[發(fā)明專利]成膜方法和成膜裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00137613.6 | 申請日: | 2000-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN1304167A | 公開(公告)日: | 2001-07-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 江間達彥;伊藤信一 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 王永剛 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 方法 裝置 | ||
1.成膜方法,包括液狀膜形成工序,對于被處理襯底,從滴下噴嘴滴下藥液,藥液按在該襯底上的某一擴散量來調(diào)整且在溶劑中添加固態(tài)成分,滴下的該液體保留在該襯底上,同時使所述滴下噴嘴與所述被處理襯底相對移動,從該襯底的滴下開始部至滴下結束部在所述被處理襯底上形成液狀膜;和除去所述液狀膜中的溶劑來形成涂敷膜的工序,
在所述液狀膜形成工序中,對所述被處理襯底進行加熱或冷卻,以便校正包含于所述液狀膜中的溶劑的揮發(fā)所致汽化熱產(chǎn)生的所述液狀膜的溫度分布,同時在所述被處理襯底上形成液狀膜。
2.如權利要求1所述的成膜方法,其特征在于,對所述被處理襯底進行加熱或冷卻,以使所述被處理襯底滴下開始部的溫度比該被處理襯底的滴下結束部的溫度高。
3.如權利要求1所述的成膜方法,其特征在于,對所述被處理襯底進行加熱或冷卻,以使所述被處理襯底的外周部的溫度從滴下開始部至滴下結束部單調(diào)降低,同時該襯底所述外周部內(nèi)側(cè)的溫度大致為一定溫度,
該大致一定的溫度為比滴下開始部的溫度低,并且比滴下結束部的溫度高的溫度。
4.如權利要求1所述的成膜方法,其特征在于,對所述被處理襯底進行加熱或冷卻,以使在所述被處理襯底的滴下開始部與滴下結束部之間的區(qū)域沒有溫度梯度。
5.如權利要求1所述的成膜方法,其特征在于,對所述被處理襯底進行加熱或冷卻,以使在所述被處理襯底的滴下結束部的溫度梯度比該被處理襯底的滴下開始部的溫度梯度大。
6.如權利要求1所述的成膜方法,其特征在于,對所述被處理襯底進行加熱或冷卻,以使被處理襯底兩端部的溫度比所述被處理襯底中央部的溫度低。
7.如權利要求1所述的成膜方法,其特征在于,所述滴下開始部是被處理襯底中央部,并且滴下結束部是被處理襯底端部,
所述液狀膜的形成包括下列工序:從被處理襯底中央部至一邊的被處理襯底端部滴下藥液,從被處理襯底中央部至另一邊的被處理襯底端部滴下藥液。
8.如權利要求1所述的成膜方法,其特征在于,所述藥液是抗蝕劑、反射防止膜劑、氧化膜劑、強介質(zhì)體膜劑。
9.成膜方法,包括:對于被處理襯底,從滴下噴嘴滴下藥液,藥液按在該襯底上某一擴散量來調(diào)整且在溶劑中添加固態(tài)成分,使滴下的該液體保留在該襯底上,同時使所述滴下噴嘴與所述被處理襯底相對移動,在該襯底的滴下開始部至滴下結束部滴下藥液,在所述被處理襯底上形成液狀膜的工序;和除去所述液狀膜中的溶劑形成表面平坦的涂敷膜的工序,
在所述涂敷膜形成工序中,對所述被處理襯底進行加熱或冷卻,以便校正包含于所述液狀膜中的溶劑的揮發(fā)所致汽化熱產(chǎn)生的所述液狀膜的溫度分布。
10.如權利要求9所述的成膜方法,其特征在于,對所述被處理襯底進行加熱或冷卻,以使所述被處理襯底滴下開始部的溫度比該被處理襯底的滴下結束部的溫度高。
11.如權利要求9所述的成膜方法,其特征在于,對所述被處理襯底進行加熱或冷卻,以使所述被處理襯底的外周部的溫度從滴下開始部至滴下結束部單調(diào)降低,同時在該襯底所述外周部內(nèi)側(cè)的溫度大致為一定溫度,
該大致一定的溫度為比滴下開始部的溫度低,并且比滴下結束部的溫度高的溫度。
12.如權利要求9所述的成膜方法,其特征在于,對所述被處理襯底進行加熱或冷卻,以便在所述被處理襯底的滴下開始部與滴下結束部之間的區(qū)域沒有溫度梯度。
13.如權利要求9所述的成膜方法,其特征在于,對所述被處理襯底進行加熱或冷卻,以使在所述被處理襯底的滴下結束部的溫度梯度比該被處理襯底的滴下開始部的溫度梯度大。
14.如權利要求9所述的成膜方法,其特征在于,對所述被處理襯底進行加熱或冷卻,以使被處理襯底兩端部的溫度比所述被處理襯底中央部的溫度低。
15.如權利要求9所述的成膜方法,其特征在于,所述滴下開始部是被處理襯底中央部,并且滴下結束部是被處理襯底端部,
所述液狀膜的形成包括下列工序:從被處理襯底中央部至一邊的被處理襯底端部滴下藥液,從被處理襯底中央部至另一邊的被處理襯底端部滴下藥液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





