[發(fā)明專利]靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00809871.9
• 申請日: 2000-04-26
• 公開（公告）號: CN1379913A
• 公開（公告）日: 2002-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: T·舒爾茨;G·恩德爾斯;L·里施;D·維德曼
• 申請（專利權(quán)）人: 西門子公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王岳,張志醒

1.一種SRAM單元，它包含：

半導(dǎo)體本體；

垂直延伸在半導(dǎo)體本體內(nèi)的多個電互連的成對雙柵CMOS晶體管。

2.一種SRAM單元，它包含：

半導(dǎo)體本體；

多個電互連的成對雙柵CMOS晶體管，每一個晶體管具有其垂直延伸在半導(dǎo)體本體內(nèi)的源、漏、和柵溝道。

3.一種SRAM陣列，它包含：

多個排列成行和列的SRAM單元，每一個單元具有連接到字線接觸的字線，此字線接觸被相鄰的4個單元共用。

4.一種SRAM陣列，它包含：

多個排列成行和列的SRAM單元，每一個單元具有多個安排來提供SRAM電路的電互連的MOS晶體管，每一個單元具有VDD接觸和VSS接觸，這種接觸中的一個被排列在每一個單元的中心，而另一個接觸被單元中相鄰的4個單元共用。

5.權(quán)利要求4所述的SRAM陣列，其中每一個單元具有連接到字線接觸的字線，此字線接觸被單元中相鄰的4個單元共用。

6.權(quán)利要求5所述的SRAM陣列，其中每一個單元具有所述接觸中的一個公共接觸和排列在單元周邊角落區(qū)的字線接觸。

7.一種SRAM陣列，它包含：

多個排列成行和列的SRAM單元，每一個單元具有多個安排來提供SRAM電路的電互連的MOS晶體管，每一個單元具有VDD接觸和VSS接觸，這種接觸中的一個被成對的晶體管共用。

8.權(quán)利要求7所述的SRAM陣列，其中一個被成對晶體管共用的接觸，被置于在單元的中心。

9.一種SRAM單元，它包含：

多個電互連的MOS晶體管，這種晶體管包含：

(i)排列在源區(qū)與漏區(qū)之間的柵溝道區(qū)，這種區(qū)域被排列在本體中，并垂直延伸在本體表面下方；

(ii)成對的介電層，其每一個被排列在柵溝道區(qū)成對的相反表面部分的相應(yīng)的一個上；以及

(iii)成對的柵電極，其每一個被排列在成對介電層的相應(yīng)的一個上。

10.一種SRAM單元，它包含：

多個電互連的成對MOS晶體管，各個對具有：

(a)排列在源區(qū)與漏區(qū)之間的柵溝道區(qū)，這種區(qū)域被垂直延伸在本體表面下方的公共區(qū)域水平分隔開；

(b)多個介電層，其每一個被排列在每個成對柵溝道區(qū)的相反表面部分上；

(c)多個柵電極導(dǎo)電區(qū)，其第一個被排列在多個介電層的相應(yīng)的一個上。

11.權(quán)利要求10所述的SRAM單元，其中多個柵導(dǎo)體區(qū)之一被排列在公共區(qū)中，并為成對的晶體管提供公共的柵導(dǎo)體區(qū)。

12.一種SRAM單元，它包含：

多個電互連的成對的MOS晶體管、成對的晶體管，每個對具有：

排列在源區(qū)與漏區(qū)之間的柵溝道區(qū)，這種區(qū)域被垂直延伸在本體表面下方的公共區(qū)域水平分隔開；

多個介電層，其每一個被排列在每個成對柵溝道區(qū)的相反表面部分上；

多個柵電極導(dǎo)電區(qū)，其第一個被排列在多個介電層的相應(yīng)的一個上；

水平延伸在半導(dǎo)體本體表面下方的絕緣層，這種絕緣層被排列在成對晶體管下方。

13.權(quán)利要求12所述的SRAM單元，其中多個柵導(dǎo)體區(qū)之一被排列在公共區(qū)中，并為成對的晶體管提供公共的柵導(dǎo)體區(qū)。

14.權(quán)利要求12所述的SRAM單元，其中成對的晶體管是CMOS晶體管。

15.權(quán)利要求13所述的SRAM單元，其中成對的晶體管是CMOS晶體管。