[發明專利]數據存儲介質

無效

• 申請號: 00803743.4
• 申請日: 2000-02-11
• 公開（公告）號: CN1340187A
• 公開（公告）日: 2002-03-13
• 發明（設計）人: J·E·達維斯;D·福爾拉諾;B·P·蘭達;P·J·M·利基比;T·P·菲斯特;K·H·戴;S·蘇布拉馬尼安;R·哈里哈蘭;W·C·布斯科;K·庫波特拉;T·B·戈爾茨卡;J·伍茲
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: G11B7/00
• 分類號: G11B7/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 吳立明,梁永

1.??數據存儲介質，所述介質包括：

i.包括至少一個塑料樹脂部分的襯底；

ii.在所述襯底上的至少一個數據層；

其中，所述數據層可至少由一個能量場對其至少部分讀、寫或讀和寫的組合操作；

其中，當能量場接觸存儲介質時，所述能量場在它能夠入射到所述襯底前入射到所述數據層上。

2.如權利要求1所述存儲介質，其中，所述能量場包括電場、磁場和光場中的至少一個。

3.如權利要求1所述存儲介質，其中，所述襯底具有大于大約6千兆位/英寸²的面密度。

4.如權利要求3所述存儲介質，其中，所述襯底具有大于大約10千兆位/英寸²的面密度。

5.如權利要求4所述存儲介質，其中，所述襯底具有大于大約25千兆位/英寸²的面密度。

6.如權利要求1所述存儲介質，另外包括從一組包括凹坑、槽、邊緣特征、不平度、和包括上述至少一種的組合中選擇的表面特征。

7.如權利要求6所述存儲介質，其中，所述表面特征具有大于原始主盤90％復制度的復制。

8.如權利要求1所述存儲介質，其中，所述襯底具有小于大約8微米的邊緣提升高度。

9.如權利要求8所述存儲介質，其中，所述襯底具有小于大約5微米的邊緣提升高度。

10.如權利要求9所述存儲介質，其中，所述襯底具有小于大約3微米的邊緣提升高度。

11.如權利要求8所述存儲介質，其中，所述襯底具有小于大約10R_a的表面粗糙度。

12.如權利要求8所述存儲介質，其中，所述襯底具有大于在溫度為24℃時大約0.04的機械阻尼系數。℃

13.如權利要求12所述存儲介質，其中，所述襯底具有大于在溫度為24℃時大約0.06的機械阻尼系數。

14.如權利要求8所述存儲介質，其中，所述襯底具有不大于大約5.5×10^-3斯勒格-英寸²的慣性矩。

15.如權利要求8所述存儲介質，其中，所述襯底具有獨立的徑向傾斜和切向傾斜，分別為大約1°或更小。

16.如權利要求8所述存儲介質，其中，所述襯底的潮濕成分的變化在4周后在溫度為80℃相對濕度為85％的測試條件平衡下小于大約0.5％。

17.如權利要求8所述存儲介質，其中，所述襯底具有小于大約1.0的比重。

18.如權利要求1所述存儲介質，其中，所述襯底在沖擊振動激勵下具有小于大約500μ的軸向位移峰值。

19.如權利要求18所述存儲介質，其中，所述襯底具有小于大約150μ的軸向位移峰值。

20.如權利要求18所述存儲介質，其中，所述襯底具有小于大約8微米的邊緣提升高度。

21.如權利要求20所述存儲介質，其中，所述襯底具有小于大約5微米的邊緣提升高度。

22.如權利要求21所述存儲介質，其中，所述襯底具有小于大約3微米的邊緣提升高度。

23.如權利要求18所述存儲介質，其中，所述襯底具有小于大約10R_a的表面粗糙度。

24.如權利要求18所述存儲介質，其中，所述襯底具有大于在溫度為24℃時大約0.04的機械阻尼系數。

25.如權利要求24所述存儲介質，其中，所述襯底具有大于在溫度為24℃時大約0.06的機械阻尼系數。

26.如權利要求18所述存儲介質，其中，所述襯底具有不大于大約5.5×10^-3斯勒格-英寸²的慣性矩。

27.如權利要求1所述存儲介質，其中，所述襯底具有大約5.5×10^-3斯勒格-英寸²或更小的慣性矩。