[發(fā)明專利]光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00129767.8
• 申請日: 2000-10-11
• 公開（公告）號: CN1347013A
• 公開（公告）日: 2002-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐屘仁
• 申請（專利權(quán)）人: 磐達股份有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/027
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 朱黎光,湯保平

1、一種光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其特征在于包含以下步驟：

1)將承載至少一片以上表面具有聚亞醯胺膜層的處理物的載具移送至浸泡槽中，該浸泡槽內(nèi)盛裝有適量能對聚亞醯胺膜層松脫或剝除或蝕刻反應(yīng)的化學(xué)混合溶劑，以對多片處理物同時進行除膜處理；

2)以反應(yīng)后的處理物再移送至沖洗槽以清洗液進行清洗，將處理物表面殘留溶劑予以清除；

3)再以清洗液進行二次清洗處理，將處理物表面殘留物質(zhì)清除潔凈；

4)以清洗完成后處理物進行烘干或吹干處理，將處理物表面上水氣予以干燥，以實現(xiàn)處理物表面聚亞醯胺膜層完全剝除。

2、如權(quán)利要求1所述的光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其中處理物可為晶片或光電元件。

3、如權(quán)利要求1所述的光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其中化學(xué)混合溶劑包含烷胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、丁酸內(nèi)酯、環(huán)氨、二甲亞砜、N-甲基四氫吡咯酮、四甲基氫氧化銨混合而成。

4、如權(quán)利要求1所述的光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其中浸泡槽內(nèi)處理程序可進一步搭配超音波震蕩、真空洗凈、流水式或機械攪動方式以縮短去除時間。

5、如權(quán)利要求1所述的光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其中清洗液包含純水、去離子水、乙醇、超純水、過氧化氫、甲醇、異丙醇、丙酮或其他醇、酮混合而成的。

6、如權(quán)利要求1所述的光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其中除膜溫度是介于104至212華氏度之間。

7、如權(quán)利要求1所述的光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其中處理物表面上為烘干聚亞醯胺膜層時除膜時間是介于5至90分鐘。

8、如權(quán)利要求1所述的光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其中處理物表面上為未烘干聚亞醯胺膜層時除膜時間是介于1至10分鐘。

9、如權(quán)利要求1所述的光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其中沖洗處理的溫度是介于22至80攝氏度之間。

10、如權(quán)利要求1所述的光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其中沖洗處理的時間是介于10秒至2分鐘之間。

11、如權(quán)利要求1所述的光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其中烘干或吹干處理的溫度是介于22至120攝氏度之間。

12、如權(quán)利要求1所述的光電及半導(dǎo)體制造過程中聚亞醯胺膜層的剝除方法，其中烘干或吹干處理的時間是介于10秒至20分鐘之間。