[發明專利]光電及半導體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法

無效

• 申請號: 00129767.8
• 申請日: 2000-10-11
• 公開（公告）號: CN1347013A
• 公開（公告）日: 2002-05-01
• 發明（設計）人: 徐屘仁
• 申請（專利權）人: 磐達股份有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/027
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 朱黎光,湯保平

本發明為有關于半導體或光電元件制造過程中剝除晶片或玻璃表面聚亞醯胺(polyimide)膜層的方法，尤指一種配合自動化設備皆能對半導體及光電元件提供剝除聚亞醯胺膜層處理，且處理數量大、速度快及去除效果佳的方法。

已知半導體晶片在制造過程中，其表面會涂布一種聚亞醯胺膜層，如有涂布不均或厚度不符時便需將此膜層予以去除。以目前產業較為廣泛采用于晶片加工的電漿去除法而言，其電漿表面處理雖可有效對聚亞醯胺膜層燒除，且不影響晶片強度，但處理面積非常小，所以耗費時間，產能不大，并在晶片表面會產生多種物質結合成的錯合物，影響后續處理及最終產品的應有特性，故僅較適合實驗室、少量或局部去除的處理情況，因此依現今晶片加工驟增的產能，此種方法以不符合需求使用了。

又，在光電元件制造過程中也會涂布聚亞醯胺膜層，如有涂布不均或厚度不符時便需將此膜層予以去除。以目前較為廣泛采用于LCD產業的NMP去除法，其是以spin-on逐片處理方式，雖對去除不烘烤聚亞醯胺膜(uncured?poiyimide)相當有效，但仍然經常在邊緣殘留，導致影響后續制造過程或最終產品的應有特性，甚至直接報廢，反而影響合格率問題，又spin-on方式每次處理只能一片，且只能適用于小面積LCD，而不適用于日漸批量的大面積產品。

為了徹底解決目前及未來產能倍增的需求，本發明的目的在于提供創新的半導體或光電元件制造過程中剝除聚亞醯胺膜層的方法，此方法是將多片處理物一次承放于一浸泡槽中，該浸泡槽內盛裝有適量能對聚亞醯胺膜層松脫或剝除或蝕放慢反應的化學混合溶劑，以進行多片處理物一次浸泡處理及可完全大面積處理的除膜方式，達到處理數量大、處理快速及處理效果佳的結果。

本發明的目的可以按下述實現，一種光電及半導體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其特征在于包含以下步驟：1)將承載至少一片以上表面具有聚亞醯胺膜層的處理物的載具移送至浸泡槽中，該浸泡槽內盛裝有適量能對聚亞醯胺膜層松脫或剝除或蝕刻反應的化學混合溶劑，以對多片處理物同時進行除膜處理；2)以反應后的處理物再移送至沖洗槽以清洗液進行清洗，將處理物表面殘留溶劑予以清除；3)再以清洗液進行二次清洗處理，將處理物表面殘留物質清除潔凈；4)以清洗完成后處理物進行烘干或吹干處理，將處理物表面上水氣予以干燥，以實現處理物表面聚亞醯胺膜層完全剝除。

本發明的進一步特征在于，其中處理物可為晶片或光電元件；其中化學混合溶劑包含烷胺(ALKANOLAMINE)、2-(2-氨基乙氧基)乙醇[2-(2-AMINOETHOXY)ETHANOL]、丁酸內酯(BUTYROLACTONE)、環氨(CYCLIC?AMIDE)、二甲亞砜(DIMETHYL?SULFOXIDE)、N-甲基四氫吡咯酮(N-METHYL?PYRROLIDONE)、四甲基氫氧化銨(TETRAMETHYL?AMMONIUM?HYDROXIDE)混合而成；其中浸泡槽內處理程序可進一步搭配超音波震蕩、真空洗凈、流水式或機械攪動方式以縮短去除時間；其中清洗液包含純水、去離子水、乙醇、超純水、過氧化氫、甲醇、異丙醇、丙酮或其他醇、酮混合而成的；其中除膜溫度是介于104至212華氏度之間；其中處理物表面上為烘干聚亞醯胺膜層(curedpolyimide)時除膜時間是介于5至90分鐘；其中處理物表面上為未烘干聚亞醯胺膜層(uncured?polyimide)時除膜時間是介于1至10分鐘；其中沖洗處理的溫度是介于22至80攝氏度之間；其中沖洗處理的時間是介于10秒至2分鐘之間；其中烘干或吹干處理的溫度是介于22至120攝氏度之間；其中烘干或吹干處理的時間是介于10秒至20分鐘之間。

茲就本發明方法的優點及特性說明如下：

1、本發明是采化學溶劑浸泡的除膜處理方式，在制造過程上一次可多片處理，處理數量大，且為大面積處理，可節省剝除時間，增加產能，可因應日后產能聚增的處理能量需求。

2、本發明的化學溶劑浸泡除膜處理方式，其可適用多種基材如晶片、LCD、Wafer?Level?CSP、光纖、其他先進的復合材料及各種金屬等表面聚亞醯胺膜層的除膜處理。

3、本發明的化學溶劑浸泡除膜處理方式，其除膜處理均勻且速度快，不會有去除不干凈的死角，并能針對烘干(cured)或未烘烤(uncured)的聚亞醯胺膜層(polyimide)有效剝除，也不會在處理表面生成錯合物等特性。