄間隙層夾在中間在其上下形成的下部磁極和上部磁極的空氣軸承面的寬度為幾微米到亞微米量級。上述寬度是決定記錄頭的性能的主要因素之一。為了達到上述窄磁道結(jié)構(gòu)，使用了半導(dǎo)體加工技術(shù)。此外，作為決定記錄頭性能的其它因素，有圖形寬度、特別有喉部高度(Throat?Height)。喉部高度是指2個磁極層經(jīng)記錄間隙層對置的部分、即磁極部分的從空氣軸承面的端部到相反一側(cè)的端部的長度(高度)。為了提高記錄頭的性能，希望縮小喉部高度。該喉部高度由空氣軸承面加工時的研磨量決定。

這樣，為了提高薄膜磁頭的性能，使記錄頭和重放頭平衡地形成很重要。

作為可實現(xiàn)高密度記錄的薄膜磁頭所要求的條件，對于重放頭來說，有縮小重放磁道寬度、增加重放輸出和降低噪聲等，對于記錄頭來說，有縮小記錄磁道、提高作為在已對記錄媒體寫入數(shù)據(jù)的區(qū)域重疊寫入數(shù)據(jù)時的特性的重寫特性、和提高非線性過渡偏移(Non-linear?transition?shift)特性等。

硬盤裝置等使用的浮動型薄膜磁頭一般利用由在后端部形成了薄膜磁頭元件的滑動器構(gòu)成?；瑒悠骼靡蛴涗浢襟w旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的空氣流使其浮在記錄媒體的表面。

這里，參照圖23A到圖26A、圖23B到圖26B和圖27說明相關(guān)技術(shù)的薄膜磁頭元件的制造方法的一個例子。再有，圖23A到圖26A表示與空氣軸承面垂直的截面，圖23B到圖26B表示與磁極部分的空氣軸承面平行的截面。

在該制造方法中，首先，如圖23A和圖23B所示，例如，在由氧化鋁·碳化鈦(Al₂O₃·TiC)形成的基板101上，淀積形成例如厚度約5～10μm左右的由氧化鋁(Al₂O₃)形成的絕緣層102。其次，在絕緣層102上形成由磁性材料形成的重放頭用的下部屏蔽層103。

其次，在下部屏蔽層103上例如利用濺射形成例如厚度為100～200nm。由氧化鋁等絕緣材料形成的下部屏蔽間隙膜104。其次，在下部屏蔽間隙膜104上，形成厚度為幾十nm的重放用MR元件105。其次，在下部屏蔽間隙膜104上，形成一對與MR元件105電連接的電極層106。

其次，在下部屏蔽間隙膜104、MR元件105和電極層106的上面，例如利用濺射形成由氧化鋁等絕緣材料形成的上部屏蔽間隙膜107，并將MR元件105埋設(shè)在屏蔽間隙膜104、107內(nèi)。

其次，在上部屏蔽間隙膜107的上面，形成由磁性材料構(gòu)成的重放頭和記錄頭這二者用的約3μm厚的上部屏蔽層兼下部磁極層(以下記作下部磁極層)108。