[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 00802618.1
• 申請日: 2000-10-31
• 公開（公告）號: CN1337065A
• 公開（公告）日: 2002-02-20
• 發明（設計）人: 若林猛
• 申請（專利權）人: 卡西歐計算機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 蹇煒

??????????????????????技術領域

本發明涉及一種半導體器件及其制造方法。更具體地說，本發明涉及一種以硅片形式密封在樹脂中的半導體器件及其制造方法。

??????????????????????背景技術

下面將參照圖17到圖20描述一種被稱為CSPs(Chip?Size?Packages)的半導體器件的制造方法。首先，如圖17所示，在硅片(半導體晶片)1的上表面形成了連接凸臺2。然后形成絕緣膜3，它覆蓋著半導體晶片1和連接凸臺2的上表面，但每個連接凸臺2的中心部分除外。在絕緣膜3的限定區域和連接凸臺2的中心部分形成布線5，其中，連接凸臺2的中心部分通過在絕緣膜3上制成的開口4被暴露出來。在布線5的一端形成柱形電極或者柱電極6。圖17所示的區域7相應于切割軌道。

然后，如圖18所示，在包括柱形電極6的組合結構的上表面用環氧樹脂或類似材料制成密封膜8。密封膜8比柱形電極6要更厚一些。因此，密封膜8覆蓋柱形電極6。然后，將密封膜8的上表面進行拋光，直到柱形電極6的頂部暴露出來為止，如圖19所示。而且，沿著切割軌道7切割硅片1。由此，制成芯片或半導體器件9，如圖20所示。

通過沿著切割軌道7切割具有密封膜8的硅片1來制成半導體器件9。因此暴露了半導體器件9的四個側面。在暴露出來的側面，水或者水氣會進入絕緣膜3(保護膜)和密封膜8之間的界面，并且會使布線5氧化等。而且，在絕緣膜和密封膜8之間可能產生裂縫或者斷裂。

?????????????????本發明的公開

本發明的目的是提供一種在側面也用樹脂密封的半導體器件，而當器件從半導體晶片上切下時，側面是暴露的。

根據本發明的一個方面，提供了一種半導體器件，它包括一個半導體基片和一個密封膜。該基片具有一個上表面，一個與上表面相對的下表面，在上表面和下表面之間延伸的側面，以及在上表面上形成的多個外連接端。密封膜覆蓋半導體基片的上表面，使在一個表面上的每一個外連接端暴露出來，并且覆蓋了側面半導體基片的至少一半的厚度。

根據發明的另一個方面，提供了一種制造半導體器件的方法。這種方法包括如下步驟：制備一個半導體晶片，它具有一個上表面，一個與上表面相對的下表面，在上表面和下表面之間延伸的側面，以及在上表面形成的多個外連接端；在半導體晶片上位于芯片形成區域之間的部分開槽，每個槽至少達到半導體晶片的一半的厚度，并且在半導體晶片的上表面上形成一個密封膜，填充形成的槽，并且使外連接端暴露出來；沿著槽切割密封膜，除去密封膜上寬度比槽要小的那些部分。

????????????????????附圖的簡要說明

圖1是一個具有柱形電極的硅片的放大的剖面圖，用于說明根據本發明的第一實施例制造半導體器件的方法的一個步驟。

圖2也是該硅片的一個放大的剖面圖，用于說明緊接在圖1所示的步驟之后的步驟。

圖3是該硅片的一個放大的剖面圖，用于說明緊接在圖2所示的步驟之后的步驟。

圖4是該硅片的一個放大的剖面圖，用于說明緊接在圖3所示的步驟之后的步驟。

圖5是該硅片的一個放大的剖面圖，用于說明緊接在圖4所示的步驟之后的步驟。

圖6是該硅片的一個放大的剖面圖，用于說明緊接在圖5所示的步驟之后的步驟。

圖7是該硅片的一個放大的剖面圖，用于說明緊接在圖6所示的步驟之后的步驟。

圖8是該硅片的一個放大的剖面圖，用于說明緊接在圖7所示的步驟之后的步驟。

圖9是該硅片的一個放大的剖面圖，用于說明緊接在圖8所示的步驟之后的步驟。

圖10是該硅片的一個放大的剖面圖，用于說明緊接在圖9所示的步驟之后的步驟。

圖11是硅片的一個放大的剖面圖，用于說明根據本發明的第二實施例制造半導體器件的方法的一個步驟。

圖12是該硅片的一個放大的剖面圖，用于說明緊接在圖11所示的步驟之后的步驟。

圖13是硅片的一個放大的剖面圖，用于說明根據本發明的第三實施例制造半導體器件的方法的一個步驟。

圖14是硅片的一個放大的剖面圖，用于說明根據本發明的第四實施例制造半導體器件的方法的一個步驟。

圖15是該硅片的一個放大的剖面圖，用于說明緊接在圖14所示的步驟之后的步驟。

圖16是硅片的一個放大的剖面圖，用于說明根據本發明的第五實施例制造半導體器件的方法的一個步驟。

圖17是硅片的一個放大的剖面圖，用于說明一種傳統的半導體器件的制造方法。