[發(fā)明專利]塑料芯片載具的無毛邊堡形通孔的制造方法和產(chǎn)品無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 00806923.9 | 申請(qǐng)日: | 2000-04-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1349659A | 公開(公告)日: | 2002-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 愛德華·黃;強(qiáng)尼·馬;史考特·陳;吳保羅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 耀文電子工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/12 | 分類號(hào): | H01L23/12;H01L23/50 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 李湘 |
| 地址: | 臺(tái)灣省桃園縣平*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 塑料 芯片 毛邊 堡形通孔 制造 方法 產(chǎn)品 | ||
相關(guān)申請(qǐng)
本申請(qǐng)案是根據(jù)1999年4月29日提出之臨時(shí)申請(qǐng)案號(hào)60/131,492名稱為“塑料芯片載體之無粗邊堡形(半圓柱形)通孔的制造方法和結(jié)構(gòu)”的案件。
發(fā)明領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種新和改進(jìn)之堡形通孔制造方法,該制造方法能夠防止因在傳統(tǒng)制造方法產(chǎn)生的毛邊和微塵顆粒而引起“電氣短路”和/或“電氣開路”的問題。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)上,無接腳芯片載具是以陶瓷材料和制造方法以及非常高的成本生產(chǎn)的。為了降低成本,塑料芯片載具被發(fā)展出來,作為這種陶瓷無接腳芯片載具的替代物,而這成本的節(jié)省大約是3對(duì)1之比例的降低。對(duì)于這種新的塑料載具,要能夠成為原有陶瓷的功能替代物應(yīng)注意到的一個(gè)重要特征是:能夠?qū)Π雸A柱形(堡形)之側(cè)面接觸腳,提供高品質(zhì)結(jié)構(gòu)和表面的精密加工,這種側(cè)面接觸腳是以挖出一個(gè)全圓柱形電鍍貫穿孔的一半來生成的。但是制造此類塑料芯片載具的現(xiàn)有技術(shù)很容易發(fā)生“毛邊”310的現(xiàn)象,這種現(xiàn)象引起很多問題,包括在制造后立即發(fā)生的電氣開路和短路,以及在該產(chǎn)品的使用壽命期間內(nèi)發(fā)生的電氣開路和短路。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之目的在于提供一種新和改進(jìn)的堡形通孔制造方法,該制造方法能夠預(yù)防由于在傳統(tǒng)制造方法里產(chǎn)生的毛邊和灰塵顆粒引起的電氣短路和開路問題。依照本發(fā)明,無接腳半導(dǎo)體芯片載具制造程序的毛邊和灰塵顆粒可以被減少到最低的程度、或被完全消除——這種制造程序包括將載具基底以鍍銅處理,形成一個(gè)鍍銅芯片載具基底,以及在該鍍銅芯片載具基底里挖出一個(gè)或多個(gè)溝槽。這種改進(jìn)包含:在挖掘一個(gè)或多個(gè)溝槽之前,先以一種厚度只有大約2微米至6微米之范圍內(nèi)的薄電鍍層進(jìn)行鍍銅處理,以防止發(fā)生毛邊。在挖出這些溝槽以后,接著以電鍍使銅的厚度加厚到達(dá)最終的厚度范圍以內(nèi),這種最終厚度較佳是在15至25微米之間。本制造方法的另一個(gè)特性是:一個(gè)保護(hù)性的覆蓋層,譬如在薄電鍍制造方法之后,涂布一種可用紫外線(UV)固化的油墨。該UV固化油墨層能夠?qū)Ρ°~層在挖掘期間提供保護(hù),并且在挖掘溝槽之后,就予以剝離或去除。該UV被覆層提供底部的支撐,并且防止薄銅層在挖掘溝槽期間被拉離而形成毛邊。
由此而產(chǎn)生一個(gè)無接腳半導(dǎo)體芯片載具,該載具表面有銅鍍層的基底,和一個(gè)或多個(gè)貫穿該銅鍍層與基底之機(jī)械挖掘溝槽,其中之改進(jìn)在于:鍍銅系由一個(gè)第一薄銅鍍層(具有一個(gè)約為2至6微米范圍內(nèi)之厚度)組成,且該薄銅層施加于機(jī)械挖溝之前;在機(jī)械挖掘溝槽之后,再施加至少一層較厚的銅質(zhì)被覆層,以便銅鍍層的厚度是較佳地大概為15微米至25微米之間。
附圖簡述
考慮以下說明和隨附圖式,本發(fā)明之以上和其它的目標(biāo)、優(yōu)點(diǎn)和特征將可變得更加明白。
圖1為一帶有鉆孔之基底核心材料之等角投影圖。
圖2為該基底的等角投影圖,說明該基材上面帶有銅被覆層。
圖3為該基底的等角投影圖,說明該基底上面已涂布有阻焊遮蔽層(solder?mask)。
圖4為一等角投影圖,說明帶有干膜開孔之鎳/金區(qū)域。
圖5為一等角投影圖,顯示一條用以挖掘溝槽之直線。
圖6A和圖6B為沿圖5挖掘線的剖面線剖切之剖面視圖和俯視圖。
圖7是一說明圖,顯示多個(gè)結(jié)合本發(fā)明之塑料芯片載具。
圖8是一個(gè)結(jié)合有本發(fā)明之塑料芯片載具的俯視圖。
圖9是該基底之仰視平面圖。
圖10是結(jié)合本發(fā)明之結(jié)構(gòu)與其角落部份的剖面輪廓之圖解說明圖。
圖11是一個(gè)結(jié)合有本發(fā)明之堡形芯片載具之部份等角投影圖。
圖12是一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)之說明圖,說明在傳統(tǒng)制造方法中的一些缺點(diǎn)。
圖號(hào)說明:
(110)開孔;(120)支撐板;(125)銅;(130)貫穿孔;(135)側(cè)面接觸腳;(140)銅;(150)鎳;(160)金;(170)阻焊遮蔽層;(210)溝槽;(220)塑料載具;(310)毛邊;(320)粉末狀灰塵顆粒;(330)側(cè)邊接觸。
實(shí)施發(fā)明的較佳方式
對(duì)現(xiàn)有技術(shù)作仔細(xì)觀察,便可以明白以上所討論造成現(xiàn)有技術(shù)之缺點(diǎn)的原因。
以下為遵循現(xiàn)有技術(shù)制造方法的典型步驟:
1.鉆削多個(gè)開孔110。
2.薄層覆蓋貫穿孔(PTH)130和銅140。利用蝕刻非電路區(qū)域上的銅材125和140之方式界定電路系統(tǒng)。
3.涂布阻焊遮蔽層170。
4.薄層覆蓋Ni/Au160(鎳150/金160)。
5.挖掘溝槽210。
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