[發明專利]襯底薄膜燒蝕方法及其設備有效
| 申請號: | 00805977.2 | 申請日: | 2000-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN1346517A | 公開(公告)日: | 2002-04-24 |
| 發明(設計)人: | 赫爾穆特·沃格特;弗朗茨·卡格 | 申請(專利權)人: | 西門子太陽公司 |
| 主分類號: | H01L27/142 | 分類號: | H01L27/142;H01L31/048;B23K26/00;B23K26/06 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 方挺,余朦 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 薄膜 方法 及其 設備 | ||
1.一種用于對襯底進行薄膜燒蝕,更具體地說,是對薄膜太陽能電池進行表面層燒蝕的設備,該設備包括:
激光諧振腔,用于產生其脈沖寬度小于100ns、脈沖能量密度在0.1J/cm2至10J/cm2范圍內的光脈沖加工光束;
光學系統,用于以基本上均勻的功率分布,將激光諧振腔產生的加工光束成像到在1mm2至1cm2范圍內的表面區域內的待加工表面上;
第一定位器,用于工件與所述加工光束之間預定的相對運動;以及
控制器,用于發出信號以命令所述第一定位器,利用基本上恒定的能量對所述工件待燒蝕的表面區域的各單元進行照射。
2.根據權利要求1所述的設備,其特征在于,通過調節泵浦功率產生所述光脈沖。
3.根據權利要求1所述的設備,其特征在于,利用調Q方法產生所述光脈沖。
4.根據權利要求1至3之任一項所述的設備,其特征在于,所述光脈沖優選包括約25ns的脈沖寬度。
5.根據上述權利要求1至4之任一項所述的設備,其特征在于,用于模式混合的加工光束通過光纖纜線傳輸,以便所述功率分布的概況與截斷圓錐的輪廓近似。
6.根據上述權利要求1至5之任一項所述的設備,其特征在于,所述相對運動的速度與所述光脈沖的脈沖重復速率互相適應,從而在待燒蝕的所述薄膜層被去除后,不再有所述加工光束照射表面區域單元。
7.根據權利要求6所述的設備,其特征在于,所述第一定位器以約1cm/s的速度行進,而所述激光諧振腔的脈沖重復頻率為50Hz的數量級。
8.根據權利要求6或7所述的設備,其特征在于,基本上利用單一光脈沖或利用幾個光脈沖對表面區域單元進行照射。
9.根據權利要求1至8之任一項所述的設備,其特征在于,所述激光諧振腔的波長與待燒蝕的所述表面層相適應,以便所述光脈沖被待燒蝕的所述表面層基本吸收,而基本上不被所述襯底吸收。
10.根據權利要求9所述的設備,其特征在于,所述激光諧振腔是波長為1.064μm的Nd:YAG激光諧振腔。
11.根據權利要求1至10之任一項所述的設備,其特征在于,設置一第二定位器,用于在所述加工光束的光軸與待燒蝕的表面區域各單元的垂直線之間設置恒定加工角度。
12.一種用于對襯底進行薄膜燒蝕的方法,更具體地說,是對薄膜太陽能電池進行表面層燒蝕的方法,該方法包括步驟:
產生其脈沖寬度小于100ns并且脈沖能量密度在0.1J/cm2至10J/cm2范圍內的光脈沖加工光束;
利用基本上均勻的功率分布,將所述加工光束成像到在1mm2至1cm2范圍內的表面區域內的待加工的表面上;
這樣在所述工件與所述加工光束之間進行相對運動,即利用基本上恒定的能量對所述工件的待燒蝕表面區域的各單元進行照射。
13.根據權利要求12所述的方法,其特征在于,通過調制泵浦功率產生所述光脈沖。
14.根據權利要求12所述的方法,其特征在于,利用調Q方法產生所述光脈沖。
15.根據權利要求12至14之任一項所述的方法,其特征在于,所述光脈沖優選包括25ns數量級的脈沖寬度。
16.根據權利要求12至15之任一項所述的方法,其特征在于,所述用于模式混合的加工光束通過光纖纜線傳輸,以便所述功率分布的概況與截斷圓錐的輪廓近似。
17.根據權利要求12至16之任一項所述的方法,其特征在于,所述相對運動的速度與所述光脈沖的脈沖重復速率互相適應,從而在待燒蝕的所述表面層被去除后,不再有所述加工光束照射表面區域單元。
18.根據權利要求17所述的方法,其特征在于,所述第一定位器以約1cm/s的速度行走,而所述激光諧振腔的脈沖重復頻率約為50Hz。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





