[發(fā)明專利]數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00803743.4
• 申請日: 2000-02-11
• 公開（公告）號: CN1340187A
• 公開（公告）日: 2002-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·E·達(dá)維斯;D·福爾拉諾;B·P·蘭達(dá);P·J·M·利基比;T·P·菲斯特;K·H·戴;S·蘇布拉馬尼安;R·哈里哈蘭;W·C·布斯科;K·庫波特拉;T·B·戈爾茨卡;J·伍茲
• 申請（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號: G11B7/00
• 分類號: G11B7/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 吳立明,梁永

發(fā)明領(lǐng)域

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，特別涉及制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法和涉及部分或全部聚合的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)

光、磁和磁光介質(zhì)是高性能存儲技術(shù)的主要源，它能使高存儲容量與每兆存儲字節(jié)的合理價格相聯(lián)系。通常用每平方英寸磁盤表面面積的數(shù)十億位(每平方英寸千兆位(千兆位/英寸²)(Gbit/in²))表示的面密度等價于線密度(每英寸磁軌的信息位)乘以每英寸的磁軌密度。改善的面密度一直是削減每兆字節(jié)價格的關(guān)鍵因素之一，而進(jìn)一步增加面密度繼續(xù)是工業(yè)界的要求。

在光存儲領(lǐng)域中，進(jìn)步集中于訪問時間、系統(tǒng)體積和競爭成本。正在通過集中于光學(xué)的衍射限制(使用近場光學(xué))、調(diào)查三維存儲、調(diào)查可能的全息記錄方法和其它技術(shù)來增加面密度。

常規(guī)聚合的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)已經(jīng)在下述領(lǐng)域使用，諸如緊致盤(CD-ROM)和可記錄或可重寫緊致盤(例如CD-RW)，和相似的較低面密度的設(shè)備，例如小于1千兆位/英寸²，它們通常是需要使用具有低雙折線的良好光學(xué)質(zhì)量襯底的通讀(read-through)設(shè)備。

參考圖1，圖中表示出一個低面密度系統(tǒng)，它有一個讀取設(shè)備3和一個可記錄或可重寫存儲介質(zhì)5。存儲介質(zhì)5由常規(guī)層組成，包括數(shù)據(jù)層7，電介質(zhì)層9和9’，反射層11和保護(hù)層13。在系統(tǒng)1運行期間，由讀取設(shè)備3產(chǎn)生的激光15入射到光學(xué)清潔的襯底17上。激光穿過襯底17，并通過電介質(zhì)層9、數(shù)據(jù)層7和第二電介質(zhì)層9’。然后激光15從反射層11反射回來，通過電介質(zhì)層9’、數(shù)據(jù)層7、電介質(zhì)層9和襯底17，并由讀取設(shè)備3讀取。

不像CD和以上的DVD，具有高面密度容量的存儲介質(zhì)，通常大于5千兆位/英寸²，使用第一表面或近場讀/寫技術(shù)，以便增加面密度。對于這種存儲介質(zhì)，雖然襯底的光學(xué)質(zhì)量不相關(guān)，但是襯底的物理和機(jī)械特性變得日益重要。對于高面密度應(yīng)用，包括第一表面應(yīng)用，存儲介質(zhì)的表面質(zhì)量可以影響讀取設(shè)備的精確度、存儲數(shù)據(jù)的能力和襯底的復(fù)制質(zhì)量。此外，存儲介質(zhì)使用時的物理特性也可以影響存儲和檢索數(shù)據(jù)的能力；亦即介質(zhì)的軸向移動如果太大可以阻止精確檢索數(shù)據(jù)和/或損壞讀/寫設(shè)備。

常規(guī)上，與使用第一表面關(guān)聯(lián)的上述事項，包括近場，通過使用金屬例如鋁和玻璃襯底，已經(jīng)說明一些技術(shù)。這些襯底形成一個盤片，并在該襯底上使用各種技術(shù)諸如濺射布置希望的層。可能的層包括反射層、電介質(zhì)層、數(shù)據(jù)層和保護(hù)層。一旦增加了希望的磁性層，則可以通過磁讀/寫技術(shù)把磁盤分成徑向和切線方向的扇區(qū)。也可以通過物理或化學(xué)技術(shù)例如腐蝕增加扇區(qū)結(jié)構(gòu)，然而，這必須在放置磁性層之前發(fā)生。

如從迅速發(fā)展的工業(yè)中顯見，對更大存儲容量而更低價格的需求、具有可重寫盤的希望、和若干技術(shù)已經(jīng)進(jìn)行過調(diào)查，并且一直在希望和尋找技術(shù)中的進(jìn)一步進(jìn)展。在技術(shù)中需要的是能使存儲介質(zhì)用在第一表面，包括近場，應(yīng)用中的存儲介質(zhì)襯底中的進(jìn)展。

發(fā)明概述

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)及其制造方法和使用處理。在一些優(yōu)選的實施例中，存儲介質(zhì)包括：由至少一個塑料樹脂部分組成的襯底，和在該襯底上的至少一個數(shù)據(jù)層，其中，數(shù)據(jù)層可以通過至少一個能量場至少部分從其中讀、向其上寫或讀和寫的組合操作，其中，當(dāng)能量場接觸存儲介質(zhì)時，所述能量場在它能夠入射到襯底前入射到數(shù)據(jù)層。

在另一個實施例中，數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)包括：一個剛性襯底、一個包括表面特征的塑料層和在塑料層上的至少一個附加層。塑料層優(yōu)選用能夠抵抗各種技術(shù)諸如濺射的樹脂制造，為增加另外希望的層，例如包括反射層、電介質(zhì)層、數(shù)據(jù)存儲層和保護(hù)層。在塑料層中出現(xiàn)的表面特征優(yōu)選是壓印的表面特征，而塑料層優(yōu)選使用旋轉(zhuǎn)涂敷和/或濺射涂敷技術(shù)施加在襯底上。在另一個實施例中，所述方法包括：形成塑料襯底后接著在襯底上形成數(shù)據(jù)存儲層。該方法可以包括引入澆鑄聚合物來模鑄塑料襯底；冷卻所述塑料襯底；和在所述塑料襯底上形成數(shù)據(jù)存儲層。該方法可以可選地包括在所述塑料襯底的至少一側(cè)的原來位置形成地理定位器。該方法還可選地包括在該地理定位器上形成數(shù)據(jù)存儲層。

在另一個實施例中，存儲數(shù)據(jù)的方法包括：轉(zhuǎn)動包括襯底的存儲介質(zhì)，襯底具有至少一個塑料部分和在所述襯底的至少一個表面上布置的至少一個數(shù)據(jù)層；引導(dǎo)任何能量場到所述存儲介質(zhì)，使得所述能量場在它能夠入射到襯底前入射到數(shù)據(jù)層；和從數(shù)據(jù)存儲層檢索信息。可以使用各種能量場，例如磁光存儲，其中，使用磁場和/或激光寫，而使用利用反射光學(xué)的光束讀。

附圖說明