[發明專利]氮化銦鎵發光二極管

有效

• 申請號: 00131996.5
• 申請日: 2000-11-03
• 公開（公告）號: CN1353465A
• 公開（公告）日: 2002-06-12
• 發明（設計）人: 劉家呈;許進恭;周銘俊;章絹明;李秉杰
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種發光二極管，包括：

一絕緣基層；

一p型接觸層，形成在該絕緣基層上，其表面分為第一區域及第二區域；

一p型束縛層，形成在該p型接觸層的第一區域上；

一發光層，形成在該p型束縛層上；

一n型束縛層，形成在該發光層上；

一n型接觸層，形成在該n型束縛層上；

一n型電極，形成在該n型接觸層上；以及

一p型電極，形成在該p型接觸層的第二區域上。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其中該絕緣基層包括選自于藍寶石、LiGaO₂、LiAlO₂、及MgAl₂O₄所構成材料群組中的一種材料；該p型接觸層包括選自于GaN與AlGaN所構成材料群組中的一種材料；該p型束縛層包括Al_xGa_xN，其中，0≤x≤1；該發光層包括In_yGa_1-yN，其中，0≤y≤1；該n型束縛層包括Al_zGa_1-zN，其中0≤z≤1；該n型接觸層包括選自于GaN與AlGaN所構成材料群組中的一種材料；該n型電極由鈦-鋁制成；該p型電極由鎳-金制成。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其中該絕緣基層包括選自于藍寶石、LiGaO₂、LiAlO₂、及MgAl₂O₄所構成材料群組中的一種材料；該p型接觸層包括選自于GaN與AlGaN所構成材料群組中的一種材料；該p型束縛層包括Al_xGa_1-xN，其中，0≤x≤1；該發光層包括r個氮化銦鎵量子井與r+1個氮化銦鎵阻擋層，使得每一個氮化銦鎵量子井上下二側皆有一氮化銦鎵阻擋層，其中，r≥1，每一氮化銦鎵量子井是由In_eGa_1-eN構成，每一氮化銦鎵阻擋層是由In_fGa_1-fN構成，且0≤f＜e≤1；該n型束縛層包括Al_zGa_1-zN，其中，0≤z≤1；該n型接觸層包括選自于GaN與AlGaN所構成材料群組中的一種材料；該n型電極由鈦-鋁制成；該p型電極由鎳-金制成。

4.一種發光二極管，包括：

一絕緣基層；

一長晶層，形成在該絕緣基層上；

一p型接觸層，形成在該長晶層上，其表面分為第一區域及第二區域；

一p型束縛層，形成在該p型接觸層的第一區域上；

一發光層，形成在該p型束縛層上；

一n型束縛層，形成在該發光層上；

一n型接觸層，形成在該n型束縛層上；

一n型電極，形成在該n型接觸層上；以及

一p型電極，形成在該p型接觸層的該第二區域上。

5.如權利要求4所述的發光二極管，其中該絕緣基層包括選自于藍寶石、LiGaO₂、LiAlO₂、及MgAl₂O₄所構成材料群組中的一種材料；該長晶層包括選自于GaN、Al_mGa_1-mN，其中，0≤m≤1、及In_nGa_1-nN，其中，0≤n≤1，所構成材料群組中的一種材料；該p型接觸層包括選自于GaN與AlGaN所構成材料群組中的一種材料；該p型束縛層包括Al_xGa_1-xN，其中，0≤x≤1；該發光層包括In_yGa_1-yN，其中，0≤y≤1；該n型束縛層包括Al_zGa_1-zN，其中0≤z≤1；該n型接觸層包括選自于GaN與AlGaN所構成材料群組中的一種材料；該n型電極由鈦-鋁制成；該p型電極由鎳-金制成。