[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 00802618.1
• 申請日: 2000-10-31
• 公開（公告）號: CN1337065A
• 公開（公告）日: 2002-02-20
• 發明（設計）人: 若林猛
• 申請（專利權）人: 卡西歐計算機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 蹇煒

1.一種半導體器件，包括：

一個半導體基片(1′)，它具有一個上表面、一個與上表面相對的下表面、在上表面和下表面之間延伸的側面(1a)、以及在上表面上形成的多個外連接端(2，6)；和

一個密封膜(13)，覆蓋半導體基片(1′)的上表面，使外連接端(2，6)在一個表面上暴露出來，并且覆蓋側面(1a)到半導體基片(1′)的厚度的至少一半。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，覆蓋半導體基片(1′)的上表面的密封膜(13)基本上與外連接端(6)的上表面是平齊的。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中，密封膜(13)完全覆蓋側面(1a)。

4.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中，密封膜(13)覆蓋側面(1a)到半導體基片(1′)的厚度的一半。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，覆蓋半導體基片(1′)的側面的密封膜(13)的表面基本上與沒有覆蓋密封膜(13)的半導體基片(1′)的部分的側面是平齊的。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，密封膜(13，17)覆蓋半導體基片(1′)的所有表面和側面。

7.一種半導體器件，包括：

一個具有上表面和側面的半導體基片(1′)；

在半導體基片(1′)的一個表面上形成的多個連接凸臺(2)；??一個絕緣膜(3)，它具有使連接凸臺(2)暴露出來的開口，并且覆蓋半導體基片(1′)的上表面；

與連接凸臺(2)相連的布線(5)，設置在絕緣膜(3)上；

與布線(5)相連的柱形電極(6)，該柱形電極(6)具有頂部表面；以及

一個密封膜(13)，覆蓋半導體基片(1′)的上表面和從頂部表面到半導體基片(1′)的厚度的至少一半的側面(1a)，并使柱形電極(6)的頂部表面露出。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，覆蓋半導體基片(1′)的上表面的密封膜(13)基本上與柱形電極(6)的頂部表面是平齊的。

9.根據權利要求7或8所述的半導體器件，其中，密封膜(13)完全覆蓋半導體基片的側面(1a)。

10.根據權利要求7或8所述的半導體器件，其中，密封膜(13，17)覆蓋半導體基片(7′)的所有表面和側面。

11.一種制造半導體器件的方法，包括下列步驟：

制備一個半導體晶片(1)，它具有一個上表面、一個與上表面相對的下表面、在上表面和下表面之間延伸的側面(1a)、以及在上表面上形成的多個外連接端(2，6)；

使位于半導體晶片上的芯片形成區域之間的部分形成槽(12)，每個槽(12)從上表面延伸到半導體晶片(1)的厚度的至少一半；

在半導體晶片(1)的上表面形成一個密封膜(13)，將槽(12)填充，并且使外連接端(2，6)的一個表面露出；以及

沿著槽(12)切割密封膜(13)，除去部分密封膜(13)，所除去的部分的寬度比槽(12)要小。

12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括以下步驟：在半導體晶片(1)上開槽(12)之前，把一個切割膠帶(11)粘到半導體晶片(1)上。

13.根據權利要求12所述的方法，進一步包括以下步驟：在切割密封膜(13)之后，把一個支撐膠帶(14)粘到密封膜(13)的上表面上；以及把切割膠帶(11)從半導體晶片(1)上剝離。

14.根據權利要求11所述的方法，進一步包括以下步驟：在密封膜(13)被切割之后，將半導體晶片(1)的下表面進行拋光，由此減少半導體晶片(1)的厚度。

15.根據權利要求11所述的方法，其中，在密封膜(13)被切割之前，在半導體晶片(1)的下表面形成另一個密封膜(17)。

16.一種制造半導體器件的方法，包括下列步驟：

制備一個半導體晶片(1)，它具有上表面和側面(1a)，并且在上表面具有多個連接凸臺(2)；

形成一個絕緣膜(13)，它覆蓋半導體晶片(1)的上表面，并具有使連接凸臺(2)露出的開口，；

在絕緣膜(13)上形成布線(5)，所述的布線(5)與連接凸臺(2)相連；

在布線(5)上形成柱形電極(6)；以及

形成一個密封膜(13)，它覆蓋半導體晶片(1)的上表面和一部分側面(1a)，被覆蓋的側面(1a)從上表面延伸到半導體晶片(1)的厚度的至少一半；并且所述的密封膜(13)使柱形電極(6)的一個表面露出。