[發明專利]具有漏極延伸區的橫向薄膜硅絕緣體(SOI)PMOS器件

有效

• 申請號: 00801827.8
• 申請日: 2000-08-07
• 公開（公告）號: CN1321340A
• 公開（公告）日: 2001-11-07
• 發明（設計）人: T·萊塔維克;M·辛普森
• 申請（專利權）人: 皇家菲利浦電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/786
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 梁永

1．一種橫向薄膜硅絕緣體(SOI)PMOS器件(20)，包含半導體基片(22)、在所述基片上的埋入絕緣層(24)以及在所述埋入絕緣層上的SOI層(26)中的橫向PMOS晶體管器件，該晶體管器件具有：形成在n型導電的體區域(30)中的p型導電源區域(28)；鄰近所述體區域的n型導電的橫向漂移區(32)；p型導電并且通過所述橫向漂移區(32)在橫向上與所述體區域隔開的的漏極區域(34)；以及在一部分所述體區域上方的門電極(36)，其中溝道區在工作期間形成并且在靠近所述體區域的所述橫向漂移區的一部分的上方延申，所述門電極(36)通過絕緣區域(38)與所述體區域(30)和漂移區(32)絕緣，其特征在于，所述橫向漂移區(32)在至少其橫向范圍的主要部分上方設有線性分級電荷分布，這樣在所述橫向漂移區中的摻雜級沿著從所述漏極區域(34)朝著所述區域(28)的方向增加，并且表面鄰接p型導電漏極延伸區域(46)設在所述漂移區(32)中并且從所述漏極區域(34)延伸到源區域附近，但是沒有直接與所述源區域(28)接觸。

2．如權利要求1所述的橫向薄膜硅絕緣體(SOI)PMOS器件(20)，其中所述n型體區域(30)由所述n型漂移區(32)的一部分形成。

3．如權利要求1所述的橫向薄膜硅絕緣體(SOI)PMOS器件(20)，其中N型導電的體接觸表面區域(40)設在所述體區域中并接觸所述源區域。

4．如權利要求1所述的橫向薄膜硅絕緣體(SOI)PMOS器件(20)，還包含在所述漂移區(32)中的P型導電的緩沖區(48)，該緩沖區在所述漏極區域(34)下面從所述漏極延伸區域(46)延伸到所述埋入絕緣層(24)。

5．如權利要求1所述的橫向薄膜硅絕緣體(SOI)PMOS器件(20)，還包含在所述PMOS器件上方的電介質層(50)以及在所述電介質層上并且位于所述漂移區(32)的至少一部分上方的導電場電極(52)。

6．如權利要求5所述的橫向薄膜硅絕緣體(SOI)PMOS器件(20)，其中所述導電場電極(52)設在所述漂移區(32)的主要部分的上方，并且與PMOS器件的所述源區域(30)相連。