[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體集成電路的存儲(chǔ)器修復(fù)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01101353.2
• 申請(qǐng)日: 2001-01-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1332459A
• 公開(kāi)（公告）日: 2002-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山本誠(chéng)二;后藤宏二;岡本泰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G11C29/00
• 分類(lèi)號(hào): G11C29/00;H01L27/10;G01R31/28
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,王忠忠

本發(fā)明涉及具備多個(gè)存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體集成電路的存儲(chǔ)器修復(fù)方法和記錄了使計(jì)算機(jī)執(zhí)行該方法的程序的計(jì)算機(jī)能讀取的記錄媒體，特別是涉及使成品率得到提高的半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體集成電路的存儲(chǔ)器修復(fù)方法和記錄了使計(jì)算機(jī)執(zhí)行該方法的程序的計(jì)算機(jī)能讀取的記錄媒體。

近年來(lái)，半導(dǎo)體集成電路的高集成化、大規(guī)模化得到進(jìn)展，提供了安裝多個(gè)存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體集成電路。圖18是示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的圖。現(xiàn)有的半導(dǎo)體集成電路(LSI)200具備多個(gè)存儲(chǔ)器(RAM)201以及測(cè)試塊和設(shè)計(jì)塊202。測(cè)試塊是測(cè)試多個(gè)RAM201的不良檢測(cè)的電路，設(shè)計(jì)塊是使用多個(gè)RAM201完成LSI200的功能的電路。

但是，按照上述現(xiàn)有技術(shù)，由于不能修復(fù)已安裝的存儲(chǔ)器，故在某一個(gè)存儲(chǔ)器變成不良的情況下，存在半導(dǎo)體集成電路整體成為不良、成品率下降的問(wèn)題。特別是，在半導(dǎo)體集成電路中安裝的存儲(chǔ)器越多，半導(dǎo)體集成電路的某一個(gè)存儲(chǔ)器變成不良的概率越高，成品率的下降越大。

本發(fā)明是鑒于上述的問(wèn)題來(lái)進(jìn)行的，其目的在于得到一種使成品率得到提高的半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體集成電路的存儲(chǔ)器修復(fù)方法。

為了解決上述問(wèn)題、達(dá)到所希望的目的，在本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路中，特征在于，具備：多個(gè)存儲(chǔ)器；補(bǔ)充用的存儲(chǔ)器；第1測(cè)試裝置，測(cè)試上述多個(gè)存儲(chǔ)器的不良檢測(cè)；以及補(bǔ)充控制裝置，根據(jù)與上述第1測(cè)試裝置進(jìn)行的測(cè)試結(jié)果對(duì)應(yīng)的補(bǔ)充控制信號(hào)，與在上述多個(gè)存儲(chǔ)器中被檢測(cè)出不良的存儲(chǔ)器相對(duì)應(yīng)，補(bǔ)充上述補(bǔ)充用的存儲(chǔ)器。

按照本發(fā)明，第1測(cè)試裝置進(jìn)行檢測(cè)出多個(gè)存儲(chǔ)器的不良的測(cè)試，補(bǔ)充控制裝置根據(jù)與第1測(cè)試裝置進(jìn)行的測(cè)試結(jié)果對(duì)應(yīng)的補(bǔ)充控制信號(hào)，與在多個(gè)存儲(chǔ)器中被檢測(cè)出的不良的存儲(chǔ)器相對(duì)應(yīng)，補(bǔ)充補(bǔ)充用的存儲(chǔ)器。由此，即使某一個(gè)存儲(chǔ)器變成不良，作為半導(dǎo)體集成電路的整體，也能正常地發(fā)揮其功能。

在本發(fā)明的下一個(gè)方面的半導(dǎo)體集成電路中，特征在于：上述多個(gè)存儲(chǔ)器設(shè)定一系列的移位順序，上述補(bǔ)充用的存儲(chǔ)器被設(shè)定在上述移位順序的最后級(jí)，上述補(bǔ)充控制裝置對(duì)于從被檢測(cè)出不良的存儲(chǔ)器的下一級(jí)開(kāi)始到上述補(bǔ)充用的存儲(chǔ)器為止的存儲(chǔ)器，進(jìn)行使被檢測(cè)出不良的存儲(chǔ)器得到補(bǔ)充的移位。

按照本發(fā)明，補(bǔ)充控制裝置對(duì)于從被檢測(cè)出不良的存儲(chǔ)器的下一級(jí)開(kāi)始到補(bǔ)充用的存儲(chǔ)器為止的存儲(chǔ)器，進(jìn)行使被檢測(cè)出不良的存儲(chǔ)器得到補(bǔ)充的移位。由此，可減少各存儲(chǔ)器間的偏斜(skew)。

在本發(fā)明的下一個(gè)方面的半導(dǎo)體集成電路中，特征在于：與上述補(bǔ)充控制裝置進(jìn)行的移位順序相對(duì)應(yīng)，連續(xù)地配置了上述各存儲(chǔ)器。

按照本發(fā)明，與補(bǔ)充控制裝置進(jìn)行的移位順序相對(duì)應(yīng)，連續(xù)地配置了各存儲(chǔ)器。由此，可減少各存儲(chǔ)器間的偏斜。

在本發(fā)明的下一個(gè)方面的半導(dǎo)體集成電路中，特征在于：上述第1測(cè)試裝置具備進(jìn)行同時(shí)測(cè)試上述多個(gè)存儲(chǔ)器的自診斷的控制的自診斷控制裝置。

按照本發(fā)明，自診斷控制裝置進(jìn)行同時(shí)測(cè)試上述多個(gè)存儲(chǔ)器的自診斷。由此，可同時(shí)測(cè)試半導(dǎo)體集成電路本身的多個(gè)存儲(chǔ)器。

在本發(fā)明的下一個(gè)方面的半導(dǎo)體集成電路中，特征在于：還具備測(cè)試上述第1測(cè)試裝置的不良檢測(cè)的第2測(cè)試裝置。

按照本發(fā)明，第2測(cè)試裝置測(cè)試第1測(cè)試裝置的不良檢測(cè)。由此，可提高由第1測(cè)試裝置進(jìn)行的測(cè)試的可靠性。

在本發(fā)明的下一個(gè)方面的半導(dǎo)體集成電路中，特征在于：還具備將上述第1測(cè)試裝置進(jìn)行的測(cè)試用的時(shí)鐘信號(hào)倍增到規(guī)定的頻率的倍增裝置，上述第1測(cè)試裝置使用上述倍增裝置已倍增的時(shí)鐘信號(hào)來(lái)進(jìn)行實(shí)際工作和/或加速工作容限的測(cè)試。

按照本發(fā)明，倍增裝置將第1測(cè)試裝置進(jìn)行的測(cè)試用的時(shí)鐘信號(hào)倍增到規(guī)定的頻率，第1測(cè)試裝置使用倍增裝置已倍增的時(shí)鐘信號(hào)來(lái)進(jìn)行實(shí)際工作和/或加速工作容限的測(cè)試。由此，可進(jìn)行更詳細(xì)的測(cè)試。

在本發(fā)明的下一個(gè)方面的半導(dǎo)體集成電路中，特征在于：還具備根據(jù)上述第1測(cè)試裝置的測(cè)試結(jié)果自動(dòng)地生成上述補(bǔ)充控制信號(hào)的補(bǔ)充控制信號(hào)生成裝置。

按照本發(fā)明，補(bǔ)充控制信號(hào)生成裝置根據(jù)第1測(cè)試裝置的測(cè)試結(jié)果自動(dòng)地生成補(bǔ)充控制信號(hào)。由此，可在半導(dǎo)體集成電路的內(nèi)部自動(dòng)地生成補(bǔ)充控制信號(hào)。

在本發(fā)明的下一個(gè)方面的半導(dǎo)體集成電路中，特征在于：上述多個(gè)存儲(chǔ)器由多種存儲(chǔ)器構(gòu)成，對(duì)于上述多種存儲(chǔ)器共同地設(shè)置了上述第1測(cè)試裝置。

按照本發(fā)明，對(duì)于多種存儲(chǔ)器共同地設(shè)置了第1測(cè)試裝置。由此，可防止電路面積的增大。

在本發(fā)明的下一個(gè)方面的半導(dǎo)體集成電路中，特征在于：在上述多個(gè)存儲(chǔ)器上分散地配置了上述補(bǔ)充控制裝置。