[發(fā)明專利]襯底薄膜燒蝕方法及其設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 00805977.2 | 申請(qǐng)日: | 2000-04-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN1346517A | 公開(kāi)(公告)日: | 2002-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 赫爾穆特·沃格特;弗朗茨·卡格 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西門(mén)子太陽(yáng)公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/142 | 分類號(hào): | H01L27/142;H01L31/048;B23K26/00;B23K26/06 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 方挺,余朦 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 薄膜 方法 及其 設(shè)備 | ||
本發(fā)明涉及一種例如在對(duì)層疊陶瓷或?qū)盈B玻璃進(jìn)行脫層時(shí)的襯底薄膜燒蝕方法及其設(shè)備。更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及薄膜太陽(yáng)能電池的表面層燒蝕過(guò)程。此外,本發(fā)明還涉及一種對(duì)包括薄膜疊片襯底的薄膜太陽(yáng)能模塊進(jìn)行封裝的方法。
傳統(tǒng)的結(jié)晶硅太陽(yáng)能模塊是基于晶片制造然后進(jìn)行電布線的,因此作為一條規(guī)則,需要相對(duì)較小的約1W硅片的功率單元來(lái)接入50-100W的模塊。
薄膜太陽(yáng)能電池作為這些傳統(tǒng)太陽(yáng)能模塊的變換例,已知其具有微米厚度。薄膜太陽(yáng)能電池的基本單元示于圖2,它在吸收層與窗口層之間具有p/n結(jié)。
與傳統(tǒng)的硅片布線不同,薄膜電池可被集成到電路中,即:在對(duì)整個(gè)表面上分別進(jìn)行涂覆步驟之后,將a)背電極、b)夾在當(dāng)中的電池以及c)正面電極分割為縱向條。交錯(cuò)排列這些互相相關(guān)的片形成鄰近正面電極和背電極的各電池之間的電連接。例如分割可以通過(guò)進(jìn)行劃片或激光分割而實(shí)現(xiàn),以制造在大約0.5×0.5m2區(qū)域上施加12V電壓的性價(jià)比好的標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)能組件。
這種太陽(yáng)能模塊的使用壽命實(shí)質(zhì)上取決于保護(hù)薄膜層免受氣候和環(huán)境破壞程度。實(shí)現(xiàn)30年或更長(zhǎng)的壽命要求薄膜層承受陽(yáng)光極度曝曬、極度潮濕以及極度空氣污染。當(dāng)薄膜太陽(yáng)能電池被充分封裝并且載流部件被充分電隔離時(shí),僅可以滿足對(duì)潮濕穩(wěn)定性和電壓強(qiáng)度的要求。為此,薄膜太陽(yáng)能電池的載流部件被分層封裝。進(jìn)行封裝的過(guò)程是,利用載流薄膜層涂覆襯底后,對(duì)襯底的表面部分進(jìn)行脫層,然后將疊片淀積到整個(gè)薄膜層上。通過(guò)可靠防止其內(nèi)部被受潮破壞,這樣就可以使表面接合的疊片和襯底防腐。
為了使該問(wèn)題更清楚,圖1示出封裝太陽(yáng)能電池剖面的圖解說(shuō)明,示出了淀積在襯底4上的構(gòu)圖后的膜層3如何在表面區(qū)域5內(nèi)被分層并被疊片層2封裝。淀積在疊片層2上的是窗口玻璃層1。
在薄膜太陽(yáng)能電池封裝過(guò)程中存在的一個(gè)問(wèn)題是對(duì)薄膜表面層進(jìn)行脫層。傳統(tǒng)脫層方法(例如吹砂過(guò)程和研磨過(guò)程進(jìn)行脫層的過(guò)程)還會(huì)不可避免地破壞襯底表面并在其內(nèi)產(chǎn)生細(xì)微裂紋。一旦在操作過(guò)程中在薄膜組件上產(chǎn)生大的溫差并產(chǎn)生應(yīng)力,就增加了因?yàn)楸砻嫔袭a(chǎn)生裂紋而破裂以致最終破壞太陽(yáng)能電池的危險(xiǎn)。因此,在通常只有幾毫米至幾厘米寬的表面內(nèi),對(duì)表面進(jìn)行脫層時(shí)應(yīng)特別小心。
利用燒蝕的化學(xué)方法制造加工太陽(yáng)能電池從原理上是已知的,可是,此方法具有加工周期長(zhǎng)的缺點(diǎn),并且涉及復(fù)雜的加工步驟。
由于這些方法允許精確限定材料的燒蝕,因此可以由諸如研磨或吹砂的機(jī)械方法接連不斷地移開(kāi)所述的表面區(qū)域。除了如所描述的那樣損壞襯底表面并形成細(xì)微裂紋外,這些方法還有其它缺點(diǎn),即由于燒蝕膜層的縷絲會(huì)對(duì)組件產(chǎn)生不應(yīng)有的污染,通常需要隨后將工件放入超聲池對(duì)其進(jìn)行化學(xué)清洗。
而且已知,當(dāng)將薄膜太陽(yáng)能組件集成為電路,用激光束進(jìn)行上述步驟,以用于將所得到的各分立條進(jìn)行串行互連。
例如已知的第4,734,550美國(guó)專利涉及一種采用激光加工薄膜層的方法,例舉的一種特殊應(yīng)用是對(duì)薄膜技術(shù)生成的光電薄膜層進(jìn)行加工。此加工方法的目的在于,通過(guò)將加工光束導(dǎo)向各個(gè)工件表面實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜層的刻蝕,使得此時(shí)施加的光功率分布盡可能保持均勻一致。具有平均光強(qiáng)分布的、正交聚焦的光束可以實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)。另外再調(diào)整被控光束的方向,使得正交聚焦光束的重疊部分產(chǎn)生盡可能均勻的光強(qiáng)分布。此方法據(jù)稱可進(jìn)行準(zhǔn)確的、甚至深度的刻蝕以串聯(lián)連接太陽(yáng)能電池。
用于串聯(lián)連接太陽(yáng)能電池的所有方法的目的在于,獲得一條使太陽(yáng)能組件的電功率衰退最小、寬度盡可能窄的條帶。例如,在第4,734,550號(hào)美國(guó)專利中,例舉的條帶寬度具有50微米的量級(jí)。
此外,在Nakano,S.等人的“Laser?Patterning?Method?for?IntegratedType?a-Si?Solar?Cell?Submodules”,見(jiàn)“日本應(yīng)用物理期刊”Vol.25,No.12,1986,第1936-1943頁(yè)中,例舉了用以加工太陽(yáng)能組件獲得串聯(lián)接通的激光束的最佳功率密度。此種情況下,例舉了適合50μm條帶寬度的功率密度具有1×106W/cm2量級(jí)。
如上所述,由于串聯(lián)接通的脫層方法是以得到最小條帶寬度為目的,它們不適用于太陽(yáng)能組件的表面脫層。因?yàn)樵诖藨?yīng)用中需要對(duì)幾毫米寬的表面條帶進(jìn)行脫層。這就是為什么盡管機(jī)械方法具有上述缺點(diǎn),仍經(jīng)常用于表面脫層的原因所在。
因此,本發(fā)明的目的在于提供一種太陽(yáng)能電池薄膜燒蝕的裝置和方法,可使條帶的性價(jià)比高地?zé)g達(dá)幾毫米寬而不破壞位于燒蝕層下面的襯底。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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