[發(fā)明專利]確定最佳擦除和寫入功率的方法、以及帶有使用所述方法的設(shè)備的記錄裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00800301.7
• 申請日: 2000-01-06
• 公開（公告）號: CN1296610A
• 公開（公告）日: 2001-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: G·F·周;R·范沃登博格;J·H·M·斯普瑞特
• 申請（專利權(quán)）人: 皇家菲利浦電子有限公司
• 主分類號: G11B7/00
• 分類號: G11B7/00;G11B7/125
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 羅朋,葉愷東

1．一種確定用于擦除在一種光記錄介質(zhì)中所提供標(biāo)記的最佳擦除功率的方法，其中，在所述這種光記錄介質(zhì)中是這樣提供這些標(biāo)記的：通過用具有足夠高功率的輻射脈沖來局部加熱所述記錄介質(zhì)從而導(dǎo)致該記錄介質(zhì)上的光學(xué)特性的改變，其中隨著所述輻射脈沖反射的減小，這種光學(xué)特性的改變變得顯著，其特征在于，該方法包括

一個準(zhǔn)備步驟：通過用具有第一功率的輻射脈沖來局部加熱記錄介質(zhì)從而在該記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記，隨后是

確定該輻射脈沖的第二功率(P_min)的第一檢測步驟，在該功率處，當(dāng)以低于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時，在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性基本不變，而當(dāng)以高于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時，在所提供的標(biāo)記位置處的該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性發(fā)生改變，使得歸一化的反射功率增加，以及

第二檢測步驟確定該輻射脈沖的第三功率(P_max)，在該功率處，當(dāng)在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處以所述第三功率照射該記錄介質(zhì)時，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性改變，使得歸一化的反射功率變得最大，隨后是

從下列方程中確定最佳擦除功率(P_EO)的比較步驟 P EO = β · ( P min + P max ) α ]]>其中α是提前公知的一個常數(shù)，β是依賴于記錄介質(zhì)特性的一個變量。

2．一種確定用于在一種光記錄介質(zhì)中所提供標(biāo)記的最佳寫入功率的方法，其中，在所述這種光記錄介質(zhì)中是這樣提供這些標(biāo)記的：通過用具有足夠高功率的輻射脈沖來局部加熱所述記錄介質(zhì)從而導(dǎo)致該記錄介質(zhì)上的光學(xué)特性的改變，其中隨著所述輻射脈沖反射的減小，這種光學(xué)特性的改變變得顯著，其特征在于，該方法包括

一個準(zhǔn)備步驟：通過用具有第一功率的輻射脈沖來局部加熱記錄介質(zhì)從而在該記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記，隨后是

確定該輻射脈沖的第二功率(P_min)的第一檢測步驟，在該功率處，當(dāng)以低于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時，在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性基本不變，而當(dāng)以高于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時，在所提供的標(biāo)記位置處的該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性改變到歸一化的反射功率增加的程度，以及

第二檢測步驟確定該輻射脈沖的第三功率(P_max)，在該功率處，當(dāng)在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處以所述第三功率照射該記錄介質(zhì)時，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性改變，使得歸一化的反射功率變得最大，隨后是

從下列方程中確定最佳寫入功率(P_WO)的比較步驟 P WO = δ · β · ( P min + P max ) α ]]>其中α是提前公知的一個常數(shù)，β和δ是依賴于記錄介質(zhì)特性的一個變量。