[發明專利]半導體集成電路、半導體集成電路的存儲器修復方法無效
| 申請號: | 01101353.2 | 申請日: | 2001-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN1332459A | 公開(公告)日: | 2002-01-23 |
| 發明(設計)人: | 山本誠二;后藤宏二;岡本泰 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | G11C29/00 | 分類號: | G11C29/00;H01L27/10;G01R31/28 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 楊凱,王忠忠 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 集成電路 存儲器 修復 方法 | ||
1.一種半導體集成電路,其特征在于,具備:
多個存儲器;
補充用的存儲器;
第1測試裝置,測試上述多個存儲器的不良檢測;以及
補充控制裝置,根據與上述第1測試裝置進行的測試結果對應的補充控制信號,與在上述多個存儲器中被檢測出不良的存儲器相對應,補充上述補充用的存儲器。
2.如權利要求1中所述的半導體集成電路,其特征在于:
對上述多個存儲器設定一系列的移位順序,
上述補充用的存儲器被設定在上述移位順序的最后級,
上述補充控制裝置對于從被檢測出不良的存儲器的下一級開始到上述補充用的存儲器為止的存儲器,進行使被檢測出不良的存儲器得到補充的移位。
3.如權利要求2中所述的半導體集成電路,其特征在于:
與上述補充控制裝置進行的移位順序相對應,連續地配置了上述各存儲器。
4.如權利要求1中所述的半導體集成電路,其特征在于:
上述第1測試裝置具備進行同時測試上述多個存儲器的自診斷的控制的自診斷控制裝置。
5.如權利要求1中所述的半導體集成電路,其特征在于:
還具備測試上述第1測試裝置的不良檢測的第2測試裝置。
6.如權利要求1中所述的半導體集成電路,其特征在于:
還具備將上述第1測試裝置進行的測試用的時鐘信號倍增到規定的頻率的倍增裝置,
上述第1測試裝置使用上述倍增裝置已倍增的時鐘信號來進行實際工作和/或加速工作容限的測試。
7.如權利要求1中所述的半導體集成電路,其特征在于:
還具備根據上述第1測試裝置的測試結果自動地生成上述補充控制信號的補充控制信號生成裝置。
8.如權利要求1中所述的半導體集成電路,其特征在于:
上述多個存儲器由多種存儲器構成,對于上述多種存儲器共同地設置了上述第1測試裝置。
9.如權利要求1中所述的半導體集成電路,其特征在于:
在上述多個存儲器上分散地配置了上述補充控制裝置。
10.一種具備多個存儲器和補充用的存儲器的半導體集成電路的存儲器修復方法,其特征在于,包括下述步驟:
第1測試步驟,測試上述多個存儲器的不良檢測;以及
補充控制步驟,根據與上述第1測試步驟進行的測試結果對應的補充控制信號,與在上述多個存儲器中被檢測出不良的存儲器相對應,補充上述補充用的存儲器。
11.如權利要求10中所述的半導體集成電路的存儲器修復方法,其特征在于:
對上述多個存儲器設定一系列的移位順序,
上述補充用的存儲器被設定在上述移位順序的最后級,
在上述補充控制步驟中,對于從被檢測出不良的存儲器的下一級開始到上述補充用的存儲器為止的存儲器,進行使被檢測出不良的存儲器得到補充的移位。
12.如權利要求10中所述的半導體集成電路的存儲器修復方法,其特征在于:
在上述第1測試步驟中,進行同時測試上述多個存儲器的自診斷的控制。
13.如權利要求10中所述的半導體集成電路的存儲器修復方法,其特征在于:
包括進行判定是否能正常地進行上述第1步驟的測試的第2測試步驟。
14.如權利要求10中所述的半導體集成電路的存儲器修復方法,其特征在于:
在上述第1測試步驟中,將上述測試用的時鐘信號倍增到規定的頻率,進行實際工作和/或加速工作容限的測試。
15.一種計算機能讀取的記錄媒體,其特征在于:
記錄了使計算機執行上述權利要求10~14的任一項中所述的方法的程序。
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