[發(fā)明專利]輻射探測器和一種用在平面束射線照相中的設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00807425.9
• 申請日: 2000-03-30
• 公開（公告）號: CN1350645A
• 公開（公告）日: 2002-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 湯姆·弗蘭克;弗拉蒂米爾·帕斯科夫;克里斯特·烏爾伯格
• 申請（專利權(quán)）人: 埃克斯康特爾股份公司
• 主分類號: G01T1/185
• 分類號: G01T1/185;H01J47/02
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所
• 代理人: 馮譜

1.一種用于電離輻射的探測的探測器，包括：

一個腔室，填充有一種電離氣體，

第一和第二電極裝置，提供在所述腔室中，在它們之間有一個空間，所述空間包括一個轉(zhuǎn)換和漂移體積，

用于電子雪崩放大的裝置，布置在所述腔室中，及

至少一個讀出元件裝置，用于探測電子雪崩，

該探測器的特征在于：

提供一個輻射進口，從而輻射進入在第一與第二電極裝置之間的轉(zhuǎn)換體積，

第一和第二電極裝置呈現(xiàn)一個第一和第二主平面，所述平面是非平行的，

用于電子雪崩放大的裝置包括至少一個雪崩陰極裝置和至少一個雪崩陽極裝置，并且

在所述至少一個雪崩陰極裝置與至少一個雪崩陽極裝置之間提供用來生成用于電子雪崩放大的一個電場的裝置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測器，其中

布置用來在雪崩陰極裝置與雪崩陽極裝置之間提供一個基本均勻電場的裝置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的探測器，其中

第一電極裝置是一個第一陰極裝置，

第二電極裝置是一個第一陽極裝置，

第一陰極裝置由雪崩陰極裝置構(gòu)成，而第一陽極裝置由雪崩陽極裝置構(gòu)成，

雪崩陰極裝置和雪崩陽極裝置的至少一個劃分成相對于彼此電氣絕緣的多個電極元件，及

在每個雪崩陰極元件與雪崩陽極元件之間，施加一個電壓，以便在雪崩陰極裝置與雪崩陽極裝置之間生成一個基本均勻的電場。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測器，其中

第一電極裝置是一個第一陰極裝置，

第二電極裝置是一個第一陽極裝置，

一個導(dǎo)電網(wǎng)格形式的雪崩陰極裝置與第一陽極裝置平行地布置，

一個第一電壓施加在第一陰極裝置與第二陽極裝置之間，而一個第二電壓施加在雪崩陰極裝置與雪崩陽極裝置之間，以便生成一個在第一陰極裝置與雪崩陰極裝置之間的第一電場、和在用于電子雪崩放大的裝置中帶有集中電場的多個區(qū)域，其中集中電場基本上比第一電場強得多。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的探測器，其中

第二陽極裝置由雪崩陽極裝置構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的探測器，其中

用于電子雪崩放大的所述裝置包括多個雪崩區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或6所述的探測器，其中

所述至少一個雪崩陰極和所述至少一個雪崩陽極形成在一個介電基片的一個第一側(cè)，使一個隔離層在所述至少一個雪崩陰極與所述至少一個雪崩陽極之間，所述隔離層形成所述限制表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的探測器，其中

所述至少一個雪崩陰極和所述至少一個雪崩陽極包括導(dǎo)電帶條。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的探測器，其中

多個雪崩陰極和陽極交替地提供在所述基片上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的探測器，其中

所述雪崩陰極和所述雪崩陽極包括帶有基本上與入射輻射平行的縱向邊緣的導(dǎo)電帶條。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的探測器，其中

多個雪崩區(qū)域布置在所述至少一個雪崩陰極與所述至少一個雪崩陽極之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測器，其中

所述至少一個雪崩陰極形成在一個介電基片的一個第一側(cè)，而所述至少一個雪崩陽極形成在所述介電基片的一個第二側(cè)，

至少一個通道布置在所述至少一個雪崩陰極和所述介電基片中，并且所述至少一個雪崩陽極形成所述至少一個通道的一個壁。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測器，其中

所述至少一個雪崩陰極形成在一個介電基片的一個第一側(cè)，而所述至少一個雪崩陽極形成在所述介電基片的一個第二側(cè)，

至少一個通道布置在所述至少一個雪崩陰極、所述介電基片、及所述至少一個雪崩陽極中。

14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的探測器，其中

所述至少一個通道具有一個基本圓形的橫截面。

15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的探測器，其中

所述至少一個通道具有一個基本方形的橫截面，并且在介電基片的兩個相對邊緣之間延伸。