[實用新型]納米硅肖特基二極管無效

申請?zhí)枺?/td>	00258256.2	申請日：	2000-10-20
公開（公告）號：	CN2443492Y	公開（公告）日：	2001-08-15
發(fā)明（設計）人：	何宇亮;劉明	申請（專利權）人：	何宇亮;李愛剛
主分類號：	H01L29/872	分類號：	H01L29/872
代理公司：	北京市廣友專利事務所	代理人：	張德勝
地址：	214031 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	納米硅肖特基二極管
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【說明書】：

本實用新型是關于一種納米硅二極管，更特別的是關于一種納米硅肖特基二極管(Nano-silicon?films?Schottky?diode)。

肖特基二極管(Schottky?diode)是利用金屬和半導體在其交界表面形成的表面勢壘并利用其特性制成的二極管。它的器件結構和整流特性完全不同于通常的P-N結二極管。當肖特基二極管處于正向導通時，電子從n型半導體一邊流向金屬，這時電子是多數載流子。當它注入金屬層后不存在所謂少數載流子積累問題(象通常P-N結中那樣)，不會發(fā)生在接觸勢壘兩邊電荷的存貯，從而使它的開關時間遠比一般二極管為快。所以它在超高速器件，微波電路及高速集成電路中有廣泛用途。如濟南吉福半導體有限公司生產的肖特基二極管(使用C-Si材料)占國內同類產品的80％，供不應求，年創(chuàng)匯600萬美元。然而，據我們了解他們的肖特基二極管產品電參數在幾個方面抵不上我們所設計的納米硅肖特基二極管。

表1??濟南吉福半導體有限公司生產的肖特基二極管電參數