[發(fā)明專利]金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00133781.5
• 申請日: 2000-10-25
• 公開（公告）號: CN1305231A
• 公開（公告）日: 2001-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 小山內(nèi)潤
• 申請（專利權(quán)）人: 精工電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 吳增勇,傅康

1．一種半導(dǎo)體器件，它包括：高密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基片；在所述半導(dǎo)體基片的表面層上形成的低密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層；在所述低密度的半導(dǎo)體層中從表面選擇性地形成的溝槽；在所述溝槽的側(cè)壁和底部形成的低密度相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層；與所述相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層部分重疊并選擇性地在所述低密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體的表面層上形成的相對較淺的相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層；選擇性地在所述相對較淺的低密度的相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層中形成的高密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層；在所述低密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層和所述相對較淺的低密度的相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層上形成的柵極絕緣膜；以及在所述柵極絕緣膜上選擇性地形成的柵極。

2．按照權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其特征在于：用絕緣膜填充在所述低密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層中形成的所述溝槽的內(nèi)部。

3．按照權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其特征在于：用某一導(dǎo)電類型的多晶硅填充在所述低密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層中形成的所述溝槽的內(nèi)部。

4．一種按照權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，它包括以下步驟：用外延生長法在高密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基片上形成低密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層；在所述低密度的半導(dǎo)體層中從表面選擇性地形成溝槽；在所述溝槽的兩側(cè)和底部形成低密度相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層；用位于所述溝槽側(cè)壁和底部的相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層部分地重疊相對較淺的低密度相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層，并在所述低密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層中選擇性地形成相對較淺的低密度相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層；在所述相對較淺的低密度相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層中形成高密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層；在所述低密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層和所述相對較淺的低密度相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層上形成柵極絕緣膜；以及在所述柵極絕緣膜上選擇性地形成柵極。

5．一種按照權(quán)利要求1或4的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于還包括用絕緣膜填充在所述低密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層中形成的所述溝槽的內(nèi)部的步驟。

6．一種按照權(quán)利要求1或4的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于還包括用多晶硅填充在所述低密度某一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層中形成的所述溝槽的內(nèi)部的步驟。

7．一種按照權(quán)利要求1或4的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于：在所述溝槽的內(nèi)側(cè)和底部形成所述低密度相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層的步驟包括利用包含雜質(zhì)的氧化膜的固相擴散。

8．一種按照權(quán)利要求1或4的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于：在所述溝槽的內(nèi)側(cè)和底部形成所述低密度相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層的步驟包括利用包含雜質(zhì)的多晶硅的固相擴散。

9．一種按照權(quán)利要求1或4的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于：在所述溝槽的內(nèi)側(cè)和底部形成所述低密度相反導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體擴散層的步驟包括分子層摻雜過程。