[發明專利]防止由附加膜的受控破壞形成的侵蝕的帶集成電路的器件

無效

• 申請號: 00806378.8
• 申請日: 2000-04-19
• 公開（公告）號: CN1347535A
• 公開（公告）日: 2002-05-01
• 發明（設計）人: 比阿特麗斯·邦瓦洛特;羅伯特·萊迪爾
• 申請（專利權）人: 施藍姆伯格系統公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 肖鸝,陳小雯

??????????????????????技術領域

本發明涉及集成電路器件，其包括有源膜和固定在有源膜的一個有源面上的附加膜。本發明還涉及帶有這些器件的板、帶有多個這些器件的半導體材料的片段及制造這些器件的方法。

??????????????????????背景技術

上述集成電路器件在已經公開的國際申請WO-96/16378，WO97/11442和WO-99/12204中進行了詳細的描述。其它器件在于法國提交的專利申請FR-98/081305，FR-98/13029和FR-99/00858中進行了描述，上述專利申請在本發明優先權日之時還未公開。

這些器件試圖處理或存儲機密的數據，以便進行諸如各領域中的電子交易，如關于健康、預付電視、電話應用或金融等領域。

為此，這些器件包括ROM、RAM、EEPROM、快速PROM或鐵磁RAM型的易失和非易失存儲器，及中央處理單元或CPU，CPU通過地址和數據總線來管理和分配所述機密數據。

在實踐中，器件被集成在電子模塊中并安裝在卡體內，如ISO?7816和14443或GSM11.11和11.14標準中所限定的那樣。而且，這些器件的接觸塊連接與卡體表面平齊的接觸區，或連接埋置在卡體中的天線的接觸端子上，天線可以使卡與外界聯系。根據不同的工作方式，這些卡分為接觸卡、非接觸卡和混合卡。

借助于本發明的器件，改善了對在卡中存儲或處理的數據的保護。事實上，不再可能發生物理侵蝕，物理侵蝕趨于使附加膜與有源膜斷開以獲得進入集成電路的非破壞性通道。本發明的某些實施例對于所謂光侵蝕也具有上述同樣優點，在光侵蝕中，聚集的電磁輻射會干擾芯片的保護性功能。

然而，其它一些侵蝕可能會成功地作用于公知的器件。這是通過附加膜的受控破壞而進行的物理侵蝕，特別是通過拋光或蝕刻所述附加膜而進行的侵蝕。由于這些侵蝕，別有用心的人可以接觸到集成電路器件的有源表面而不會破壞所述的電路，之后了解到電路的構造而有可能實施上述被禁止的侵蝕(如光侵蝕)，從而得到機密的數據。

在拋光侵蝕的情況下，旋轉拋光板平行于附加膜的表面。該板以受控的方式腐蝕該膜，直到達到有源表面的程度。

在蝕刻侵蝕的情況下，可以采用各種公知的方式。特別是采用RIE方法(即反應離子刻)，這種方法是通過干燥過程來進行。根據該方法，反應化合物的制備在電中性的等離子體中進行，并隨后被吸收到器件附加膜的表面，在那里形成化合物的分子膜。在靜電場中被大大加速的離子在垂直于器件附加膜的方向受到導引并破壞了分子化合物膜。附加膜或更具體地說是該膜的一部分(不包括與接觸塊電連接的開口)最終逐漸被破壞掉，而到達活性面的程度。

鑒于上述原因，本發明試圖解決一個具體的問題，即保護集成電路器件，其中集成電路器件包括一個具有半導體材料的有源膜、與所述有源膜的一個有源表面集成在一起的電路和固定在所述有源表面的一個附加膜，所述集成電路包括電路元件和至少一個與所述有源表面平齊的接觸塊，所述附加膜至少局部覆蓋所述有源表面的集成電路以抵御通過受控地破壞附加表面而進行的侵蝕。

?????????????????????????發明內容

針對上述問題，本發明的技術方案旨在提供一種器件，其特征是在附加膜上設置孔，該孔與至少一個電路元件垂直正對。

因此，無法再控制附加膜的破壞，與該孔垂直正對的電路元件被破壞。

此外，本發明的目的還在于生產帶有符合本發明的器件的卡體，安裝有多個本發明器件的半導體材料片段，及生產所述器件的方法。

????????????????????????????附圖說明

如下的非限定性描述可以使人理解本發明是如何實現的。參照附圖對本發明進行描述，其中：

圖1示出了本發明器件的透視圖，其連接塊與導線相連；

圖2示出了本發明器件的第一實施例變型的分解剖視圖；

圖3示出了本發明器件的第二實施例變型的分解剖視圖；

圖4示出了本發明器件的第三實施例變型的分解剖視圖；

圖5示出了本發明器件的第四實施例變型的分解剖視圖；

圖6示出了本發明器件的第五實施例變型的分解剖視圖；

圖7示出了本發明器件的第六實施例變型的分解剖視圖；

圖8示出了本發明器件的第七實施例變型的分解剖視圖；

圖9示出了安裝有多個本發明器件的半導體材料片段產品的透視圖。

具體實施方式