[實用新型]納米硅肖特基二極管無效
| 申請號： | 00258256.2 | 申請日： | 2000-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN2443492Y | 公開（公告）日： | 2001-08-15 |
| 發明（設計）人： | 何宇亮;劉明 | 申請（專利權）人： | 何宇亮;李愛剛 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市廣友專利事務所 | 代理人： | 張德勝 |
| 地址： | 214031 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 硅肖特基 二極管 | ||
【權利要求書】：
1、一種納米硅肖特基二極管，其特征在于以低電阻率單晶硅為基片，在其上沉積一層摻雜納米硅薄膜，在納米硅薄膜上有多層金屬膜。
2、如權利要求1所述的納米硅肖特基二極管，其特征在于多層金屬膜可以采用鈦、鉑和鎢金屬膜。
3、如權利要求2所述的納米硅肖特基二極管，其特征在于二極管中的金屬膜可以單獨采用鈦、鉑和鎢金屬膜中的一種，也可以多層使用。
4、如權利要求1所述的納米硅肖特基二極管，其特征在于所述的摻雜可以摻磷或硼元素。
5、如權利要求1所述的納米硅肖特基二極管，其特征在于以N型低電阻率C-Si為基片，在其上有約1微米厚二氧化硅絕緣層。
6、如權利要求1所述的納米硅肖特基二極管，其特征在于在開過小窗口的二氧化硅層上沉積3～5微米厚的摻磷N型納米硅薄膜。
7、如權利要求6所述的納米硅肖特基二極管，其特征在于在二氧化硅絕緣層上有一排排整齊小窗口，面積為400×400(μm)2或200×200(μm)2。
8、如權利要求6所述的納米硅肖特基二極管，其特征在于除窗口內有納米硅薄膜外，其余地方無納米硅薄膜。
9、如權利要求6所述的納米硅肖特基二極管，其特征在于在窗口內納米硅薄膜上涂有金屬層。
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