[發明專利]工藝

無效

• 申請號: 00807782.7
• 申請日: 2000-05-17
• 公開（公告）號: CN1357111A
• 公開（公告）日: 2002-07-03
• 發明（設計）人: O·阿克塞爾松;C·奧洛夫松;A·莫根斯特杰尼;G·漢松;H·約翰尼松;J·H·阿登克杰爾－拉森
• 申請（專利權）人: 尼科梅德成像有限公司
• 主分類號: G01R33/28
• 分類號: G01R33/28;C07C69/675;C07C67/303;A61K49/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 劉元金,王其灝

1.一種磁共振(MR)造影劑的制備工藝，該工藝包括：

i)得到一種可氫化不飽和底物化合物與一種用來氫化該底物化合物的催化劑在溶劑中的溶液；

ii)將所述溶液以液滴形式導入含有氫氣(H₂)的室中，該氫氣富集有仲氫(p-¹H₂)和/或正氘(o-²H₂)，從而氫化所述底物以形成一種氫化成像劑；

iii)任選地，將所述氫化成像劑置于磁場強度低于地球周圍磁場強度的磁場中；

iv)任選地，將所述成像劑溶解于一種水介質中；

v)任選地，將所述催化劑從所述成像劑在所述水介質中的溶液中分離出來；

vi)任選地，將所述溶劑從所述成像劑在所述水介質中的溶液中分離出來；以及

vii)任選地，冷凍所述成像劑在所述水介質中的溶液。

2.如權利要求1所要求的工藝，其中步驟(iii)中的所述磁場強度小于50μT。

3.如權利要求1所要求的工藝，其中步驟(iii)中的所述磁場強度小于1μT。

4.如權利要求1所要求的工藝，其中步驟(iii)中的所述磁場強度小于或等于0.1μT。

5.如權利要求1所要求的工藝，其中步驟(iii)中的所述磁場強度按從地球周圍的場強到低于0.1μT的場強，然后又回到地球周圍場強的方式循環。

6.如權利要求5所要求的工藝，其中，循環的第一部分所需時間為≤1毫秒量級，第二部分所需時間為10-10000毫秒量級。

7.前述的權利要求中任何一項所要求的工藝，其中所述工藝直接在水中進行，并且其中所述底物和所述催化劑都是水溶性的。

8.一種氫化設備，它包括帶有一個液體出料口的氫化室，該出料口與一根導管相通，此導管通向液滴發生器的進料口，再連接到溶劑除去室，

所述氫化室帶有一個氫氣進料口及一個帶有另一個液滴發生器的溶液進料口，

所述導管包括一個位于所述氫化室與所述溶劑除去室之間的催化劑除去室，且帶有一個液體進料口，所述溶劑除去室帶有一個氣體出料口和一個液體出料口。

9.如權利要求8所要求的設備，其中所述氫化設備還帶有磁屏蔽，使得至少部分所述氫化室內和/或至少部分所述導管內的磁場的強度＜50μT。

10.如權利要求9所要求的設備，其中所述磁場的強度為＜1μT。

11.如權利要求9所要求的設備，其中所述磁場的強度為＜0.1μT。

12.如權利要求8-11中任何一項所要求的設備，其中在所述氫化室與所述催化劑除去室之間，所述導管裝備有一個液體進料口。

13.一種制備氨基酸、醫藥品或活體診斷試劑的工藝，其特征在于所述工藝包括一個氫化步驟，其中，底物與氫化催化劑的溶液被噴霧進入含有氫的室中。