[實用新型]一種用于電子元器件的硅基鐵電夾心結構無效
| 申請號： | 00231330.8 | 申請日： | 2000-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN2414513Y | 公開（公告）日： | 2001-01-10 |
| 發明（設計）人： | 任天令;張林濤;劉理天;李志堅 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L41/00 | 分類號： | H01L41/00;C04B35/01 |
| 代理公司： | 清華大學專利事務所 | 代理人： | 羅文群 |
| 地址： | 10008*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 電子元器件 硅基鐵電 夾心 結構 | ||
【權利要求書】：
1、一種用于電子元器件的硅基鐵電夾心結構，包括頂層Pt／Ti電極、PZT鐵電薄膜、底層Pt／Ti電極、二氧化硅層、硅襯底，上述各層依次排列，其特征在于還包括兩層PT層，所述的PT層分別置于頂層Pt／Ti電極與PZT鐵電薄膜之間以及PZT鐵電薄膜與底層Pt／Ti電極之間。
2、如權利要求1所述的硅基鐵電夾心結構，其特征在于，其中所述的PZT層厚度為0．15～2μm，PT層厚度為0．01～0．1μm，PZT層與PT層厚度之比為：10～30。
3、如權利要求1所述的硅基鐵電夾心結構，其特征在于，其中所述的底層電極中Pt層厚度為1000～2000，Ti層厚度為50～100。
4、如權利要求1所述的硅基鐵電夾心結構，其特征在于，其中所述的頂層電極中Pt層厚度為800～1000，Ti層厚度為50～100。
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