[發明專利]一種半導體的封裝結構無效
| 申請號: | 00129915.8 | 申請日: | 2000-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN1300099A | 公開(公告)日: | 2001-06-20 |
| 發明(設計)人: | 陳晃 | 申請(專利權)人: | 戴佩苓 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京市專利事務所 | 代理人: | 朱麗華 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 封裝 結構 | ||
1、一種半導體的封裝結構,其形體為一扁平片狀,兩端有一個以上的端子,該端子與封鑄于樹脂內的管芯座部及導接部均由一單件的導體件制成,于管芯與導體件完成組立、成型及焊接后形成一半制件,其特征在于:
該端子為上、側、下三面或側、下二面的包覆形式;該半制件系呈單列連結的多元連續件,且形成一槽型形狀,經膠帶貼著或其它類似手段封止部份開口部位,留出液型樹脂的注入口,即形成一完整的槽形件,而得以采連續灌注方式制成絕緣封鑄管殼的多元連續件。
2、根據權利要求1所述的一種半導體的封裝結構,其特征在于:導體件于管芯置放之前,可呈一展開形狀,使每一管芯的二管芯座并列,經探測得知極性方向的管芯可選擇二管芯座相對之一置放,以獲得所需的極性方向。
3、根據權利要求1所述的一種半導體的封裝結構,其特征在于:該管殼封鑄完成的半制件得以采用連續工法進行切割道切除、端子熱浸著錫、特性測試、標示印制、檢查、選別及包裝等各項制程。
4、根據權利要求1所述的一種半導體的封裝結構,其特征在于:其可適用于單一管芯多個端子或多個管芯多個端子的半導體裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





