[發(fā)明專利]防止由附加膜的受控破壞形成的侵蝕的帶集成電路的器件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 00806378.8
• 申請(qǐng)日: 2000-04-19
• 公開（公告）號(hào): CN1347535A
• 公開（公告）日: 2002-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 比阿特麗斯·邦瓦洛特;羅伯特·萊迪爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 施藍(lán)姆伯格系統(tǒng)公司
• 主分類號(hào): G06K19/077
• 分類號(hào): G06K19/077
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 肖鸝,陳小雯

??????????????????????技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路器件，其包括有源膜和固定在有源膜的一個(gè)有源面上的附加膜。本發(fā)明還涉及帶有這些器件的板、帶有多個(gè)這些器件的半導(dǎo)體材料的片段及制造這些器件的方法。

??????????????????????背景技術(shù)

上述集成電路器件在已經(jīng)公開的國際申請(qǐng)WO-96/16378，WO97/11442和WO-99/12204中進(jìn)行了詳細(xì)的描述。其它器件在于法國提交的專利申請(qǐng)F(tuán)R-98/081305，F(xiàn)R-98/13029和FR-99/00858中進(jìn)行了描述，上述專利申請(qǐng)?jiān)诒景l(fā)明優(yōu)先權(quán)日之時(shí)還未公開。

這些器件試圖處理或存儲(chǔ)機(jī)密的數(shù)據(jù)，以便進(jìn)行諸如各領(lǐng)域中的電子交易，如關(guān)于健康、預(yù)付電視、電話應(yīng)用或金融等領(lǐng)域。

為此，這些器件包括ROM、RAM、EEPROM、快速PROM或鐵磁RAM型的易失和非易失存儲(chǔ)器，及中央處理單元或CPU，CPU通過地址和數(shù)據(jù)總線來管理和分配所述機(jī)密數(shù)據(jù)。

在實(shí)踐中，器件被集成在電子模塊中并安裝在卡體內(nèi)，如ISO?7816和14443或GSM11.11和11.14標(biāo)準(zhǔn)中所限定的那樣。而且，這些器件的接觸塊連接與卡體表面平齊的接觸區(qū)，或連接埋置在卡體中的天線的接觸端子上，天線可以使卡與外界聯(lián)系。根據(jù)不同的工作方式，這些卡分為接觸卡、非接觸卡和混合卡。

借助于本發(fā)明的器件，改善了對(duì)在卡中存儲(chǔ)或處理的數(shù)據(jù)的保護(hù)。事實(shí)上，不再可能發(fā)生物理侵蝕，物理侵蝕趨于使附加膜與有源膜斷開以獲得進(jìn)入集成電路的非破壞性通道。本發(fā)明的某些實(shí)施例對(duì)于所謂光侵蝕也具有上述同樣優(yōu)點(diǎn)，在光侵蝕中，聚集的電磁輻射會(huì)干擾芯片的保護(hù)性功能。

然而，其它一些侵蝕可能會(huì)成功地作用于公知的器件。這是通過附加膜的受控破壞而進(jìn)行的物理侵蝕，特別是通過拋光或蝕刻所述附加膜而進(jìn)行的侵蝕。由于這些侵蝕，別有用心的人可以接觸到集成電路器件的有源表面而不會(huì)破壞所述的電路，之后了解到電路的構(gòu)造而有可能實(shí)施上述被禁止的侵蝕(如光侵蝕)，從而得到機(jī)密的數(shù)據(jù)。

在拋光侵蝕的情況下，旋轉(zhuǎn)拋光板平行于附加膜的表面。該板以受控的方式腐蝕該膜，直到達(dá)到有源表面的程度。

在蝕刻侵蝕的情況下，可以采用各種公知的方式。特別是采用RIE方法(即反應(yīng)離子刻)，這種方法是通過干燥過程來進(jìn)行。根據(jù)該方法，反應(yīng)化合物的制備在電中性的等離子體中進(jìn)行，并隨后被吸收到器件附加膜的表面，在那里形成化合物的分子膜。在靜電場(chǎng)中被大大加速的離子在垂直于器件附加膜的方向受到導(dǎo)引并破壞了分子化合物膜。附加膜或更具體地說是該膜的一部分(不包括與接觸塊電連接的開口)最終逐漸被破壞掉，而到達(dá)活性面的程度。

鑒于上述原因，本發(fā)明試圖解決一個(gè)具體的問題，即保護(hù)集成電路器件，其中集成電路器件包括一個(gè)具有半導(dǎo)體材料的有源膜、與所述有源膜的一個(gè)有源表面集成在一起的電路和固定在所述有源表面的一個(gè)附加膜，所述集成電路包括電路元件和至少一個(gè)與所述有源表面平齊的接觸塊，所述附加膜至少局部覆蓋所述有源表面的集成電路以抵御通過受控地破壞附加表面而進(jìn)行的侵蝕。

?????????????????????????發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)上述問題，本發(fā)明的技術(shù)方案旨在提供一種器件，其特征是在附加膜上設(shè)置孔，該孔與至少一個(gè)電路元件垂直正對(duì)。

因此，無法再控制附加膜的破壞，與該孔垂直正對(duì)的電路元件被破壞。

此外，本發(fā)明的目的還在于生產(chǎn)帶有符合本發(fā)明的器件的卡體，安裝有多個(gè)本發(fā)明器件的半導(dǎo)體材料片段，及生產(chǎn)所述器件的方法。

????????????????????????????附圖說明

如下的非限定性描述可以使人理解本發(fā)明是如何實(shí)現(xiàn)的。參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，其中：

圖1示出了本發(fā)明器件的透視圖，其連接塊與導(dǎo)線相連；

圖2示出了本發(fā)明器件的第一實(shí)施例變型的分解剖視圖；

圖3示出了本發(fā)明器件的第二實(shí)施例變型的分解剖視圖；

圖4示出了本發(fā)明器件的第三實(shí)施例變型的分解剖視圖；

圖5示出了本發(fā)明器件的第四實(shí)施例變型的分解剖視圖；

圖6示出了本發(fā)明器件的第五實(shí)施例變型的分解剖視圖；

圖7示出了本發(fā)明器件的第六實(shí)施例變型的分解剖視圖；

圖8示出了本發(fā)明器件的第七實(shí)施例變型的分解剖視圖；

圖9示出了安裝有多個(gè)本發(fā)明器件的半導(dǎo)體材料片段產(chǎn)品的透視圖。

具體實(shí)施方式