[發明專利]針狀或薄片狀納米氫氧化鎂及其制備方法

無效

• 申請號: 00135436.1
• 申請日: 2000-12-19
• 公開（公告）號: CN1359853A
• 公開（公告）日: 2002-07-24
• 發明（設計）人: 瞿保鈞;謝榮才
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: C01F5/22
• 分類號: C01F5/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種針狀或薄片狀納米氫氧化鎂晶體的制備方法，其特征在于：在含鎂離子的水溶液中加入表面活性劑，攪拌均勻后，在10-60℃滴加堿溶液進行沉淀反應；沉淀物經蒸餾水洗滌、過濾、干燥、研磨，得白色粉末狀產品。

2、如權利要求1所述的針狀或薄片狀納米氫氧化鎂晶體的制備方法，特征在于所述含鎂離子的水溶液包括氯化鎂、硝酸鎂或硫酸鎂的水溶液，其濃度為5～40％(wt)。

3、如權利要求1所述的針狀或薄片狀納米氫氧化鎂晶體的制備方法，特征在于所述表面活性劑可以是陰離子表面活性劑油酸鈉或油酸鉀，也可以是非離子表面活性劑OP-10與油酸鈉或油酸鉀的復配物；表面活性劑的總用量為鎂離子水溶液總量的0.5-3％(wt)。

4、如權利要求1所述的針狀或薄片狀納米氫氧化鎂晶體的制備方法，特征在于所述堿溶液采用濃度為2-15％(wt)的氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液，或10-30％(wt)的氨水。

5、一種納米級氫氧化鎂，特征在于其為針狀或薄片狀氫氧化鎂晶體；其針狀晶體在短軸方向尺寸為3-6nm、長軸方向尺寸為50-100nm；其薄片狀晶體的長或寬均在150nm范圍內，厚度在3-10nm。