[發明專利]濕處理裝置

無效

• 申請號: 00120809.8
• 申請日: 2000-07-27
• 公開（公告）號: CN1282981A
• 公開（公告）日: 2001-02-07
• 發明（設計）人: 松井淳
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/30
• 分類號: H01L21/30;H01L21/304;B08B3/02
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿,方挺

本發明涉及濕處理裝置，特別涉及用于清洗和用化學方法處理半導體襯底(下文稱做晶片)的濕處理裝置。

在濕處理裝置中，一個重要的因素是提高晶片清洗和化學處理的效果。為此，常規的濕處理裝置(常規例1)為單片型。即，將一個晶片放置在處理室中。處理液體(用于清洗或化學處理)以射流噴射到旋轉著的晶片上。在該方法中，一次僅處理一個晶片。因此，產量很低，并且制造成本很高。

為了解決該問題，有一種多槽濕處理裝置，用于連續地進行晶片清洗和化學處理。常規的多槽濕處理裝置有兩種類型：圖5所示的浸沒型，和圖6和7中所示的噴射型。如圖5所示(剖視圖)，在浸沒型的多槽濕處理裝置(常規例2)中，容納有多個晶片1的載架31浸沒在處理液體32(用于清洗或化學處理)中，處理液體由設置在處理箱33下面的供料口34提供，同時處理液體32溢出流入設置在處理槽33頂部開口周圍的排料溝35內。在所述浸沒型多槽濕處理裝置中，容納在載架31中的晶片1浸沒在處理液體32中。因此，當清洗晶片1時，附著到載架31上的污物會散布到清洗液內，從而污染晶片1。此外，由于容納在載架31中的晶片之間的間隔不是很大，因此不可能獲得高清洗效率。附著到晶片1的污染顆粒不會完全除去。此外，當進行晶片1的化學處理時，化學液體的更換太慢，需要很長的處理時間。

鑒于以上問題，近來，經常使用噴射型濕處理裝置。在所述噴射型的常規多槽濕處理裝置(常規例3)中，如圖6所示(剖視圖)，容納有多個晶片1的載架31放置在處理室36中，以便接受由固定到處理室36頂部的噴嘴37所噴射出的處理液體32(用于清洗或化學處理)。然而，由于噴嘴37設置在固定的位置，由于載架31的原因，清洗液或化學液體不能達到晶片的所有部分。此外，由噴嘴37到晶片1的距離相當長，不可能獲得足夠的清洗或化學處理效果。

為解決該問題，現在已開發出無載架的噴射型多槽濕處理裝置。圖7為所述無載架的噴射型的常規多槽濕處理裝置(常規例4)的透視圖，其中設置一對吊架(hanger)38用于放置多個晶片1，并且噴嘴37被固定到吊架38上。在處理室36中，處理液體32(用于清洗或化學處理)由設置在吊架38上的噴嘴37噴射到被吊架38支撐的晶片1。采用這種結構，沒有載架干擾到晶片1的處理液體32噴流的問題，噴嘴37和晶片1之間的距離也被減小。因此，與常規例3的噴射型多槽濕處理裝置相比，改善了清洗或化學處理效果。然而，在所述無載架的噴射型多槽濕處理裝置中，噴嘴37設置在規定位置，噴嘴37到晶片1仍有一段距離。因此，清洗液或化學液體不能均勻地噴射到晶片1上，仍然不能達到足夠的清洗或化學處理效果。此外，當清洗晶片1時，僅能清洗掉大顆粒，因此清洗效果不充分。

以上提到的常規濕處理裝置有各種問題。在單板型濕處理裝置情況下，一次僅處理一個晶片，降低了產量并且增加了制造成本。

此外，在多槽濕處理裝置中，雖然一次可以處理多個晶片，在浸沒型多槽濕處理裝置的情況下，當清洗晶片1時，附著到載架31上的污染顆粒被分散在清洗液中，污染了晶片1。即，清洗效率降低，并且不能完全地除去附著在晶片1上的污染顆粒。此外，當對晶片1進行化學處理時，晶片1的液體更換速度很慢，并且處理需要很長的周期。在噴射型多槽濕處理裝置的情況下，存在清洗液或化學處理液體不能均勻地噴射到晶片1上，并且噴嘴37和晶片1之間的距離使得不能獲得有效的清洗或化學處理效果。此外，當清洗晶片1時，僅能除去大尺寸的污染顆粒，不能達到充分的清洗效果。

因此，本發明的一個目的是提供一種能夠一次處理多個晶片并具有良好的清洗或化學處理效果的濕處理裝置。

根據本發明的濕處理裝置包括：處理襯底的室；夾持襯底的卡盤單元；設在卡盤單元內的處理液體管；以及設在卡盤單元上并與處理液體管連接的處理液體噴嘴，用于將處理液體噴射到襯底上。

此外，上述裝置包括：多種類型的處理液體管；多種類型的處理液體噴嘴，其分別與多種類型的處理液體管相連接，并且設置在卡盤單元中。

此外，上述卡盤單元可夾持多個襯底，處理液體噴嘴可以設置在由卡盤單元夾持的每個襯底的上方。

此外，上述處理液體可以是化學液體或清洗液。

此外，上述卡盤單元包括用于旋轉整個卡盤單元的機構。

此外，上述卡盤單元具有夾持各襯底外周邊的夾具。

此外，上述襯底為半導體襯底。