[發明專利]氮化銦鎵發光二極管

有效

• 申請號: 00131996.5
• 申請日: 2000-11-03
• 公開（公告）號: CN1353465A
• 公開（公告）日: 2002-06-12
• 發明（設計）人: 劉家呈;許進恭;周銘俊;章絹明;李秉杰
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

本發明涉及一種發光二極管，特別是涉及一種氮化銦鎵發光二極管。

日本Nichia?Chemical?Industries?Ltd.曾在一論文中揭露一種氮化銦鎵發光二極管構造，如圖1顯示，其中包括藍寶石基層10、氮化鎵長晶層(nucleation?layer)11、n型氮化鎵緩沖層12、n型氮化鋁鎵束縛層13、純量子井氮化銦鎵發光層14、p型氮化鋁鎵束縛層15、p型氮化鎵接觸層16、鎳-金導電層17、p型鎳-金前電極18，又由于藍寶石不導電，故須將發光二極管適當地蝕刻至氮化鎵緩沖層12，然后在緩沖層12上形成n型鈦-鋁后電極19。

在現有的發光二極管中，由于p型氮化鎵接觸層16的導電性不佳，故有必要于其上設置鎳-金導電層17，以達到使源自前電極18的電流散布開的效果，但鎳-金導電層17的透光率小于百分之五十，使二極管所發出光線中的大部分都被導電層17吸收，因而造成二極管發光效率欠佳的不良結果。

再者，該現有發光二極管有結構復雜的缺點，若能夠減少其中的層數，簡化制作工藝，則可降低生產成本。

此外，該現有發光二極管中，p型鎳-金前電極18與n型鈦-鋁后電極19由于所使用的材料不同，必須分別在不同的制作工藝中形成在二極管上，造成制作工藝復雜的缺點，若p型前電極與n型后電極能夠使用相同的材料，并在同一制作工藝中形成在二極管上，即可簡化制作工藝，降低生產成本。

此外，該現有發光二極管中，自前電極18送出的電流，在導電層17中分布開后，向下流至導電層17中，與來自后電極19的電流遭遇，而產生發光作用。然而，在前電極18正下方所發出的光線受前電極18阻擋，造成發光效率不佳的缺點。

本發明的目的在于提供一種氮化銦鎵發光二極管，使其中所發出光線的極少部分被導電層吸收，因而能夠增進二極管的發光效率。

本發明的另一目的在于提供一種氮化銦鎵發光二極管，其結構較簡單，因而能夠簡化二極管制作工藝，從而降低生產成本。

本發明的另一目的在于提供一種氮化銦鎵發光二極管，其中p型電極與n型電極使用相同的材料，可在同一制作工藝中形成在二極管上，故能夠簡化制作工藝，從而降低生產成本。

本發明的又一目的在于提供一種氮化銦鎵發光二極管，其中電流的分布受控制，能夠減少前電極正下方的電流，進而減小發光層中所發出光線受前電極阻擋的不良效果，并能夠增進二極管的發光效率。

本發明的目的是這樣實現的，即提供一種發光二極管，包括：一絕緣基層；一p型接觸層，形成在該絕緣基層上，其表面分為第一區域及第二區域；一p型束縛層，形成在該p型接觸層的第一區域上；一發光層，形成在該p型束縛層上；一n型束縛層，形成在該發光層上；一n型接觸層，形成在該n型束縛層上；一n型電極，形成在該n型接觸層上；以及一p型電極，形成在該p型接觸層的第二區域上。

本發明還提供一種發光二極管，包括：一絕緣基層；一長晶層，形成在該絕緣基層上；一p型接觸層，形成在該長晶層上，其表面分為第一區域及第二區域；一p型束縛層，形成在該p型接觸層的第一區域上；一發光層，形成在該p型束縛層上；一n型束縛層，形成在該發光層上；一n型接觸層，形成在該n型束縛層上；一n型電極，形成在該n型接觸層上；以及一p型電極，形成在該p型接觸層的該第二區域上。

本發明還提供一種發光二極管，包括：一絕緣基層；一長晶層，形成在該絕緣基層上；一n型緩沖層，形成在該長晶層上；一p型接觸層，形成在該緩沖層上，其表面分為第一區域及第二區域；一p型束縛層，形成在該p型接觸層的第一區域上；一發光層，形成在該p型束縛層上；一n型束縛層，形成在該發光層上；一n型接觸層，形成在該n型束縛層上；一n型電極，形成在該n型接觸層上；以及一p型電極，形成在該p型接觸層的第二區域上。

本發明還提供一種發光二極管，包括：一絕緣基層；一p型接觸層，形成在該絕緣基層上，其表面分為第一區域及第二區域；一p型束縛層，形成在該p型接觸層的第一區域上；一發光層，形成在該p型束縛層上；一n型束縛層，形成在該發光層上；一n型接觸層，形成在該n型束縛層上；一透明導電層，形成在該n型接觸層上；一n型電極，形成在該透明導電層上；以及一p型電極，形成在該p型接觸層的第二區域上。